【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器４の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室２と、減圧容器４の外部から、減圧容器４に設けられた真空窓１５を介してプロセス室２に接続される変換器３Ａ，３Ｂとを有する製膜装置１であって、真空窓１５の両面に、プロセス室２の容器と変換器３Ａ，３Ｂの容器を、真空窓１５に対して定位置に位置決めするガイド板５１，５２を設けた。このガイド板５１，５２は、真空窓１５の両面に、プロセス室２と真空窓１５との間、および変換器３Ａ，３Ｂと真空窓１５との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮを含む半導体の形成で、高品質・高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともＩｎＧａＮを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のＮ源とＩｎ源とを反応させ、ＩｎＮ源を生成する第１のステップと、前記気相成長装置内で、第一のＮ源とは異なる第二のＮ源とＧａ源とを反応させ、ＧａＮ源を生成する第２のステップと、前記第１のステップで生成された前記ＩｎＮ源と、前記第２のステップで生成された前記ＧａＮ源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第３のステップとを有する気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ放電部を複数並べて任意の大きさの試料に対応できるように放電面積を拡大する場合であっても、単位あたりの電力コストを増加することなく、均一なプラズマ生成が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波信号回路１３及び高周波電力回路１１を有する高周波電源と筐体２１と放電電極２とを備えたプラズマ処理装置において、筐体２１内に設置された放電電極２と高周波電力回路１１とでプラズマモジュールを構成し、複数個並列接続されたプラズマモジュールに高周波信号回路１３からの周波数信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れた放電電極および放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】従来の電極の部分を導電性の粉体５に替えることで、温度影響による電極剥がれを防止することができる。また、従来の誘電体バリアの部分を、セラミックあるいは石英で形成され、粉体５を収容可能に構成した筒６に替えることで、筒６と粉体５との間に隙間が生じにくいので、放電電圧が上昇しにくく、発熱しにくくなる。また、筒６がセラミックあるいは石英で形成されているので、耐熱性に優れ、ピンホールもなく、非常に長寿命が期待できる。その結果、電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れたプラズマ用電極１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能の光電変換装置を製造するための結晶質シリコン光電変換層の製膜条件設定方法を提供する。
【解決手段】製膜条件候補に対してＳｉＨ_４流量を増加させて結晶質シリコンからなる光電変換層９２を形成し、該光電変換層９２の高輝度反射領域の面積割合及び基板面内分布を取得する。分布が均一である場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、分布が不均一である場合放電電極の各給電点に供給される高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。また、予め取得した任意のラマンピーク比を有する光電変換層９２についてＳｉＨ_４流量の変化量と高輝度反射領域の面積割合との相関関係に基づいて光電変換層９２のラマンピーク比を取得する。取得したラマンピーク比が設計値を満たす場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、ラマンピーク比が設計値から外れる場合ＳｉＨ_４流量、ＳｉＨ_４分圧または高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。
【解決手段】プラズマ処理システムは、電力バス及び接地バスと、正相一次電極バス及び負相一次電極バスと、正相二次電極バス及び負相二次電極バスとを含む。電力バス及び接地バスは、負相二次電極バスに、正相二次電極バスに供給されるＲＦ信号と１８０度位相がずれたＲＦ信号が提供されるように、絶縁トランスにより二次電極バスに結合される。二次電極バスは、コンデンサーにより各正相一次電極バス及び負相一次電極バスに結合される。一次電極バスのそれぞれは、真空チャンバー内の電極に結合される。一次電極バスをＲＦ接地に結合する負荷コイルが、コンデンサーと協働して、電力バスでの入力インピーダンスを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成により、放電電極と対向電極との間隔を正確に設定可能にし、安定した製膜品質を得るとともに、製膜処理を施す基板の生産性を向上させる。
