【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器４の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室２と、減圧容器４の外部から、減圧容器４に設けられた真空窓１５を介してプロセス室２に接続される変換器３Ａ，３Ｂとを有する製膜装置１であって、真空窓１５の両面に、プロセス室２の容器と変換器３Ａ，３Ｂの容器を、真空窓１５に対して定位置に位置決めするガイド板５１，５２を設けた。このガイド板５１，５２は、真空窓１５の両面に、プロセス室２と真空窓１５との間、および変換器３Ａ，３Ｂと真空窓１５との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図２に示すように、処理室２０９の外壁２０５とインナーチューブ２０６の間にガス導入空間２１０を設け、このガス導入空間２１０内に誘導加熱するための加熱体２０７を設けている点にある。これにより、ガス供給部２１１から供給される原料ガスは、まず、処理室２０９の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間２１０内に導入され、このガス導入空間２１０に設けられている加熱体２０７によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間２０５を設けているので、表面積の大きなガス導入空間２０５の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室２０３に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室２０３に導入されるガスと、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハＷＦ上に形成される膜の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１３を中央部に有する基材１２ａと、この基材１２ａの下面を被覆する薄膜１２ｂとを有し、薄膜１２ｂの表面は、基材１２ａの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段８により加熱されて遮蔽板１２が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板１２の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第１の開口が形成された外部チャンバと、第１の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第２の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、かつ高強度でありながら、低熱容量で持ち運びがし易い減圧処理容器を提供する。
【構成】ステンレススティールにより円筒状に成形された薄肉の内容器体１１と、内容器体１１との間に真空の断熱空間１３を形成し、ステンレススティールにより円筒状に成形され、その外周面にリブ状の起伏部１５を多数形成してなる薄肉の外容器体１７ａと、を接合して二重構造とし、内容器体１１の肉厚以下とし、かつ、内容器体１１と外容器体１７ａとの隙間変化を吸収する、金属材料、特にはステンレス製の、例えば、断面をＵ字型とした底板１９を用いた構造として低熱容量、かつ耐熱性に優れ、高強度とした。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ外部に磁極を配置した場合であっても、隔壁に設けた開口部の縁部からの発熱を抑制することのできる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】プロセス室を構成するチャンバ１２と、チャンバ１２の外周であってチャンバ１２を構成する導電性の隔壁部材であるハウジング２６に設けられた開口部４２を遮蔽する磁気透過性遮蔽板４６に近接配置された磁極と、前記磁極に巻回された誘導加熱コイルとを有する誘導加熱装置１０において、１つの前記開口部４２に対して、少なくとも２つの磁極３２，３４を設け、２つの磁極３２，３４の極性を逆極性としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ガス供給口およびガス排出口を有し、ウェーハが導入される反応室と、反応室のガス供給口から反応室内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、反応室内に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部材と、反応室内に設けられ、ウェーハ保持部材で保持されたウェーハを所定の温度に加熱するヒータと、ウェーハ保持部材をウェーハと共に回転させる回転駆動制御機構と、反応室のガス排出口から反応室内のガスを排出するガス排出機構と、反応室の底部に壁面近傍で設置され、壁面から滴下するオイリーシランを収集して排出するドレインと、を備える。 （もっと読む）