【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体１０２を、減圧かつ電気的に接地された反応容器１０１の内部に設置し、電源１０７から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器１０１との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体１０２の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材１０８を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分１１３の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 （もっと読む）

【課題】電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れた放電電極および放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】従来の電極の部分を導電性の粉体５に替えることで、温度影響による電極剥がれを防止することができる。また、従来の誘電体バリアの部分を、セラミックあるいは石英で形成され、粉体５を収容可能に構成した筒６に替えることで、筒６と粉体５との間に隙間が生じにくいので、放電電圧が上昇しにくく、発熱しにくくなる。また、筒６がセラミックあるいは石英で形成されているので、耐熱性に優れ、ピンホールもなく、非常に長寿命が期待できる。その結果、電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れたプラズマ用電極１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行うロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側での、プラズマ端部の影響を低減して、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段が電極対の間でプラズマを生成する領域の、基材搬送方向の上流側および下流側の少なくとも一方の端部に配置される絶縁性のプラズマ抑制部材２４を有する。 （もっと読む）

【課題】基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】薄膜層を基材の両面に成膜することで効率良く良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー９０内において長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、当該基材１００上に連続的に薄膜層を形成するプラズマＣＶＤ成膜装置１であって、第１成膜ロール３１が基材１００の一方の面１００ｂで当該基材１００を巻き掛けることにより、基材１００の他方の面１００ａに第１薄膜層が成膜され、第２成膜ロール３２が基材１００の他方の面１００ａで当該基材１００を巻き掛けることにより、基材１００の一方の面１００ｂに第２薄膜層が成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜処理において、従来に比べて大面積の成膜用基板を、効率よく成膜する。
【解決手段】プラズマを用いた成膜装置は、成膜用基板が配置される成膜空間を備える成膜チャンバと、前記成膜空間に導入された成膜用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成ユニットと、を有する。前記プラズマ生成ユニットは、プレートであって、前記プレートの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔それぞれの両側の開口の周りに設けられた電極対と、を備えたプラズマ生成プレートと、前記貫通孔それぞれの中でプラズマを生成するために、前記電極対にプラズマ生成電圧を供給する電源と、前記プラズマ生成電圧の供給を前記電極対毎に制御する制御ユニットと、を有する。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の処理空間内に雰囲気ガスが流入するのを抑制又は防止し、処理ガスへの不純物混入を低減するプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】第１電極１１の平面状の放電面１１ａと、円筒形状の第２電極２１の周面との間に処理空間９０を形成する。第２電極２１を軸線のまわりに回転させて被処理物９を搬送する。第１電極１１の一側部に処理ガスの吹出し部３０を配置する。第１電極１１の他側部に遮蔽部材５０を配置する。遮蔽部材５０を放電面１１ａ又はそれを覆う固体誘電体層１２の処理空間画成面よりも第２電極２１に向けて突出させ、その突出量ｈを処理空間９０の最も狭い部分９０ａの厚さｇ_０より大きくする。 （もっと読む）

【課題】多数の基材に対して一度に成膜を行う、絶縁膜の堆積に伴う動作の不安定をきたさず、長時間に亘って使用しても安定した成膜を行うプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備え、複数の自転保持部４の各々は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された第１の群１８と、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される第２の群１９とに分けられ、互いに異なる極性とされた第１の群１８の基材と、第２の群１９の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】密着層とガスバリア層とをインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供する。
【解決手段】基材であるプラスチックフィルム１上にプラズマ化学的気相成長法により形成された酸化珪素からなる密着層２とガスバリア層３とを形成する際、基材１が走行する金属ロール電極と、対向電極として、面内に、Ｓ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した円弧状の接地電極とを備え、前記電極間に、例えばヘキサメチルジシロキサンおよび酸素を導入して、処理空間内の圧力を０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下として、１０ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の高周波を印加し、基材１表面に、密着層２を形成し、さらにその上に酸化珪素ガスバリア層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、品質に優れたＣＶＤ皮膜を生産性良く成膜する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、この真空チャンバ４内に一対配備されると共にそれぞれが交流電源６のいずれかの極に接続された成膜ロール２とを備え、前記一対の成膜ロール２、２に巻き掛けられた基材Ｗの表面にプラズマを発生させて成膜を行うプラズマＣＶＤ装置１であって、一対の成膜ロール２、２の間に在する対向空間３に形成される第１成膜エリア１９と、対向空間３以外の成膜ロール２の表面に形成される第２成膜エリア２０と、の双方で成膜が行われることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 切削工具はアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。または、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層の表面にアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。
ＤＬＣ被膜および中間層が直流プラズマＣＶＤによって形成されたものである。処理容器内に切削工具からなる処理物を置き、処理容器を真空状態にし、直流プラズマＣＶＤ装置を用いて、アルゴンガスと原料ガスとの混合ガスを流入させながら、前記ガスをプラズマ化して処理物に作用させ、アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。または、アルゴンガスとシリコンガスとの混合ガスを流入させながら、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層を処理物の表面に形成させた後に、前記アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、真空チャンバの内部、特にガス供給部にプラズマが当たってフレークが発生することを抑制し、フレークの混入がなく品質に優れたＣＶＤ皮膜の成膜を可能とする。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、真空チャンバ４内を真空排気する真空排気手段５と、真空チャンバ４内に配備されると共に成膜対象である基材Ｗが巻き掛けられた成膜ロール２と、真空チャンバ４内に原料ガスを供給するガス供給部７と、成膜ロール２の表面近傍にプラズマ発生領域１６を形成し、成膜ロール２に巻き掛けられた基材Ｗに成膜を行うプラズマ電源６と、を備えたプラズマＣＶＤ装置１であって、ガス供給部７が、プラズマ発生領域１６に対して成膜ロール２を挟んだ反対側に位置するプラズマ非発生領域１５に設けられていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能であり、かつ反りが軽減された積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の両方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、前記薄膜層の膜厚方向における前記薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が特定の条件を満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有し、さらに珪素以外の半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる元素を少なくとも１種以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】優れた基材とガスバリア層との密着性を有し、インラインでの処理が可能な高い生産能率のガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１００上に中間密着層１０１とガスバリア層１０２とを形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、基材が走行する金属ロール電極と、対向電極としてＳ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した接地電極とを備え、両電極間の最短距離を特定範囲としたＲＩＥ処理装置を用い、前記電極間に、酸化用ガスを含む処理ガスと、気化した有機シリコン化合物を導入して、処理空間内の圧力を０．５〜２０Ｐａとして、３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波を、特定値以上となるように印加し、基材表面に厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層面上にガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基材を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う装置において、プラズマによる基材の損傷を防止して、プラズマＣＶＤによる成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜電極を囲むアースシールドの少なくとも上流側を、成膜電極よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 均一成膜及び成膜面積の大面積化を可能とし、基材表面の全面への同時成膜を可能とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、成膜炉１と、送り出しリール２１と巻取りリール２２とからなる一対の回転電極リール２と、プラズマ電源３と、原料ガス供給手段４と、排気手段５と、を備える成膜装置を用いたプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって、リール間基材部６３の全面が原料ガスに接するように導電性基材６を該送り出しリール２１から送り出し該巻取りリール２２で巻取りながら、該プラズマ電源３から該回転電極リール２に負電圧を印加して該リール間基材部６３の該基材表面に沿ってプラズマシースＰを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースＰで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成する。 （もっと読む）