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Fターム[4K030KA00]の内容

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【課題】設置する場合に、建物内での設置の高さ制限が緩和された、またメンテナンスが簡単である成膜装置および気化器の設置方法を提供する。
【解決手段】成膜用液体材料供給系と、前記液体材料をキャリアガスと混合して気化させる気化器30aと、前記気化器30aから出る材料気化ガスを基板に流して膜を成膜させる成膜室40aと、前記気化器30aからのガスを、前記成膜室に供給する材料気化ガス供給配管50aとで構成される成膜装置であって、前記成膜室40aの側面と並行に、前記気化器40aが配置されことを特徴とする成膜装置とする。 (もっと読む)


【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体290と包囲部材280との間の間隙SP3と、包囲部材280と処理炉202との間の間隙SP4とに不活性ガスを供給し、間隙SP4の不活性ガスは直接的に接続孔284を介して不活性ガス排出管291に到達し、間隙SP3の不活性ガスは包囲部材280の開口部283を介して包囲部材280の内側に回り込んで接続孔284から不活性ガス排出管291に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体290の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室HR内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置101の損傷等を確実に防止することができる。 (もっと読む)


例えば、熱及び/又は化学ガスを封じ込めるための封じ込めシステム、例えば、遮断セグメント、遮蔽セグメント及び/又は分割セグメントを含むことができる炭素系封じ込めシステムが記載されており、各セグメントは壁を形成する壁パネル等の複数のパネルとすることができる。
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【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Siからなる基板上に、構成元素としてGaを含まず、かつGa不純物濃度が2×1018atoms/cm以下のAlN層を形成する第1工程と、前記第1工程を複数回繰り返した後、AlN層の成長に使用した成長装置を用いて、AlN層上に構成元素としてGaを含む窒化物半導体からなるGaN層を形成する第2工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第1工程と第2工程とを別の装置を用いて実施してもよい。 (もっと読む)


【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの3次元マップが作られ得る。 (もっと読む)


本発明は、モジュール式反応器筐体及び機能モジュールを含む改善されたCVD反応器サブシステムを提供する。モジュール式反応器筐体は、市販の低温壁CVD反応チャンバを収容することができ、機能モジュールは、反応器筐体上に配置して、反応チャンバを用いてCVD処理を実施するのに必要な機能を提供することができる。好ましい機能モジュールは、CVD反応チャンバに熱を供給するモジュールと、CVD反応チャンバ内部の状態を測定するモジュールとを含んでいる。本発明は、また、このようなCVD反応器サブシステムの形成方法、特に、特定のCVD処理を最適に実施するためのサブシステムの形成方法、及びこのような構成を実施するためのキットも提供する。有利なことに、本発明は、単一のCVD反応器サブシステムを、それがいくつかの別々のCVD処理を最適に実施できるように、構成換え及び配置換えできるようにする。
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【課題】オイルバブラーのオイル量の調節をすることなく、グローブボックス内の圧力を簡単に制御することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】グローブボックスは、不活性ガスの導入管と導出管とを備え、該導出管にオイルバブラー26を接続する。該オイルバブラー26は、導出管に接続されオイルバブラー26の蓋部材28に上下位置調節可能に装着されるノズル管29と、該ノズル管29の先端開口部29aが浸漬するオイルOLと、排気口27aとを備え、オイルOLの液面からノズルの先端開口部29aまでの距離Dを調節することにより、グローブボックス13内の圧力を制御する。 (もっと読む)


【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】成膜装置1は、成膜室2内に載置された基板に成膜処理を行う。成膜室2には、第1の開閉部3を介して基板待機部4が接続しており、基板待機部4と成膜室2の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する基板−サセプタ搬送用ロボット17を有する。成膜室2の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部5が設けられている。 (もっと読む)


【課題】黄燐を含む付着物を成膜構成部材から確実に除去し、大気に暴露しても発火することがない安全な物質に確実に変化させることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉12をグローブボックス11内に収納するとともに、グローブボックス内の酸素濃度を測定する酸素濃度計15と、グローブボックス内に酸素含有ガスを導入する酸素導入経路16と、酸素導入経路から導入する酸素含有ガスの流量を調整する流量調整器16Vと、グローブボックス内に不活性ガスガスを導入する不活性ガス導入経路17と、グローブボックス内からガスを排気する排気経路18とを備えている。 (もっと読む)


【課題】黄燐を含む付着物が付着した成膜構成部材を分解して安全にかつ容易に運搬することができ、成膜構成部材の清掃を安全に行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉12を収納するグローブボックス11と、該グローブボックスに連設した容器収納ボックス14と、該容器収納ボックス内に収納される部材容器17とを備え、グローブボックスと容器収納ボックスとの間に成膜構成部材が通過可能な内部側開閉手段15を設け、容器収納ボックスに部材容器を出し入れ可能な外部側開閉手段16を設けるとともに、容器収納ボックス内の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換するためのガス経路14a,14bを設け、部材容器を成膜構成部材を収容可能で、かつ、貯水可能に形成した。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】このバルブを接地するための方法及び装置が提供される。一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び/又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。一実施形態では、エラストマー部材は、このバルブのドアに取り付けられて電気的に連通する。エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 (もっと読む)


【課題】 複数の真空処理室あるいは真空処理容器とこれらに共通の搬送室を備えた真空処理装置であって、メンテナンスや機器の取り付け、取り外しといった作業が容易な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 多角形の搬送チャンバの隣合う辺に取付けられた2つの真空容器と、前記各真空容器に接続された真空排気装置と、前記2つの真空容器及び前記真空排気装置の下方に各々配置されたステージと、前記各ステージと前記各真空容器との間に各々配置された複数の支持柱を有し、これら各支持柱のうちの1本は前記2つの真空容器間の狭隘部に配置され、前記2つの真空容器と前記2つのステージとに連結され、前記支持柱のうち他の複数の支持柱が前記真空容器の下方にそれぞれ配置されかつ前記真空排気装置を挟んで対応する側に配置された真空処理装置。 (もっと読む)


【課題】高清浄雰囲気で良質な膜を生成し、膜厚均一性を向上することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】アウターチューブ10内に、複数の半導体ウェーハ(図示せず)を積層して搭載するボート30を設ける。アウターチューブ10をマニホールド40に取り付けるフランジ14と胴体部12との間に円錐部13を設けて、胴体部12の内径を小さくして、ウェーハを保持するボート30との距離を短くすることにより、ドーパント濃度均一性、膜厚均一性の向上を図る。アウターチューブ10とボート30の間に原料ガスをボート30上まで導入するノズル21を設け、反応ガスを上から下へアウターチューブ10内を流すことにより、反応炉内への炉下部からの汚染を防止する。 (もっと読む)


本発明の半導体製造装置は、処理チャンバ(11)、処理チャンバ(11)に対してウエーハを出し入れする搬送通路(12)、処理チャンバ(11)内の処理ガスを排出する排気通路(13)及び排気ライン(40,40’)等を備え、処理チャンバ(11),搬送通路(12)、排気通路(13)及び排気管(410,420)の内壁面(11a,11b,12a,13a,410a,420a)を加熱するべく、薄板状の抵抗発熱体を一対の金属板で挟み込んで覆うと共に内壁面を内側から覆うように形成された面状の加熱ユニット(50,60,70,80,170,270)を有する。これにより、処理ガスに曝される壁面の加熱効率が高まり、副生成物等の付着を防止でき、又、抵抗発熱体の劣化も防止できる。
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