【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置を用いて、サセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、サセプタとして、ＳｉＣにより表面をコートされた黒鉛製サセプタをチャンバー内に配設し、黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、ウェーハ載置面上にリフトピンによりシリコン単結晶基板を載置して、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル成長においてシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体のアルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｚｎ−Ｘ前記式中、Ｒはアルキル基（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）を表し、Ｘはハロゲン基を表す。好ましくは、前記アルキル基のｎは１〜４であり、より好ましくは、前記アルキル基は、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、またはｔ−ブチル基を含む。好ましくは、前記ハロゲン基は、Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＩを含む。また、本蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記アルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給して、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着を実施するための反応炉を提供する。
【解決手段】化学蒸着またはエピタキシャル層成長反応炉は反応チャンバを含んでいる。少なくとも１つの基板キャリアと基板キャリアを支持するためのサポータとが反応チャンバ内に設けられている。基板キャリアは第１面と第２面とを含んでいる。基板キャリアの第２面には少なくとも１つの内向きに窪んだ凹部が設けられている。サポータは、サポータは、スピンドル部と；スピンドル部の一端に接続されて、スピンドル部の外周から外向きに延びた支持部であって、支持部が支持面を含んだ支持部と；スピンドル部に接続されて、基板キャリアの第１面に向かって所定の高さだけ延びたプラグイン部と、を含み、サポータのプラグイン部は取外し可能に凹部内に挿入され、基板キャリアがサポータ上に配置され且つサポータによって支持されることを可能にしている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン（ｚｉｎｃｏｃｅｎｅ）、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ_ｎＨ_２ｎ＋１を表す。好ましくは、前記ｎは１〜３であり、より好ましくは、前記Ｒ１およびＲ２は水素、メチル基、エチル基、またはｉ−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、５０秒を超えて３００秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン１ａから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン２ａから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン２ｂより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン１ｂより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてアンテナの長手方向の両端部間に発生する電位差を小さく抑え、それによってプラズマ電位を低く抑えると共にアンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 プラズマ処理装置を構成する平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ３０は、二枚の矩形導体板３１、３２を同一平面上に位置するように互いに隙間３４をあけて近接させて平行に配置し、かつ両導体板の長手方向Ｘの一方端同士を導体３３で接続した往復導体構造をしている。両導体板３１、３２に高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される。かつ両導体板３１、３２の隙間側の辺に開口部３７を形成し、それを複数、アンテナ３０の長手方向Ｘに分散させて配置している。 （もっと読む）

【課題】基板保持部品の交換に掛かるコストの削減を実現できると共に半導体製造のスループットを向上させることができるサセプタ及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面をその下方の反応ガス流路に臨ませて基板の表面に半導体膜を気相成長させるフェースダウン型の半導体製造装置に用いられるサセプタにおいて、基板を支えるツメ部品が着脱自在に設けられるものである。 （もっと読む）

【課題】サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、サセプタを安定して支持した状態で回転させる。
【解決手段】成膜室１と、成膜室１内に成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド２０と、成膜室１内において被処理基板３を加熱するヒータ６とを備える。また、成膜室１内において被処理基板３が載置される回転可能なサセプタ４と、サセプタ４の縁を下方から断熱部材１２を介して支持する支持部１１と、サセプタ４に回転力を伝達する回転軸５とを備える。回転軸５は、サセプタ４側の端部において、この回転軸５の中心軸から偏心した位置に突起部を有する。サセプタ４は、突起部が遊挿される凹部を下面に有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】押さえガスを供給する副噴射器の内部に遮熱器２５が設けられている。遮熱器２５は、押さえガスが流入する複数の流入側通気部２７Ａと、流入側通気部と互いに連通し、流入側通気部２７Ａから流入した押さえガスを噴出する複数の流出側通気部２７Ｂを有し、上記流出側通気部２７Ｂ及び流入側通気部２７Ａは、流出側通気部２７Ｂの開口部から流入側通気部２７Ａの開口部への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）