【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第１の開口が形成された外部チャンバと、第１の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第２の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部２５２が形成された枠体２５０と、開口部２５２を開閉する弁体２６６と、枠体２５０の開口部２５２周辺に設けられ、弁体２６６が閉じられた場合、弁体２６６が密着するシール部材２５６と、枠体２５０に設けられた開閉軸２６２と、開閉軸２６２を中心として回転するように設けられ、弁体２６６を移動自在に支持する支持体と、弁体２６６の開閉軸２６２が設けられた側よりも反対側がシール部材２５６に近づくように弁体２６６を付勢する付勢部材２７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】昇降エレベータ機構の能力を大きくする必要性を回避して、この昇降エレベータ機構の高コスト化を抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して熱処理を施すために基板を複数枚保持した基板保持具５８を、筒体状の処理容器に対して昇降させるようにしたローディングユニットにおいて、基板保持具とキャップ６２とを保持して昇降させる昇降エレベータ機構と、処理容器の下端の開口部４４に位置するキャップを上方向へ押圧するために設けられた、圧電素子を用いた圧電アクチュエータ８８を有する押圧機構８６とを備える。これにより、昇降エレベータ機構の能力を大きくする必要性を回避して、この昇降エレベータ機構の高コスト化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材３０，４２と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路９０とを備える。環状ガス流路９０の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路９０に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 （もっと読む）

【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても，高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し，そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ２００Ｂと，それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ３００との間のゲートバルブ装置は，トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は，そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第１シール部材３３０Ａとその外側の第２シール部材３３０Ｂにより囲んで２重シール構造とし，これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔４０８を筐体の側壁に設け，トランスファチャンバとの基板搬出入口を，筐体内を昇降自在な弁体４１０によって開閉するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】巻取り式連続成膜装置において、高生産性を図るに際して長大化させた成膜源、成膜ロール、ガイドロール群、及び成膜マスクなどに対するメンテナンスや段取り作業を容易化すると共に、幅を拡大させた基材において幅方向で品質的に均一な被膜を形成させることができるようにする。
【解決手段】本発明の巻取り式連続成膜装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２内に配備された成膜ロール３，３と、成膜ロール３，３に亘って巻き掛けられる基材Ｗの表面に被膜を形成する成膜源４，４とを有し、真空チャンバ２は、前後壁６，７及び上下壁８，９からなるチャンバ本体１０と、チャンバ本体１０に対して開閉自在とされた左右の側壁１１，１２とを備え、チャンバ本体１０の前後壁６，７及び／又は上下壁８，９には、成膜ロール３，３で挟まれたロール間領域への作業者の出入りを可能にする出入口部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

【課題】ウェハやＦＰＤ用基板等の処理基板の処理装置を構成する真空容器に関するものであり、真空容器を構成する筐体に設けられた封止部材が接する部分を傷付けることなく、蓋板の開閉ができる真空容器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空容器は、開口部を有する筐体と、封止部材を備えた蓋体と、開閉可能な前記蓋体によって前記筐体の開口部を封止する真空容器において、前記蓋体の封止部材取付部より外側に傾斜部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炉内で基板の面を処理し、薄層の析出を向上させると共にガス相成分と面の反応を向上させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】排気システム及びその方法は、排気ガスがガス処理装置に運ばれるようにする。ドアシールと不活性ガス浄化システムは、炉が安全に作動し、ドアシール領域でプロセスガスの反応を最小にする。排気システムは、プロセス管であって、第１の端部と、第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の外面と、第１の端部の外面に配置された第１の係合面と、を有するプロセス管と、プロセス管の第１の端部と係合するドアであって、プロセス管の第１の端部が挿入される凹んだキャビティを形成するリップと、プロセス管の長手方向軸に対して一定の角度でプロセス管の第１の係合面と係合し、リップの内面に配置された第２の係合面と、プロセス管の第２の端部を貫通する排気管と、を有する。 （もっと読む）

【課題】生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置を有する。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）