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Fターム[4K030KA26]の内容

CVD (106,390) | 反応装置 (11,046) | 加熱、冷却装置 (2,182) | 冷却 (383)

Fターム[4K030KA26]に分類される特許

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【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造31は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Wを載置するようにして支持する支持台33と、円筒状の部材であって、支持台33の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部32と、支持台33内に設けられるヒータ36とを備える。支持台33は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部32は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台33の内部であって、シャフト部32の一方端部が支持台33に取り付けられる連結部40に対して距離を開けて連結部40の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部41が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び/または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第1の温度に制御する第1の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第1の温度よりも低い第2の温度に制御する第2の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】300℃以上かつガラスの歪点より低い第1加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第1成膜工程と、第1加熱温度より高い第2加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第2成膜工程とを備える。また、第2成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のMOCVD装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器12は材料ガス供給室23,24と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器21と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口25,26を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口31,32を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口31,32から材料ガス流入開口26,26への見通し経路を有しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】フロント壁9の内壁面及びリア壁11の内壁面に、片側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有しかつ基板を冷却する冷却パネル41が垂直にそれぞれ配設され、天井壁15の内壁面における隣接する各基板エリアA間に、両側に基板Wから輻射熱を吸収可能な吸収面63fをそれぞれ有しかつ基板Wを冷却する複数の中間冷却パネル63が垂直に吊設され、中間冷却パネル63がその上端側の水平な揺動軸心C周りに揺動可能になっていること。 (もっと読む)


【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第1の材料ガス及び第2の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第1の材料ガス供給室及び第1の材料ガス供給室の上部に設けられた第2の材料ガス供給室と、第1の材料ガス供給室に隣接して第1の材料ガス供給室の下部に設けられた第1の冷却ジャケット及び第1の冷却ジャケットの下部に配された第2の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第1の材料ガス供給室に連通して第1の材料ガスを噴出する第1の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第2の材料ガス供給室に連通して第2の材料ガスを噴出する第2の材料ガス通気孔と、を有する。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】サイド壁13の内壁面に、片側に吸収面51fを有しかつ基板Wを冷却する一対の冷却パネル47が垂直に配設され、サイド壁13の内壁面における一対の冷却パネル47の間に、両側に吸収面63fをそれぞれ有しかつ基板Wを冷却する複数の中間冷却パネル59が垂直に配設され、サイド壁13をチャンバー本体7の一側面側に対して着脱すると、各冷却パネル47が前端部側の基板エリアAとフロント壁9又は後端部側の基板エリアAとリア壁11との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネル59が各隣接する基板エリアA間に対して進退するようになっていること。 (もっと読む)


【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第1のガスを第1の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第2のガスを第2の処理領域内に供給し、第1の処理領域及び第2の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第1のガス及び第2のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 基板を加熱するためのヒータに通電する電流導入端子が、冷媒を導入する冷却容器に備えられた構成を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、ヒータからの熱が電流導入端子を介して気相成長装置の各部品に拡散することを、効果的に抑制できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電気絶縁された電流導入端子の少なくとも一部を厚さ0.1〜1mmのフッ素樹脂膜で被覆し、該フッ素樹脂膜を介して該電流導入端子を冷媒により冷却できる構成とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に効率よく三族窒化物半導体の膜を生成し、かつ生成膜の均一性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体結晶成長装置100は、窒素含有ガス供給口8と三族金属含有ガス供給口9と、窒素含有ガス6を分解して活性種を生成する触媒材料1と、を備えており、触媒材料1は、窒素含有ガス供給口8の内部等に設けられており、窒素含有ガス供給口8および三族金属含有ガス供給口9は、何れも基板面に正対している。 (もっと読む)


【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第1の開口寸法を有する一又は複数の第1の開口部、及び前記第1の開口寸法よりも小さい第2の開口寸法を有する複数の第2の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第1の開口部と、隣のバッフル板の前記第1の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から2倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板(4インチ基板、6インチ基板)の表面に、1000℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部の鉛直方向に仕切られた複数枚のガス仕切板の間隙から原料ガスを供給する方法において、基板に最も近接するガス仕切板の先端部の温度を300〜700℃に設定し、かつ基板に最も近接するガス噴出口から噴出する原料ガスのガス仕切板の位置における線速が、0.3〜3m/sとなるように原料ガスの供給を調整して基板の表面に窒化ガリウム層の形成を行なう方法とする。 (もっと読む)


【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部(サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等)が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】予め設定した配設方向の一端部側の基板エリアAとフロント壁9の壁面との間及び前記配設方向の他端部側の基板エリアAとリア壁11の内壁面との間に、片側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有しかつ基板Wを冷却する冷却パネル41がそれぞれ配設され、隣接する基板エリアA間に、両側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面57fを有しかつ基板Wを冷却する中間冷却パネル53が配設されたこと。 (もっと読む)


【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15%高い温度〜15%低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施する。 (もっと読む)


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