【解決手段】製膜装置１（真空処理装置）は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２の内部に設けられた放電電極面４ｂを有する放電電極４と、真空チャンバ２の内部に設けられて、放電電極面４ｂとの間に所定の電極面間隔Ｃを介して平行に対向する対向電極面５ｂを有する対向電極５と、対向電極５を駆動して電極面間隔Ｃを変更する電極駆動機構１５と、電極面間隔Ｃを決定するとともに、真空チャンバ２内の真空状態を維持しながら真空チャンバ２の外部から電極面間隔Ｃの設定を調整可能な電極面間隔調整装置２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】水分の透過を防止する絶縁性を有する配管の外周面のＤＬＣ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）に関して、配管にＰＳＩＩ法（プラズマソースイオン注入法）を用いてＤＬＣ膜をコーティングする配管のＤＬＣ膜コーティング方法、及びＤＬＣ膜コーティング方法を用いてコーティングした配管、並びに、ＤＬＣ膜コーティング方法を実行するＤＬＣ膜コーティング装置を提供する。
【解決手段】絶縁性を有する配管２の中空部に電極６を挿入した状態で真空容器３の内部に設置し、前記真空容器の内部に減圧状態で炭化水素ガスを充填し、プラズマを発生させるための負の低電圧のプラズマ発生電圧を前記電極に印加した後に、前記プラズマ中のイオンを加速させるための負の高電圧のイオン加速電圧を前記電極に印加して、絶縁性を有する配管の外周面にＤＬＣ膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】 導電回路と電極部材との接続部の信頼性を高めた封止講造を有するウェハ保持体を提供する。
【解決手段】本発明のウェハ保持体は、ウェハ保持体の内部に埋設された導電回路と該導電回路に給電するための電極部材との電気的接続部を、環状部材と封止部材とによって封止する構造であって、該環状部材の内径が環状部材の厚み方向に一定ではないことを特徴とする。前記環状部材の最小内径は、該環状部材の厚み方向のウェハ保持体のセラミックス基板側にはないことが好ましい。また、前記環状部材のウェハ保持体側の内径は、前記電極部材の外径より０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下大きく、前期環状部材の最小内径は、前記電極部材の外径より０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下大きいことが好ましい （もっと読む）

【課題】 気密性が問われる真空チャンバの信頼性が高く、作業性よく真空隔壁に設けることができる低コストの真空処理装置用の端子ユニットを提供する。
【解決手段】 真空隔壁たる真空フランジ１と、この真空フランジの片面に接合した板状の絶縁体３と、この絶縁体表面に接合した板状の導体４とを備える。真空フランジの他面側から真空フランジ及び絶縁体を貫通して導体に通じる孔部６が形成され、この孔部を通して真空隔壁の他面側外方に突出する接続端子７を前記導体の孔部側に設けてなる。この場合、導体が絶縁体表面に並べて夫々接合された複数個の板状の導体片４１から構成され、隣接する導体片相互間に所定の間隙４２を有して各導体片が縁切りされている。 （もっと読む）

【課題】耐絶縁性を向上させながらも、低電圧で安定的にプラズマ放電を行うためのプラズマ電極を提供する。
【解決手段】複数の貫通孔を有する金属基板２枚が平行に配設されたプラズマ電極１０であって、該金属基板１３，１４の対向する面には、ブラスト加工、エッチング、プレス、電鋳加工などの表面加工により１〜５００μｍの凹凸が形成され、その上にコーティング層１６が形成されており、前記２枚の金属基板に形成された貫通孔１１，１２は、その表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ０_２などの絶縁膜１７が形成されている。コーティング層１６は、金属基板１３，１４の上にＢａＴｉＯ_３などの強誘電体薄膜が形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素とシリコン酸化物の特性を兼ね備えた非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を均一且つ迅速に成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】対向配置された保持電極１と印加電極２を有する電極体１０との間に原料ガスを含む混合ガスＧ₀を供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて電極体１０と保持電極１との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極２に交流電圧を印加する。これにより、保持電極１に保持された被成膜体Ｗと電極体１０との間でグロー放電プラズマを発生させ、被成膜体Ｗに非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を成膜する。原料ガスは、炭化水素系ガスと有機シラン系ガスと酸素源ガスとを含む。原料ガス中、有機シラン系ガス：酸素源ガス＝９９．９：０．１〜０．１：９９．９であり、且つ、炭化水素系ガス：有機シラン系ガス＋酸素源ガス＝１：９９〜９９：１の混合比で構成されている。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）