【課題】サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、サセプタを安定して支持した状態で回転させる。
【解決手段】成膜室１と、成膜室１内に成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド２０と、成膜室１内において被処理基板３を加熱するヒータ６とを備える。また、成膜室１内において被処理基板３が載置される回転可能なサセプタ４と、サセプタ４の縁を下方から断熱部材１２を介して支持する支持部１１と、サセプタ４に回転力を伝達する回転軸５とを備える。回転軸５は、サセプタ４側の端部において、この回転軸５の中心軸から偏心した位置に突起部を有する。サセプタ４は、突起部が遊挿される凹部を下面に有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ライナの割れを抑制しつつ、基板を効率よくかつ細かい温度制御で加熱することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の内壁１ａと空間Ａを仕切るライナ２と、基板７を下方から加熱する主ヒータ９と、ライナ２と内壁１ａの間に配置されて、基板７を上方から加熱する補助ヒータ１８とを有する。主ヒータ９と補助ヒータ１８は、いずれも抵抗加熱型のヒータである。補助ヒータ１８は、第１の補助ヒータ１８ａと、第２の補助ヒータ１８ｂと、第３の補助ヒータ１８ｃとを有する。第１の補助ヒータ１８ａは、主ヒータ９と共同して基板７を加熱する。第２の補助ヒータ１８ｂと第３の補助ヒータ１８ｃは、第１の補助ヒータ１８ａより低い出力でライナ２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の温度を推定し、装置内の各種状態に影響を受けない温度制御を行う。
【解決手段】 被処理物を加熱する加熱手段と、加熱手段の温度を検出する第１検出手段を有する気相成長装置であって、気相成長装置は、当該気相成長装置の状態を検出する第２検出手段と、第１検出手段で検出された温度と、第２検出手段で検出された状態に基づいて、被処理物の表面温度を推定する温度推定手段と、温度推定手段で推定した表面温度を、予め定められた目標温度になるよう加熱手段を制御する温度制御手段によって解決する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコンカーバイト素子を構成しているエピタキシャル層の品質は、高性能素子を作るうえで重要であり、特に、電気的耐圧を下げるパーティクルを減らす事は、最重要事項である。
一方、エピタキシャル層製膜時、エピタキシャルを製膜する単結晶シリコンカーバイトウエファー以外の部分にもシリコンカーバイトが、多く析出し、それらがカーボン、金属、石英ガラス製の反応炉構成部材表面から剥離しガスの流れにより成長中のエピタキシャル層に混入しパーティクルが形成されていた。
特に、距離的に近いため、ウエファーが乗っているサセプターからのシリコンカーバイト析出物の剥離が問題であった。
【解決手段】 サセプター上にシリコンカーバイト板をパーティクル吸着板として取り付け、析出したシリコンカーバイトが、剥離しないようにした。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１１内に半導体原料ガスを供給し、反応炉１１内の基板１２上に化合物半導体膜を成長させる気相成長装置１０において、反応炉１１内に半導体原料ガスの供給口１３を複数設け、複数の供給口１３からそれぞれ半導体原料ガスを供給して反応炉１１内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整するものである。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板をフェイスダウンに保持してＭＯＶＰＥで半導体結晶を成長するに際し、半導体結晶の未成長領域を無くすと共に基板への原料供給の阻害を低減できる半導体エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱した基板１１上に原料ガスを供給し、基板１１上に半導体結晶を成長させる半導体エピウェハの製造方法において、基板１１は、半導体結晶が成長される成長面１２側の周縁部１４に面取部１５を有しており、フェイスダウンで、かつ面取部１５のみが保持され、半導体結晶は、基板１１の成長面１２を下方に向けて成長されるようにした。 （もっと読む）

【課題】ビューポートが汚れることにより、放射温度計による正確な温度測定ができなくなることを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板を保持するボートと、ボートを囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、筒状発熱材と反応管との間に設けられた筒状断熱部と、筒状発熱材と筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、温度測定用チップからの放射光が入射されることにより温度を測定する放射温度計と、温度測定用チップと放射温度計との間に設けられ、温度測定用チップからの放射光を透過するビューポートと、筒状発熱材と筒状断熱部との間の間隙に設けられ、ビューポートに向けて不活性ガスを供給する第１ガス供給口を有するブローノズルと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換の際にサセプタの位置ずれの問題が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、サセプタ３が着脱可能に設置されて気相成長を行う反応炉５と、サセプタ３を搬送する搬送ロボット７と、搬送ロボット７及び反応炉５が収容されるグローボックス９と、グローボックス９内に設置されてサセプタ３の交換時にサセプタ３を一時的に載置する交換テーブル１１と、グローボックス９の側壁に設けられてサセプタ３の交換を行う交換ボックス１３とを備えた気相成長装置１であって、交換テーブル１１は、サセプタ３が載置されると回転して所定の回転位置で停止することでサセプタ３の回転方向の位置を決める位置決め装置１５を備えてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】放射温度計の故障およびパラメータ設定ミス等を検知できる基板処理装置と基板製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置される処理室と、処理室又は加熱部の温度を検出する第１放射温度計６３０ｂ、第２放射温度計６３０ａ、及び、第３放射温度計６３０ｃと、第１放射温度計による第１検出結果、第２放射温度計による第２検出結果、第３放射温度計による第３検出結果が入力され、加熱部を制御する温度制御部と、を具備し、温度制御部は、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第２放射温度計による第２検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断し、かつ、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第３放射温度計による第３検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断した場合、第１放射温度計が故障している判断する。 （もっと読む）