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Fターム[4K030KA45]の内容

CVD (106,390) | 反応装置 (11,046) | 装置構成部材 (1,536)

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【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器4の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室2と、減圧容器4の外部から、減圧容器4に設けられた真空窓15を介してプロセス室2に接続される変換器3A,3Bとを有する製膜装置1であって、真空窓15の両面に、プロセス室2の容器と変換器3A,3Bの容器を、真空窓15に対して定位置に位置決めするガイド板51,52を設けた。このガイド板51,52は、真空窓15の両面に、プロセス室2と真空窓15との間、および変換器3A,3Bと真空窓15との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 (もっと読む)


【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体215が誘電体窓207の下のエンクロージャ200内に配置される。RF電力アプリケータ240が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にRF電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置230、235が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル270が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 (もっと読む)


【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】2つのプラズマ発生部81、82を回転テーブル2の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部81、82とウエハWとの間にファラデーシールド95を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部81、82におけるアンテナ83と直交する方向に伸びるスリット97を各々のファラデーシールド95に設けて、各々のアンテナ83において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハW側に通過させる。 (もっと読む)


【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング15は4つのリング構成部品41〜44からなり、各リング構成部品41〜44の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部45が設けられ、一方向移動許容部46が全方位移動規制部45から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品41の固定端41aの端面が、隣接する他のリング構成部品43の自由端43bの側面に当接し、一のリング構成部品41の自由端41bの側面が、隣接する別のリング構成部品44の固定端44aの端面に当接するように、各リング構成部品41〜44が組み合わせられている。 (もっと読む)


【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート101と、ベースプレート101の上に設置されてベースプレート101の全面を被覆するベースプレートカバー103とを有する。ベースプレート101には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口6が設けられており、ベースプレートカバー103には、排気口6に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔107が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔107の端面109は、排気口6の端面110より突出している。ベースプレートカバー103は、ベースプレート101と対向する面に突起部108を有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液体前駆体物質を気化形成するための方法及び装置の提供。
【解決手段】この方法又は装置は、例えば、基板上に膜を形成するための化学気相堆積装置又はシステムの部分として使用することができる。この方法及び装置は、液体前駆体211及び拡散素子232を含むための容器218を準備することを含み、その拡散素子は、その容器の内側断面寸法に実質的に等しい外側断面寸法を有している。 (もっと読む)


【課題】CVD反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】CVD反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 (もっと読む)


【課題】薄膜がアンテナに付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置は、アンテナ1を備える。アンテナ1は、絶縁管1aと、導体1bと、伝熱材1cとを含む。絶縁管1aは、略U字形状を有し、Alからなる。導体1bは、略U字形状からなり、筒状部分1dを有する。筒状部分1dには、冷却水が流される。そして、導体1bは、絶縁管1a内に挿入される。伝熱材1cは、絶縁管1aと導体1bとの間に充填される。そして、伝熱材1cは、シリコン樹脂からなる。 (もっと読む)


【課題】大気圧センサ41が誤動作した場合にも処理室204外の大気が処理室204内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面温度のバラツキを抑え、基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜するための基板支持装置及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板支持装置100は、サセプタ101と、サセプタ101上に配置され基板105の一部を支持するスペーサ103と、サセプタ101及びスペーサ103上に配置され、基板105を収容する貫通孔104を備えるサセプタカバー102と、を有し、サセプタカバー102は、貫通孔104の所定位置に、スペーサ103を位置決めする位置決め部106を備える。 (もっと読む)


【課題】ウエハを均一に加熱することができ、かつヒータエレメントの寿命を伸ばすこと。
【解決手段】熱処理炉2は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、該処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面16aに設けられ被処理体Wを加熱するヒータ5とを備えている。上記ヒータ5は、円筒状の断熱材16の内周面16aに沿ってスパイラル状に配置されたヒータエレメント18を有している。ヒータエレメント18は帯状のものを波形に曲げ加工してなり、外側に突出する谷部18aと内側へ突出する山部18bとを有するコルゲート型のヒータエレメントからなる。谷部18aは谷部支持ピン部材20aにより支持され、山部18bは山部支持ピン部材20bにより支持されている。 (もっと読む)


【課題】 基板を保持する基板ホルダー、及び該基板ホルダーを回転自在に保持し外周に外部からの回転駆動力の伝達を受ける歯車部を有するサセプタが備えられた気相成長装置であって、歯車部等に破損が生じたとしてもサセプタ全体を交換することを要せず、温度むらを原因とした熱応力によるサセプタの破損を抑制できる気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 サセプタの歯車部がサセプタ本体から自由自在に分離できる構成、好ましくは円盤状部材とその外側に設けられたリング状部材からなるサセプタ本体及び歯車部からなる構成、あるいは歯車部が複数の円弧状部材からなる構成とする。 (もっと読む)


【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体42であって、円筒形状に形成された側壁部43を有し、該側壁部43が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層44の上部に設けられる冷却ガス供給口74と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層45と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路47と、前記側壁内層の内側に設けられる空間75と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔78と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部79と、を有する断熱構造体。 (もっと読む)


【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置及びこの装置を用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行うことが可能な気相成長装置であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部252が形成された枠体250と、開口部252を開閉する弁体266と、枠体250の開口部252周辺に設けられ、弁体266が閉じられた場合、弁体266が密着するシール部材256と、枠体250に設けられた開閉軸262と、開閉軸262を中心として回転するように設けられ、弁体266を移動自在に支持する支持体と、弁体266の開閉軸262が設けられた側よりも反対側がシール部材256に近づくように弁体266を付勢する付勢部材272と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ALD法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部80を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板11に開口部11aを形成し、この開口部11a内に筐体90を配置する。そして、この筐体90の内部に、回転テーブル2上のウエハWに近接するようにプラズマ発生部80を収納する。また、プラズマ発生部80とウエハWとの間にファラデーシールド95を設けて、プラズマ発生部80で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハWに到達させるために、当該ファラデーシールド95にスリット97を形成する。 (もっと読む)


【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。
【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。 (もっと読む)


【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管340を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒360のガス導入口342からガス予備加熱筒360内のガス流路374に流入する。ガス流路374を流れるガスが、ガス予備加熱筒360のガス導出口364へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル207が誘導加熱したインナーチューブ350が、ガス予備加熱筒360を加熱し、ガス流路374を流れるガスは均一に加熱される。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。
【解決手段】被処理基板100に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置1Aは、被処理基板載置部材5と、被処理基板載置部材5の表面5a上に設けられ、被処理基板載置部材5の上に載置された被処理基板100を上方支持することによって、被処理基板100と被処理基板載置部材5との間に隙間Sを形成する支持部材4と、被処理基板100に面するようにプラズマを生成することによって、被処理基板100にプラズマ処理を行なうプラズマ生成部と、を備える。 (もっと読む)


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