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Fターム[4K030KA36]の内容

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【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板2に堆積させることにより膜を成長させる光CVD装置(成膜装置)1であって、光源13と基板2を保持する試料台(基板保持部)14の間に遮光板(遮光部材)20を配置する。遮光板20は、基板2の成膜面2aと対向する裏面20a、裏面20aの反対側に位置する表面20b、裏面20aおよび表面20bのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔21を有している。また、遮光板20の裏面20aと基板2の成膜面2aの距離C1は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 (もっと読む)


【課題】新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室11と、ステージ12と、製膜室11内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、被膜の形成によって製膜室11内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを製膜室11内に供給するクリーニングガス供給手段と、反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室11内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、ステージ12に対向して配置されるシャワーヘッド14と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源19a〜19cと、を備え、光源19a〜19cは堆積物が付着する製膜室11内の領域が照射されるように配置される。 (もっと読む)


【課題】大型基板上においても光による均一な処理を行うことの可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板32を載置する基板載置部33を備える処理室13と、処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部11と、処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓15と、前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部16と、処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口23を有するガス配管21と、処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられるように基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】容易かつ高精度に膜硬度を計測する膜硬度計測方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】QMS20により、放電中のプラズマにおけるイオン種を計測し、計測された電流値からH=1、C=12という事実を用いてイオン種の質量と定義し、この質量を、水素流量比0、パルス周波数20kHzという条件での値で除することでイオン種の総質量比として算出した。上記水素流量比及びパルス周波数の条件下でDLC膜が生成されると、チャンバ11内を大気圧に戻し、この生成されたDLC膜に対して、ラマン分光分析装置30によりレーザー光を照射し、散乱したラマン散乱光を検出することで生成膜中の規則性六員環の多さを示すDピークとGピークの積分強度比ID/IGを算出した。生成された各々のDLC膜の硬度を、QMS20により算出されたイオン種の総質量比と、ラマン分光分析装置30により算出された積分強度比と、に基づいて計測した。 (もっと読む)


【課題】非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ35を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器40との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 (もっと読む)


【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11が載置されたチャンバ4内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板11の周囲からチャンバ4内のアノード1に向けて電子を放出させてチャンバ4内にプラズマ14を発生させ、基板11上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置して、少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板を加熱する加熱手段の消費エネルギーを小さく抑えること。
【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にBTBASガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したBTBASガスを酸化させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、ウエハWを加熱してシリコン酸化膜を生成させるための加熱手段として、回転テーブル2の内周側から外周側に亘って帯状にレーザ光を照射するレーザ照射部201を用いる。 (もっと読む)


【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶90を成長させる際に、結晶90中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物33又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 (もっと読む)


【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板2が基板ステージ1上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ6を発生させて前記プラズマ6により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜7の製膜を行う製膜室Rと、前記微結晶シリコン膜7の結晶化率を、前記被処理基板2における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ1および前記被処理基板2を通して測定する測定手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるMOCVD装置を提供する。
【解決手段】本発明のMOCVD装置は、原料ガス38aを供給して基板33の被処理面に結晶を成長させ、基板33の被処理面に面した壁に、基板33の被処理面の中央部を望み得る窓30cを有する反応室30と、反応室30に設けられ、基板33を載置して回転(移動)させるための回転台(移動台)31と、回転台31によって回転する基板33の被処理面に、窓30cを介してレーザー光40aを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光40bを、窓30cを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板33の回転速度を計測するための第1の速度計測手段40と、第1の速度計測手段40による計測結果を処理して基板33の形状情報を出力するための処理手段41とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ビューポート内面への反応生成物の付着を効率よく防止することができ、気流の影響をより確実に抑制してレーザー光等による光学的な観察、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル13の基板対向壁13bに、ビューポート20を介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔13cを設け、前記基板対向壁とチャンバーの内側面との間に光路部24aを有する冷却手段24を配置し、該冷却手段と前記基板対向壁との間にパージガス流路25を設け、該パージガス流路内に、前記フローチャンネル内を流れる原料ガスAの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスPを流すためのパージガス導入手段25aを設ける。 (もっと読む)


