【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉１０のカメラ取り付け穴１８にカメラ１４を取り付け、反応炉１０内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉１０内にウェーハＷを搬入し、サセプタ１１上に載置する。このとき、ウェーハＷのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ１４で撮影する。そして撮影した画像からウェーハＷの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハＷと同一品種を処理する場合に、反応炉１０内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体１０２を、減圧かつ電気的に接地された反応容器１０１の内部に設置し、電源１０７から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器１０１との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体１０２の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材１０８を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分１１３の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 （もっと読む）

【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第１流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第２流量監視ユニットと、第１流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第１流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第２流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、バルブと、前記バルブに接続されている軸部と、ソレノイド部と、マイクロメータ部と、制御部と、を備えている。前記ソレノイド部は、前記軸部をソレノイド駆動によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整し、前記マイクロメータ部は、前記軸部に着脱自在に取り付けられるとともに、前記軸部に取り付けられた場合には前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整する。前記制御部は、前記マイクロメータ部を用いて前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部に取り付け、前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部から取り外す。 （もっと読む）

【課題】ガスをベント管側へ流すことなく安定化した流量のガスを処理容器内へ導入することが可能なガス供給装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを供給するガス供給装置４０において、処理容器に接続されてガスを流すためのガス通路４８と、ガス通路に介設された流量制御弁６４と、流量制御弁よりも下流側のガス通路に介設された開閉弁機構６８と、流量制御弁と開閉弁機構との間のガス通路である中間ガス通路７２内の圧力を検出する圧力検出部７４と、圧力検出部の検出に基づいて流量制御弁を制御することにより中間ガス通路内の圧力を処理容器内の圧力の２倍以上の一定値になるように制御する弁制御部７６とを有するガス供給系４２を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバのカバーの表面の温度を慎重に制御したとしても起こり得る欠陥の発生に対する改善策を提供する。
【解決手段】上方カバー２および下方カバー３を有する処理チャンバ１において気相成長法によって半導体ウエハ５の上に層を堆積する方法および装置が提供される。方法は、半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、上方カバーの温度は、上方カバーの外表面の中心において測定され、上方カバーの温度を制御する制御ループの制御変数の実際の値として使用され、方法はさらに、層を堆積するための処理ガスが処理チャンバを介して導入されるガス流量を設定するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御する際に堆積温度に加熱された半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】サセプタへのウェハ固着を防止する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体製造装置は、サセプタ、回転部、及び振動発生部が設けられる。サセプタは、チャンバ内に設けられ、ウェハを支持してウェハの成膜中に回転する。回転部は、サセプタに連結し、チャンバの内部及び外部に設けられ、サセプタを回転する。振動発生部は、成膜中にサセプタに振動を与える。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１の放射温度計の第１の温度検出手段と、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、温度を検出する第２の温度検出手段とを有し、前記第１の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第２の温度検出手段に切り替え、前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第１の温度検出手段に切り替え、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、加熱手段の制御を切り替える。 （もっと読む）

【課題】制御パラメータの測定値が、その基準値に対して偏差の上限値を超えた場合と偏差の下限値を超えた場合とで、状況に応じたエラー処理を選択できる。
【解決手段】基板を処理する基板処理室と、記憶部と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、記憶部は、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部と、制御パラメータの基準値を記憶する制御パラメータ記憶部と、制御パラメータの基準値に対する上限偏差値と下限偏差値を記憶するアラーム値記憶部とを備え、制御部は、プロセスレシピ記憶部に記憶したプロセスレシピを実行するプロセスレシピ実行部と、制御パラメータの測定値がアラーム値記憶部に記憶された上限偏差値と下限偏差値を超えたか否か判断し、上限偏差値を超えた場合と下限偏差値を超えた場合とで、異なる処理を実施するエラー処理部とを備える。 （もっと読む）