【課題】ガスをベント管側へ流すことなく安定化した流量のガスを処理容器内へ導入することが可能なガス供給装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを供給するガス供給装置４０において、処理容器に接続されてガスを流すためのガス通路４８と、ガス通路に介設された流量制御弁６４と、流量制御弁よりも下流側のガス通路に介設された開閉弁機構６８と、流量制御弁と開閉弁機構との間のガス通路である中間ガス通路７２内の圧力を検出する圧力検出部７４と、圧力検出部の検出に基づいて流量制御弁を制御することにより中間ガス通路内の圧力を処理容器内の圧力の２倍以上の一定値になるように制御する弁制御部７６とを有するガス供給系４２を備える。 （もっと読む）

【課題】ガスと蒸発材料との接触を促進する方法及び装置を提供する。
【解決手段】蒸発器（１１０)から蒸発器（１１０)に結合された処理設備（１２０)に所望のガスを送出するシステム（１００)を含む、ガスと蒸発材料との接触を強化する装置及び方法。蒸発器（１１０)が、材料を蒸発させ、蒸発器（１１０)に結合されたガス源（１３０)からガスを受けとり、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備（１２０)に送出するのを助ける。蒸発器（１１０)が、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるために、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発すべき材料を支える。蒸発器（１１０)が、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進することにより、比較的より高い流量で、得られたガスを処理設備（１２０)に送出するのに使用されることがある。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図２に示すように、処理室２０９の外壁２０５とインナーチューブ２０６の間にガス導入空間２１０を設け、このガス導入空間２１０内に誘導加熱するための加熱体２０７を設けている点にある。これにより、ガス供給部２１１から供給される原料ガスは、まず、処理室２０９の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間２１０内に導入され、このガス導入空間２１０に設けられている加熱体２０７によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間２０５を設けているので、表面積の大きなガス導入空間２０５の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室２０３に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室２０３に導入されるガスと、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハＷＦ上に形成される膜の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いＮｉ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でＳｉ基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート（但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。）とＨ_２とＮＨ_３とをこの真空槽内に導入し、ＣＶＤ法でＮｉ膜を形成する方法であって、成膜温度が２８０℃より高く３５０℃以下であること。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に、プラスチック成形体との高い密着性（特に、耐水性）を有するガスバリア薄膜を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法は、プラスチック成形体９１の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、構成元素としてＡｌ及びＯを含有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体の製造方法において、プラスチック成形体を収容した真空チャンバ６の内部に、水素ガスを供給して、プラスチック成形体の表面を還元する水素処理工程と、Ａｌ源原料ガスを供給して、Ａｌ源原料ガスを発熱した発熱体に接触させて、Ａｌ源原料ガスを分解して化学種を生成させ、プラスチック成形体の表面に化学種を到達させることによって、ガスバリア薄膜を形成する成膜工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器２０と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部６０と、反応ガスを供給する反応ガス供給部９０と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部５２と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部６２と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部６６と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を１８３℃以上３００℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積（Ｓ；ｃｍ^２）と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間（ｔ；秒）との積（Ｓ×ｔ；ｃｍ^２・秒）が７５０ｃｍ^２・秒以上２５００００ｃｍ^２・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置および蒸着膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガス加熱装置９で加熱された原料ガスＧを加熱室１３内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室１３内の基板Ｋに蒸着させる熱ＣＶＤ装置であって、上記ガス加熱装置９が、上記加熱室１３内に導入する原料ガスＧに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル３３と、上記交番磁界が与えられた原料ガスＧに電磁波を照射する電磁波発生用コイル３１とを備えるとともに、電磁波発生用コイル３１の軸心に、原料ガスＧを加熱室１３内に導入するガス導入管５を設け、このガス導入管５を通過する原料ガスＧに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスＧを加熱する。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図ることができるコールドウォール型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを化学反応させることにより、テープ状基材の表面に超電導層を成膜するＣＶＤ装置において、原料ガスを１０ｍ／ｓ以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、サセプタを加熱するヒータと、ヒータが原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部とを有する反応室に、原料ガス噴出部から噴出された原料ガスをテープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、サセプタから所定間隔だけ離間して配設する。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ガス配管部材内でのガスの液化を低減できるガス配管部材を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体基板を処理するガスを供給するためのガス配管部材であって、前記ガスを内側に通過させる内管と、前記内管の外壁に接触しながら前記内管の長手方向に延びたヒータと、前記内管及び前記ヒータの外側に前記内管と同軸に配され、端部が前記内管側に傾斜し前記内管と接続される傾斜部を有する外管と、前記内管と前記外管との間に配された断熱材とを有し、前記ヒータは、前記傾斜部を貫通し他のガス配管部材のヒータと接続できるように構成されていることを特徴とするガス配管部材が提供される。 （もっと読む）