【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より大型な基板に膜厚均一性に優れた高品質薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応容器内に、直線形状又は中央で折り返した形状の誘導結合型電極を配置したプラズマＣＶＤ装置であって、前記誘導結合型電極の両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とを設け、前記給電部と接地部の間又は前記給電部及び接地部と折り返し部との間に半波長若しくはその自然数倍の定在波が立つように高周波電力を供給する構成とし、かつ、前記誘導結合型電極の電極径を変化させるか、給電部から接地部までの少なくとも一部の電極径を１０ｍｍ以下とするか、又は電極を誘電体で被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、非接地電極に設けられた複数の給電点と、複数の給電点から非接地電極に高周波電力を供給するための電力供給手段とを備え、非接地電極と接地電極に挟まれたプラズマ生成領域でプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極は方形の形状を有し、複数の給電点は非接地電極の対称面に対して互いに対称な位置となるような非接地電極の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化するとともに、放電電極における反射電力を抑制することを目的とする。
【解決手段】所定の周波数の高周波電力を位相変調して出力する高周波電源部１７ａ，１７ｂと、基板を支持する対向電極３と、高周波電源部から出力された高周波電力が供給され、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、夫々が異なるインピーダンスに設定された複数の整合回路２０ａ〜２０ｄを有し、高周波電源部側のインピーダンスに放電電極側のインピーダンスを整合させる整合器１３と、高周波電力の供給時に、複数の前記整合回路のうち、位相変調により変動する放電電極側のインピーダンスが高周波電源部側のインピーダンスに整合する整合回路を選択する選択手段２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの密度分布の不均一性や薄膜の不均一性が改善されたプラズマ生成装置およびプラズマ生成方法を提供する。
【解決手段】棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆されて形成された複数のアンテナ素子が金属板に平行に一定間隔でプラズマ容器内に配設されたアンテナアレイを用いる。このアンテナアレイは、隣り合うアンテナ素子がプラズマ容器の対向する壁面から突出するように設けられて構成されている。このアンテナアレイに給電するとき、アンテナ素子に給電する高周波信号の位相が、隣接するアンテナ素子間で９０度ずれるように、高周波信号の位相を変化させる。このアンテナアレイの電磁波の放射によりプラズマを生成させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７−１〜７−４、７’−１〜７’−４）設け、それぞれのアンテナの組の高周波誘導アンテナ素子７−１〜７−４、７’−１〜７’−４に供給する電流の位相を、対応する素子で同位相に制御して、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

ＲＦ電力が、異なる位相オフセットを伴って、プラズマチャンバの電極（２０〜２６）上の異なるＲＦ接続点（３１〜３４）に結合される。好ましくは、異なるＲＦ接続点および対応する位相オフセットの数が、少なくとも４であり、ＲＦ接続点の位置が、電極の２つの直交次元（例えばＸ軸およびＹ軸）に沿って分配される。好ましくは、各ＲＦ接続点への電力が、それぞれに対応するＲＦ電源（４１〜４４）によって供給され、その場合、各電源はその位相を、共通の基準ＲＦ発振器（７０）に同期させる。
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【課題】縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。
【解決手段】所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部１４ａとこれに高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを有し、前記反応室２０１に多段に支持される複数の電極１４と、相対峙する電極１４，１４同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を、各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によってプラズマ発生密度を均一化し、大面積に対して均一な処理を施すことのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内にカソード電極１２とアノード電極１１が平行に配置された平行平板型のプラズマ処理装置において、高周波信号を発生する信号発生器３１と、該高周波信号を入力して位相の９０°異なる２つの高周波信号を出力する位相偏移変調器３２と、位相偏移変調器３２から出力される２つの高周波信号を時間的に分離して交互に出力する高周波スイッチ３３と、該高周波スイッチ３３から出力される高周波信号を増幅する高周波アンプ３４とを備えた１台の高周波電源３０を用いて前記カソード電極１２に印加開始時の位相が９０°異なる２つの高周波を時間的に分離して交互に給電する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャージングダメージの発生を大幅に改善して、プラズマ処理の安定性および信頼性の向上を実現するとともに、プラズマ処理の面内均一性の向上を実現する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間とプラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】 製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】 電源部１７から高周波電力が給電点５３，５４に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点５３，５４のそれぞれにおいて調節する複数の整合器１３ａｔ，１３ａｂと、を備え、整合器１３ａｔ，１３ａｂのインピーダンスは、給電点５３，５４間における高周波電力の位相差に基づいて調節されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、第１電源部、第２電源部、第１整合器１３ａ、第２整合器１３ｂ、放電電極３、保持電極を具備する。第１電源部は、第１高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調をさせ変調の振幅は高周波電力の波長λの１／４以上である。第１整合器１３ａは、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第２整合器１３ｂは、第２高周波電力を第２出力側へ出力する。保持電極は、放電電極３と対面配置され、被処理基板８を保持する。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯域におけるプラズマの生成及びそのプラズマ表面処理への応用において、一対の電極間以外でのプラズマ発生及び異常放電を抑制し、電力損失の防止及び大面積・均一のプラズマ表面処理化が可能であるプラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１の壁を貫通しその壁に設置された管状導体６０に設置された互いに誘電体で絶縁された２枚の長方形板状導体６１，６２の一方の端部を真空側に配置し、他方の端部を大気側に配置するとともに、該管状導体６０の一方の端部と平衡不平衡変換装置のアースシールド箱６６を密着させた構成である電流導入端子及び該電流導入端子を備えたプラズマ表面処理装置及び該電流導入端子を備えたプラズマ表面処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板を均一的に製膜する薄膜形成装置およびプラズマ発生方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板の表面に対向して配置される少なくとも２つの電極と、前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、隣り合う前記電極に印加される電圧を逆位相とする少なくとも１つの移相器と、を備え、隣り合う前記電極間の距離は、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる
【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。一実施形態において、イオンドーズは、高周波プローブからの現場測定値と結合して質量分布センサからのプラズマの現場測定値を使用して制御することができる。 （もっと読む）