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Fターム[4K030KA12]の内容

CVD (106,390) | 反応装置 (11,046) | 反応室に関するもの (1,121) | 拡散板、仕切板、遮蔽板 (380)

Fターム[4K030KA12]に分類される特許

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【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板2に堆積させることにより膜を成長させる光CVD装置(成膜装置)1であって、光源13と基板2を保持する試料台(基板保持部)14の間に遮光板(遮光部材)20を配置する。遮光板20は、基板2の成膜面2aと対向する裏面20a、裏面20aの反対側に位置する表面20b、裏面20aおよび表面20bのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔21を有している。また、遮光板20の裏面20aと基板2の成膜面2aの距離C1は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 (もっと読む)


【課題】InGaNを含む半導体の形成で、高品質・高In組成のInGaNを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともInGaNを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のN源とIn源とを反応させ、InN源を生成する第1のステップと、前記気相成長装置内で、第一のN源とは異なる第二のN源とGa源とを反応させ、GaN源を生成する第2のステップと、前記第1のステップで生成された前記InN源と、前記第2のステップで生成された前記GaN源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第3のステップとを有する気相成長方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体215が誘電体窓207の下のエンクロージャ200内に配置される。RF電力アプリケータ240が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にRF電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置230、235が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル270が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1の内部に設けられた中空筒状のライナ2と、ライナ2の上方に設けられて反応ガス4が透過するシャワープレート15と、ライナ2とチャンバ1の内壁1aとの間の空間Bにパージガス52を導入するパージガス供給口50と、ライナ2の上部と下部の周囲に配設されて空間Bの上端部と下端部を塞ぐシール51とを有する。成膜装置100は、空間Bをパージガス52でパージし、基板7上での気相成長反応が行われる空間A内の反応ガス4が空間Bへ流入することを抑制するとともに、空間Bに導入された所定量のパージガス52が空間Aへ流入するように制御する。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布が均一な薄膜を形成可能なCVD装置を提供する。
【解決手段】本発明のCVD装置2では、排気口31が排気空間72に設けられており、成膜空間71と排気空間72とを接続する排気流路41の流入口44は、成膜空間71の高さ方向中央位置で成膜空間71を取り囲んでいる。真空排気装置33によって、成膜空間71内のガスを排気空間72と排気流路41とを介して排気口46から真空排気しながらシャワープレート20から原料ガスを放出すると、成膜空間71内のガスは主たる流線の方向が基板表面に平行に保たれたまま流入口44に流入し、基板14表面に均一な薄膜が形成される。排気流路41のコンダクタンスは排気空間72のコンダクタンスよりも小さくされており、流入口44のどの位置からでも均一に真空排気される。 (もっと読む)


【課題】例えば、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、ステージとシャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とを有する成膜装置が提供される。ステージは、成膜室内に配されている。ステージには、基板が載置される。ステージは、上下動可能である。シャワーヘッドは、基板より大きな平面幅を有する。シャワーヘッドは、ステージに対向する面に複数の穴を有する。シャワーヘッドは、複数の穴を介して基板の表面に成膜ガスを供給する。コンダクタンス調整壁は、基板の外側でステージの上下動によって成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッドの外縁からステージの側へ延びている。シャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されている。 (もっと読む)


【課題】複数の種類のガスを用いる場合においても、所望の膜質を得られる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、複数の基板900を円周方向に支持するサセプタ60と、サセプタを回転させる回転機構120と、サセプタの支持面62上の空間に設けられた複数の領域と、これらの複数の領域にガスを供給するガス供給部200と、を有し、ガス供給部200は、複数の領域における隣り合う領域で同じガスを供給するか、若しくは複数の領域における隣り合う領域で異なるガスを供給するかが選択可能な構成である。 (もっと読む)


【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。 (もっと読む)


【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、支持体のダメージが少なく、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Bと、領域Bよりも低密度/薄い領域Aとを有し、領域B−領域A−領域Bの積層構造を1以上有する機能性フィルム、および、複数のプラズマCVDによって、成膜領域から外部へのガス流を制御しつつ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部80とウエハWとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド95を設けると共に、プラズマ発生部80において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ83の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット97を当該アンテナ83に沿って前記ファラデーシールド95に形成して、各々のスリット97の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ83の長さ方向に沿うように導電路97a、97aを配置する。 (もっと読む)


【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート101と、ベースプレート101の上に設置されてベースプレート101の全面を被覆するベースプレートカバー103とを有する。ベースプレート101には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口6が設けられており、ベースプレートカバー103には、排気口6に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔107が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔107の端面109は、排気口6の端面110より突出している。ベースプレートカバー103は、ベースプレート101と対向する面に突起部108を有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】長尺な基材に、プラズマCVDによって連続的に成膜を行うロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側での、プラズマ端部の影響を低減して、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段が電極対の間でプラズマを生成する領域の、基材搬送方向の上流側および下流側の少なくとも一方の端部に配置される絶縁性のプラズマ抑制部材24を有する。 (もっと読む)


【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間205を設けているので、表面積の大きなガス導入空間205の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室203に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室203の内部に配置されているウェハWFとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室203に導入されるガスと、処理室203の内部に配置されているウェハWFとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハWF上に形成される膜の品質を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置5は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部50と、マイクロ波出力部50から出力されたマイクロ波を処理容器2内へ導入するアンテナユニット60と、アンテナユニット60により導入されたマイクロ波を処理容器2内に放射するマイクロ波放射モジュール80と、を有している。マイクロ波放射モジュール80は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板81と、導体部材としてのカバー部材82とを有している。カバー部材82は、マイクロ波透過板81を介して処理容器2内に導入されるマイクロ波がウエハWの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 (もっと読む)


【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器1内において、BTBASガスが供給される処理領域P1とOガスが供給される処理領域P2を、水平面に沿って回転する回転テーブル2の周方向に沿って配置する。前記処理領域P1のBTBASガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル2の外側に設けられた排気口61を設けると共に、この排気口61を覆い、基板載置領域24の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト7を設ける。この排気ダクト7には、基板載置領域24の少なくとも内縁側の位置に第2の排気用開口部が設けられており、第1の処理ガスノズル31から吐出されたBTBASガスは、この第2の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハWの径方向に高い均一性を持ってBTBASガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板3の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板3の下面に近接して配置された遮蔽板12は、ガス導入口9を反応空間Kの内側に臨ませる開口部13を中央部に有する基材12aと、この基材12aの下面を被覆する薄膜12bとを有し、薄膜12bの表面は、基材12aの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段8により加熱されて遮蔽板12が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板12の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 (もっと読む)


【課題】大気圧近傍の処理空間内に雰囲気ガスが流入するのを抑制又は防止し、処理ガスへの不純物混入を低減するプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】第1電極11の平面状の放電面11aと、円筒形状の第2電極21の周面との間に処理空間90を形成する。第2電極21を軸線のまわりに回転させて被処理物9を搬送する。第1電極11の一側部に処理ガスの吹出し部30を配置する。第1電極11の他側部に遮蔽部材50を配置する。遮蔽部材50を放電面11a又はそれを覆う固体誘電体層12の処理空間画成面よりも第2電極21に向けて突出させ、その突出量hを処理空間90の最も狭い部分90aの厚さgより大きくする。 (もっと読む)


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