【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ外部に磁極を配置した場合であっても、隔壁に設けた開口部の縁部からの発熱を抑制することのできる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】プロセス室を構成するチャンバ１２と、チャンバ１２の外周であってチャンバ１２を構成する導電性の隔壁部材であるハウジング２６に設けられた開口部４２を遮蔽する磁気透過性遮蔽板４６に近接配置された磁極と、前記磁極に巻回された誘導加熱コイルとを有する誘導加熱装置１０において、１つの前記開口部４２に対して、少なくとも２つの磁極３２，３４を設け、２つの磁極３２，３４の極性を逆極性としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。高周波給電部６６の高周波伝送路上に設けられる第１ノードＮ_Aと第２ノードＮ_Bとの間で、中間コイル６０および外側コイル６２には可変の中間コンデンサ８６および外側コンデンサ８８がそれぞれ電気的に直列接続され、内側コイル５８にはリアクタンス素子が一切接続されない。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】基板を載置したサセプタを低速で回転させながら高品質で再現性も良好な堆積膜を得ることができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタの回転に伴って基板保持部材を自公転させるとともに、原料ガス導入部からサセプタ表面側に原料ガスを導入して加熱手段により加熱された基板面に薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置を用いた気相成長方法において、サセプタの回転数を毎分６０回転以下に設定するとともに、基板の回転方向を、正方向に回転している時間に比べて短い時間だけ負方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内からの酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の原料ガスを排出する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の酸化剤を排出する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる複数のスリット１３、１４を備え、絶縁膜１５、１６を設けることにより各スリットに対応して１つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体のシート抵抗を低減でき、かつ、この効果によるオン電流値を向上させた化合物半導体基板を低コストで提供する。
【解決手段】本発明によって、下地となる基板１と、前記基板１の主面上に形成された中間層２と、前記中間層２の主面上に形成された化合物半導体層３と、前記化合物半導体層３の主面上に形成された電極５と、前記化合物半導体層３の主面と前記電極５との間に形成され、前記化合物半導体層３の主面側から順に単結晶相、多結晶相、非晶質相の形態を有する窒化物のパッシベーション膜４と、を備えることを特徴とする化合物半導体基板１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止する機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
コーティング膜成膜装置２０内で、フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂを大気圧より減圧下でフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２内に装填し、フィルムロール４２から連続的に支持体Ｂを送り出し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ・パラメータを正確に計測し、プラズマを安定して供給可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
複数の電極１０２と、該電極の間の距離を調節する電極移動手段１１１ｂと、加熱手段を有するプローブ３０２と、前記電極間の電圧値及び電流値を計測する計測手段４０１と、該計測手段で得られた値を解析し、プラズマの状態を検知する解析手段４００とを具備する。
（もっと読む）

【課題】チャンバの内部から排出されるパーティクルの数を用いてチャンバの内部状況を正確に推定することができるチャンバの内部状況推定方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０においてＮＰＰＣシーケンスを実行した際の全排出パーティクル数の時系列データからガス衝撃力モード、ガス粘性力モード及び静電気力モードに対応した特性値（閾値越え開始点、閾値越え終了点、閾値越え積算時間及び閾値越え回数）が抽出され、該特性値とウエハ上パーティクルの数の相関関係（感度、ばらつき）が算出され、さらに、算出された相関関係及び新たな時系列データにおける特性値に基づいてウエハ上パーティクルの数が推定される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ５１内のステージ５８上に載置されたウェハ５７に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ５６から発生する紫外光ＵＶのモニタを行う場合、電圧源８７により、負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）をセンサ７０へ印加する。すると、プラズマ５６から発生した紫外光ＵＶが、センサ７０にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計８８にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光ＵＶによるセンサ７０へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ７０は、ＲＦバイアス電圧の印加されないチャンバ５１の上部に設置されているので、このセンサ７０がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。 （もっと読む）

【課題】 複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入時に起こるウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】クラック及びピットの発生が少なく、結晶性に優れた窒化物半導体層を有する半導体材料及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】Si基板１０上又はこの上に形成した中間層２０上に、Al_XGa_1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層３０を形成し、該組成傾斜層３０の上に、Al_YGa_1-YNの組成からなるからなる高Al含有層４１とAl_ZGa_1-ZNの組成からなる低Al含有層４２とを交互に積層してなる超格子複合層４０を形成し、該超格子複合層４０の上に、窒化物半導体層５０を形成してなる半導体材料を提供する。 （もっと読む）