【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置５は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部５０と、マイクロ波出力部５０から出力されたマイクロ波を処理容器２内へ導入するアンテナユニット６０と、アンテナユニット６０により導入されたマイクロ波を処理容器２内に放射するマイクロ波放射モジュール８０と、を有している。マイクロ波放射モジュール８０は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板８１と、導体部材としてのカバー部材８２とを有している。カバー部材８２は、マイクロ波透過板８１を介して処理容器２内に導入されるマイクロ波がウエハＷの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 （もっと読む）

【課題】低透過性の高いガスバリアフィルムを成膜することが可能な成膜装置、成膜方法を提供すること、および低透過性の高いガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、基材８１の成膜面８１０にガスバリアフィルム８２を成膜する。成膜装置１は、基材８１が配置されるプラズマ生成室２０と、プラズマ生成室２０に露出する誘電体２１と、を有する減圧容器２と、プラズマ生成室２０に原料ガスを供給する原料ガス供給部５０と、プラズマ生成室２０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部５１と、マイクロ波ＭＷをプラズマ生成室２０に導入するスロットアンテナ３と、誘電体２１と基材８１との間に配置され負のバイアス電圧が周期的に印加される加速部材４と、ガスバリアフィルム８２を成膜する際に基材８１を冷却する冷却部材４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、Ｘ方向の一端部から他端部に高周波電流Ｉ_R が流されるアンテナ３０を備えている。アンテナ３０の下面３３に、上下方向の凹凸を付け、かつアンテナ３０のＸ方向における中央部よりも両端部付近に凸部３５を多く配置している。アンテナ３０の下方に、アンテナ３０とプラズマ５０との間の電界を遮蔽するくし型のシールド導体６０を備えている。シールド導体６０は、Ｙ方向に平行な線状導体６２をＸ方向に複数有しており、かつ当該複数の線状導体６２のＹ方向の一端部を電気的に並列接続する電気的に接地された接続導体を有している。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に膜厚及び膜質が均一な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ２６にウエハＷを載置し、シャワーヘッド９に高周波を供給してサセプタ２６との間にプラズマを生成し、ウエハＷに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド９を内側電極部９１と外側電極部９２に分割するとともに、シャワーヘッド９全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成し、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、品質に優れたＣＶＤ皮膜を生産性良く成膜する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、この真空チャンバ４内に一対配備されると共にそれぞれが交流電源６のいずれかの極に接続された成膜ロール２とを備え、前記一対の成膜ロール２、２に巻き掛けられた基材Ｗの表面にプラズマを発生させて成膜を行うプラズマＣＶＤ装置１であって、一対の成膜ロール２、２の間に在する対向空間３に形成される第１成膜エリア１９と、対向空間３以外の成膜ロール２の表面に形成される第２成膜エリア２０と、の双方で成膜が行われることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基材を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う装置において、プラズマによる基材の損傷を防止して、プラズマＣＶＤによる成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜電極を囲むアースシールドの少なくとも上流側を、成膜電極よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１が載置されたチャンバ４内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板１１の周囲からチャンバ４内のアノード１に向けて電子を放出させてチャンバ４内にプラズマ１４を発生させ、基板１１上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、シャワー板及び不必要な部分でのプラズマ発生を抑制するために設けられる部材であるアースシールドに適用可能であり、かつクリーニング時にサンドブラスト処理を行ってシャワー板及びアースシールドが変形しても、初期の形状に戻して再利用が可能であり、電極用部材の交換コストを低減させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空容器２２中に、基板保持電極５０と高周波電極４０とを対向して設け、高周波電極４０の表面側に複数の小孔２を有するシャワー板１を設け、いずれかの電極５０，４０に高周波電圧を印加し、小孔２を通して原料ガスを導入して基板３をプラズマＣＶＤ法で成膜処理するプラズマＣＶＤ装置において、シャワー板１は、形状記憶合金で形成されているとともに、シャワー板１は、成膜による付着物が機械的手段によって除去され、かつ熱処理手段によって初期の形状に戻るものである。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

【課題】製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に発生させたプラズマにより原料ガスを分解し、基板上にアモルファスシリコン膜を製膜するＣＶＤ装置であって、チャンバと、基板が載置される基板載置部と、載置された基板の温度が製膜に適した温度になるように温度調節可能な基板ヒーター部とを有するアノード電極と、前記基板載置部に載置された基板に対向する位置に設けられるカソード電極と、前記カソード電極と基板載置部との間に設けられ、開状態で基板載置部に載置された基板とカソード電極との対面を許容し、閉状態で基板とカソード電極との対面を遮断するシャッター部と、を備えており、前記シャッター部には、基板の温度に応じた温度に調整可能なヒーター部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、皮膜の脱落や基材への傷つきを防止した上で、成膜ロールの端部に皮膜が形成されることを防止する遮蔽部材を容易に交換できるようにする。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置１は、真空チャンバ３と真空チャンバ３内に配備されると共に電源４の両極が接続され且つ各々に成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる成膜ロール２と成膜ロールの端部９をプラズマから遮蔽する遮蔽部材５とを備えたものであり、遮蔽部材５は成膜ロールの端部９表面の周方向に沿うような湾曲形状で成膜ロール２とは別の部材とされていて、遮蔽部材５と成膜ロール２とは一定のクリアランス１０を有するように配備されると共に互いが同電位に保持されていて、このクリアランス１０はシート状の基材Ｗが差し込み可能であると共にプラズマ１１が成膜ロール２の端部側まで進入することを防止可能な距離に設定されている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶や太陽電池などの製造において、プラズマＣＶＤ装置の大面積化の要求のため、大面積の領域に均一なプラズマを発生させて、高周波電極の隅部での膜厚増加を抑え、プラズマの成膜領域の全面積で均一な成膜厚を実現する。
【解決手段】大面積基板に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１内に被成膜処理を行う基板６を戴置する基板電極４と、これに対向する高周波電極５と、高周波電極５に高周波電力を供給する高周波電力部２と、真空容器１内に成膜ガスを供給するガス供給部３と、高周波電極５を囲むように設けられたシールド電極１０と、高周波電極５の隅部を覆うように、基板電極４に対向して設けられたコーナープレート１１とを備える。 （もっと読む）