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【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法(PECVD法)により形成された、SiOxCy膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜リチウム電池等に応用可能な電極用薄膜の製造方法、当該方法により製造される電極用薄膜、及び当該電極用薄膜を備える電池を提供する。
【解決手段】化学気相蒸着法により、電極用薄膜の原料を、550〜1000℃の基材に蒸着させる工程を有することを特徴とする、電極用薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】安価な支持体を用いて、低コストかつ高い生産性で、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムなど、高性能な機能性フィルムを提供する。
【解決手段】塗布による有機層と、気相堆積法による無機層とを積層してなる機能性フィルムにおいて、有機層のガラス転移温度が100℃以上、厚さが0.05〜3μmであり、かつ、この有機層を、塗料を5cc/m2以上の塗布量で塗布して、減率乾燥状態での粘度が20cP以上、表面張力が34dyn/cm以下となるようにして形成し、この有機層の表面に、プラズマの生成を伴う気相成膜法によって無機層を形成することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板上にZnOからなる透明導電膜を高効率で製造するZnO透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ZnO透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはDEZnの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 (もっと読む)


【課題】短時間のうちに簡便にガスバリア性を評価することを可能とする積層フィルムの検査方法を提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成され、少なくともケイ素、酸素および水素を含む薄膜層と、を備える積層フィルムの検査方法であって、前記薄膜層の29Si固体NMR測定を行って、ケイ素原子に結合する中性酸素原子の数ごとに前記薄膜層内のケイ素原子の存在比を求め、予め求めた、前記薄膜層のガスバリア性と前記ケイ素原子の存在比との対応関係に基づいて、前記薄膜層のガスバリア性を判定する積層フィルムの検査方法。 (もっと読む)


【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】CVD法を用いて、10kPa以下の圧力下で、基体温度が500℃以下、かつ、形成される膜におけるキャリア電子の移動度が極大値となる成膜温度にて、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、圧力10kPa以下の非酸化性雰囲気下にて、該成膜温度よりも20〜30℃高い温度で1分以上保持し、その後、圧力10kPa以下の非酸化性雰囲気下にて、少なくとも基体温度が300℃以下となるまで、平均冷却速度10℃/min以下で徐冷することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、ワークHの両側に配置され、ワークHに向かってマイクロ波が通過するスロット310Rを有するスロットアンテナ31L、31Rと、スロットアンテナ31L、31RのワークH側の表面を覆う誘電体32L、32Rと、誘電体32L、32R間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子PL、PRを生成するプラズマ生成室384を、内部に区画するチャンバー38と、プラズマ生成室384に配置され、ワークHの処理対象面HL、HRと誘電体32L、32Rとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ33L、33Rと、メッシュ33L、33Rに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源37と、電源37とメッシュ33L、33Rとの間のインピーダンスを調節する整合器36と、を備える。 (もっと読む)


【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマCVD装置1を用いて、処理用ガス供給装置3から第1処理用ガスを供給するとともに高周波電力源2から高周波電極6に第1周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極5との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板8のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第2処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第1周波数よりも高い第2周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。 (もっと読む)


【課題】プラスチックフィルムの表面粗さに左右されることなく、所望の水蒸気バリア性を確保できるバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上記バリアフィルムは、プラスチックフィルムで形成された基材11と、基材11の上に形成された紫外線硬化樹脂からなる下地層12と、下地層12の上にスパッタ法で形成されたSi−Cr−Zr系酸化物からなるバリア層13とを具備する。下地層12は、基材11の表面平坦度の改善を目的として形成され、バリア層13による基材表面の被覆性を高める。これにより、バリア層13の膜質が高まり、所望の水蒸気バリア性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が0.001〜3g/mの環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板200上に下電極を形成する工程(S104)と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む3種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程(S106、S108、S110)と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程(S112)と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 (もっと読む)


【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層(Ti化合物層)と上部層(Al層)からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ti化合物層側の結晶粒の数aと上記Al層側の結晶粒の数bとの比率b/aを切れ刃部においては0.8<b/a<1.2を満足し、さら上記Al層直下のTi化合物層の結晶粒の平均粒子径が0.1μm以下であり、逃げ面部およびすくい面部においては、4<b/a<20を満足し、さら上記Al層直下のTi化合物層の結晶粒の平均粒子径が0.1〜0.5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第1の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第2の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層(Ti化合物層)と上部層(酸化アルミニウム層)からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ti化合物層側の結晶粒の数aと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数bとの比率b/aは4<b/a<20であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のTi化合物層の結晶粒の平均粒子径は0.5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材100を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材100の成膜面100aに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材100の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第1の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第2の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第1の空間および第2の空間と重なるように基材100を搬送し、第1の空間または第2の空間を通過した後に、表面が基材100より柔らかい搬送ロール22,23で成膜面100aを保持しながら、基材100を搬送する。 (もっと読む)


【課題】新規な中間層を基材とDLC膜との間に形成し、これにより、基材に対するDLC膜の密着力が高い被覆部材を提供すること。
【解決手段】DLC被覆部材100は、基材200と、基材200の表面を覆う中間層300と、中間層300の表面を覆うDLC膜400とを含む。中間層300は、第1中間層301と、第2中間層302と、第3中間層303と、第4中間層304と、第5中間層305とを備え、5層構造を有している。5層の層301〜305は、いずれもSiが添加されたDLCからなる。層301〜305の中では、第1中間層301のSi濃度が最も高く、次いで第5中間層305のSi濃度が高い。また、第2、第3および第4中間層302,303,304のSi濃度は、第1および第5中間層301,305のSi濃度よりも低い。 (もっと読む)


【課題】 温度が60℃で湿度が90%(RH)という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第1の耐候性コート層、蒸着層、及び、第2の耐候性コート層を、この順に設けたガスバリア性フィルム積層体において、該第1の耐候性コート層、及び又は、第2の耐候性コート層が、架橋性基を有するフッ素含有共重合体と該架橋性基と反応する硬化剤とにより形成されたフッ素系樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】支持体側から第1の高ガスバリア性領域、水分トラップ領域、第2の高ガスバリア性領域をこの順に有するガスバリア性フィルムにおいて、支持体から第1の高ガスバリア性領域までのJIS K 7129B法に従って測定した水蒸気透過率(水蒸気透過度:25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)(WVTR(g/m/day))が2×10−2〜1×10−3のガスバリア性を有し、第2の高ガスバリア性領域がケイ素化合物層、水分トラップ領域がシラザン化合物由来の窒素原子を含有するケイ素化合物層、からなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 (もっと読む)


【課題】 温度が60℃で湿度が90%(RH)という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第1の耐候性コート層、蒸着層、及び、第2の耐候性コート層を、この順に設けたことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマCVDによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】電極対の間において、基板の搬送方向の最上流位置におけるプラズマ電子密度を、最下流位置におけるプラズマ電子密度よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


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