【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒータとしてＳｉＣヒータを用いてＧａＮ薄膜を気相成長させる気相成長装置において、ＳｉＣヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置１における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板２５の加熱手段としてＳｉＣヒータ１１を用い、ＳｉＣヒータ１１によって基板２５の温度を１０００℃以上に加熱して基板２５に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるＳｉＣヒータ１１のパージ方法であって、ＳｉＣヒータ１１をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、回転軸の耐久性の低下を抑制する。
【解決手段】成膜室１と、成膜室１内に成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド７と、成膜室１内において被処理基板３を加熱するヒータ６と、成膜室１内において被処理基板３が載置される回転可能なサセプタ４と、サセプタ４を支持し、サセプタ４に回転力を伝達する回転軸２５とを備える。回転軸２５は、この回転軸２５の軸方向に並んで一体に連結される複数の軸部材５１，２２，５３を含む。複数の軸部材５１，２２，５３の各々は、外径が拡径した継手部５１ａ，２２ａ，２２ｂ，５３ａを有する。複数の軸部材５１，２２，５３のうちの互いに隣接する少なくとも１組の軸部材５１，２２の継手部５１ａ，２２ａ同士は、この軸部材５１，２２の材料より熱伝導率の低い材料で形成された側面視平板状の環状部材２１を間に挟んで互いに連結されている。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器４の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室２と、減圧容器４の外部から、減圧容器４に設けられた真空窓１５を介してプロセス室２に接続される変換器３Ａ，３Ｂとを有する製膜装置１であって、真空窓１５の両面に、プロセス室２の容器と変換器３Ａ，３Ｂの容器を、真空窓１５に対して定位置に位置決めするガイド板５１，５２を設けた。このガイド板５１，５２は、真空窓１５の両面に、プロセス室２と真空窓１５との間、および変換器３Ａ，３Ｂと真空窓１５との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 （もっと読む）

【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも２相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第３の元素の中から選ばれる１種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第３の元素は、それぞれ酸化物換算で４０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、３５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
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【課題】 基板を加熱するためのヒータに通電する電流導入端子が、冷媒を導入する冷却容器に備えられた構成を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、ヒータからの熱が電流導入端子を介して気相成長装置の各部品に拡散することを、効果的に抑制できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電気絶縁された電流導入端子の少なくとも一部を厚さ０．１〜１ｍｍのフッ素樹脂膜で被覆し、該フッ素樹脂膜を介して該電流導入端子を冷媒により冷却できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】陽極及び陰極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極にアモルファス(非晶質)炭化ケイ素、及び陰極にアモルファス窒化ケイ素を高速で且つ安価に製膜する製法を提供する。
【解決手段】陽極にアモルファス(非晶質)ＳｉＣ、及び陰極にアモルファス(非晶質)Ｓｉ_３Ｎ_４を、電極リード金属性の基盤６に高速で製膜する製法として、大気圧プラズマ化学蒸着CVD法により、一般にプラズマ励起に用いられている電源周波数より高い、例えば550MHz（UHF帯）の高周波電源１０を使用して、安定なグロープラズマ４を発生させ、高密度に生成される反応種を利用した高周波(ＵＨＦ帯＞３００ＭＨｚ)成膜法を採用する。これにより電極３と基板７の間の小さなギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能となり。高速製膜を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供すること。
【解決手段】複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向において処理領域の間に位置する分離領域と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備える基板処理装置において、前記回転テーブルは、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成される。これによって加熱部から基板への熱伝導性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持されオリエンテーションフラット(23)を有する下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に、円弧状部(13)と弦状部(14)を含み、前記弦状部(14)の内壁は、前記オリエンテーションフラット(23)を前記下地基板(20)の中心軸を回転軸として３０°又は９０°の整数倍回転させた面に略平行な壁面(15)を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように上蓋に支持され、処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、ガス供給機構は、誘電体窓の周縁に沿って配設された周縁側ガス流路と、周縁側ガス流路に基端部が接続され、誘電体窓の中央方向に向かって延在する板体からなり、内部に配設され周縁側ガス流路に接続されたガス流路と、当該ガス流路に接続された複数のガス吐出口とを有する複数のフィン状ガス供給部とを具備し、フィン状ガス供給部は、延在方向に沿った回転軸の回りに回転可能とされている。 （もっと読む）

【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置及びパーティクルトラップにおいて、効果的にパーティクルを低減すること。
【解決手段】半導体基板Wを収容するチャンバ２と、チャンバ２内を減圧する減圧ポンプ７と、チャンバ２と減圧ポンプ７の間に設けられ、減圧ポンプ７の吸入流路Qを画定する管２３を備えたパーティクルトラップ２１とを有し、管２３の吸入側の開口端２３ｂを自由端にして、該開口端２３ｂの開放方向Dを調節自在にした半導体製造装置による。 （もっと読む）