【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な炭素膜を、３次元形状の処理物に成膜する成膜装置，炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置１は、プラズマＣＶＤ法によってワークＷの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置１であって、真空槽１０と、ワークを保持する第一の電極２と、第一の電極２と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極２の外周に立設してもうけられた立設部３１を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極３と、第一の電極２，第二の電極３のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置２５，３５と、原料ガスを供給するノズル４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置は、真空チャンバと第１の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第１の電極に対向して配置された第２の電極上に被成膜基板が載置され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第１の電極における前記第２の電極に対向する第１の主面の反対側の第２の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、ｏｎ時間における第１の期間に第１の電力を有し、前記ｏｎ時間における前記第１の期間に続く第２の期間に第２の電力を有し、前記第１の電力は、前記第２の電力より５％以上高い。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が、電気的に正又は負のイオンの形態のプラズマ中に発生される化学種が、処理室に導入されかつ少なくとも二つの電極の間に置かれるターゲット基板によって選択的に誘引され、対応する電荷を持つ電極によって反発されるように、二次回路に直列に挿入されることを特徴とする装置に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザー散乱方式のパーティクルモニタでは、４５nmノード以降で課題となる３０nmレベルの微小なパーティクルを感度良く検出することが困難となる。
【解決手段】本発明によるパーティクルモニタは、プラズマ処理装置内に浮遊するパーティクルを集塵電極により積極的に集め、四重極リニアトラップ等を用いて特定の場所に蓄積し、これらを電気的に検出する、もしくは、レーザー散乱光を用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

一実施例に係る、基板上に均一に材料を形成する堆積装置が与えられる。本堆積装置は、エネルギー源と、当該基板と対向かつ離間する関係にある電極と、当該電極に連結したインターフェイス構造とを含む。インターフェイス構造は、当該インターフェイス構造を通り及びこれのまわりにある、エネルギー源からのエネルギーを当該電極と電気的に結合するべく構成される。これにより、エネルギー源からのエネルギーが当該インターフェイス構造に供給される場合に、当該電極と当該基板の所定面積との間に実質的に均一な電界が形成される。
（もっと読む）

プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、１つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
（もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態は、金属板及び基板が配置されるチャンバと、チャンバ内に原料ガスを導入する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させる第１プラズマ発生手段であって、前記原料ガスプラズマが前記チャンバ内において前記金属板と反応するように配置されている第１プラズマ発生手段と、チャンバ内に水素を含有する還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、前記還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段と、チャンバを所定温度に加熱するチャンバ加熱手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高効率で異物粒子を検出できるパーティクルカウンターを搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、被処理体を戴置するステージと、バタフライバルブとを備えたプラズマ処理装置において、該バタフライバルブがおおむね閉じた状態において、該バタフライバルブのブレード間に生じる間隙にパーティクルカウンターのレーザー光を通したことを特徴とするプラズマ処理装置
【効果】 パーティクルカウンターによる異物粒子の検出効率が高まるため、プラズマ処理装置の異物粒子による汚染度合いをより正確に把握できる。 （もっと読む）

【課題】
高ガスバリア性を実現すると同時に柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、製造装置、及び該製造方法又は該製造装置により得られるガスバリアフィルムを提供する
【解決手段】
製造方法を実行する反応室において、真空工程と、ガス供給工程と、電界発生工程と、フィルム搬送工程と、を備えてなり、電界発生工程が、給電電極と接地電極とを用いてなるものであり、接地電極が、フィルム搬送工程におけるプラスチックフィルム搬送方向に沿って搬送中のプラスチックフィルムの表面と接地電極の表面との間隔が変化するように、又は接地電極のインピーダンスがプラスチックフィルムの搬送方向に沿って変化するように、もしくは間隔とインピーダンスとが同時に変化するように、それらが設置されてなる構成を備えてなる、製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】
高ガスバリア性を実現すると同時に柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、製造装置、及び該製造方法又は該製造装置により得られるガスバリアフィルムを提供する
【解決手段】
製造方法を実行する反応室において、真空工程と、ガス供給工程と、電界発生工程と、フィルム搬送工程と、を備えてなり、電界発生工程が、給電電極と接地電極とを用いてなるものであり、接地電極が、フィルム搬送工程におけるプラスチックフィルム搬送方向に沿って搬送中のプラスチックフィルムの表面と接地電極の表面との間隔が変化するように、又は接地電極のインピーダンスがプラスチックフィルムの搬送方向に沿って変化するように、もしくは間隔とインピーダンスとが同時に変化するように、それらが設置されてなる構成を備えてなる、製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】対象物を加熱したり、対象物表面へ下地層を形成したりすることなく、低コストで炭素系膜を形成することが可能な炭素系膜の形成装置および形成方法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部５によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極７ａ，７ｂによりイオンビームを引き出して加速し、この引き出されたイオンビームを対象物Ｘ上へ照射することにより、対象物Ｘ表面の改質とこの対象物表面への炭素系膜の形成とを同時に行う。 （もっと読む）