【課題】基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ2と、載置台3と、載置台3の下方に、載置台3と間隙を設けて配設されたベースプレート9と、温度測定手段とを具備し、載置台3の上方が真空雰囲気とされ、載置台3とベースプレート9との間の間隙が常圧雰囲気とされるプラズマ処理装置である。載置台3の上面と下面とを温度測定手段の測定光が透過可能なように光学的に連通し、かつ、気密封止された温度測定用窓12〜15を設けるとともに、載置台3とベースプレート9との間に、これらを連結する連結部材30が設けられている。 (もっと読む)


【課題】薄膜の厚さや特性が均一になるように薄膜を形成し、さらに、薄膜の形成を効率よく行う。
【解決手段】成膜容器内に有機金属ガスを導入して、基板上に有機金属の成分を吸着させる。次に、成膜容器内に酸化ガスまたは窒化ガスを導入してプラズマを発生させ、基板に積層した有機金属の成分を酸化または窒化させる。プラズマを発生させたとき、基板上で発光する光の所定の波長の発光強度を、成膜容器に設けられた観測窓を介して検出する。検出した発発光強度が所定値以下になるとき、プラズマの発生を停止する。 (もっと読む)


【課題】ヒータに対して均一にパージガスを供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、気相成長を施す基板5を加熱するためのヒータ7と、基板5を保持するためのサセプタ6と、上記ヒータ7に対する基板の反対側において、上記ヒータの対面側の放熱を抑制するために互いに水平に設置された板状かつ複数の対面リフレクタ8a、8b、8cと、ヒータ7の側面側における放熱を抑制する側面リフレクタ9とを備えており、ヒータ7に対して基板5の反対側から、対面リフレクタへパージガスを供給するパージガス供給管13と、パージガスを排出する排出口3を備え、対面リフレクタ8a、8b、8cのそれぞれには、複数の通気孔が形成されており、上記対面リフレクタのうち、隣接する対面リフレクタに形成された複数の通気孔同士は対向しない位置に形成されている。 (もっと読む)


基板処理装置において、紫外線ランプ用のリフレクタを用いることができる。リフレクタは、紫外線ランプの長さに延在する長手方向のストリップを備える。長手方向のストリップは湾曲した反射面を有し、かつ冷却ガスを前記紫外線ランプに方向付けるために複数の貫通孔を備える。リフレクタを備えた紫外線ランプモジュールを使用するチャンバ、および紫外線処置の方法も記載される。
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【課題】CVDを用いて半導体ウェハに堆積させる層の厚さの均一性を改善するために簡単に実現することができる方法を提供する。
【解決手段】平面Eと窓5との間の距離Dは前記窓5の中央領域7において及び前記窓5の周辺領域8において外側が内側よりも大きく、かつ前記距離Dの半径方向のプロフィールの前記中央領域7と前記周辺領域8との境界部における接線は前記平面と共に15度以上でかつ25度以下の角度を形成するように選択することにより、堆積ガスが前記半導体ウェハ4に案内される速度を変更し、その際、前記窓5の中央領域7は前記半導体ウェハ4をカバーする前記窓5の内部領域であり、かつ前記窓5の周辺領域8は前記半導体ウェハ4をカバーしない前記窓の外部領域8であることを特徴とする、半導体ウェハ4に層を堆積させる方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜の抵抗率を低く抑えることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、処理室201内に原料ガスを供給して基板200上に吸着させる工程と、処理室201内の原料ガスを除去する工程と、処理室201内にアンモニアガスを供給して基板200上に吸着させる工程と、処理室201内のアンモニアガスを除去する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで基板200上に所定膜厚の薄膜を形成する工程と、を有する。前記アンモニアガスを供給する工程では、前記アンモニアガスが基板200上に吸着して前記アンモニアガスの光に対する吸収波長領域がレッドシフトした状態でランプ400により光を基板200上に照射して前記アンモニアガスに光を吸収させ、前記アンモニアガスを分解させて前記原料ガスと反応させ、前記薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 使用されるレーザビームの波長に制約を受けることなく、被加工物に対して十分な光量を有しかつ任意の断面形状を有するレーザビームを投射することが可能なレーザビーム投射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ光源(1)の出射光をDMD(2)のミラーアレイに照射し、その反射回折光を集光レンズ(3)と対物レンズ(4)で被加工物(8)に結像させる。ミラーアレイを通過した光が2本に分離しないよう、DMD(2)を適切な角度(β)に傾け、ミラーアレイを通過した光が2本に分離することなく、被加工物に効率的に伝送されるように構成する。 (もっと読む)


光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び/又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の1つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。
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【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 (もっと読む)


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