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Fターム[4K030LA14]の内容

CVD (106,390) | 膜特性、用途 (8,967) | 用途 (7,779) | 化合物半導体 (1,183) | 3−5族化合物半導体 (858)

Fターム[4K030LA14]に分類される特許

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【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 (もっと読む)


【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置1は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ5に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置1であって、
サセプタ5の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置3を有し、サセプタ載置判定装置3は、回転するサセプタ5における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置22と、位置測定装置22の計測値を入力してサセプタ5の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段47とを備えたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置1は、c面を表面とする窒化物半導体の半導体層13と、厚みが減少する厚み減少部14aを有する窒化物半導体のp型の埋込み層14と、を備える。埋込み層14では、厚み減少部14aの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部14aの傾斜面の間のp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置され、上面に複数の領域を有するサセプタ120と、サセプタ120と対向し、上記複数の領域の各々に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130とを備える。また、複数の材料ガスを上記複数の領域の数だけ所定の分岐比率で分岐して所定の流量でシャワーヘッド130に導入するための複数のガス分岐機構と、複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合し、複数のガス分岐機構とそれぞれ接続された複数の混合配管と、複数のガス分岐機構を制御する制御部190とを備える。制御部190は、複数のガス分岐機構の各々の上記所定の分岐比率を設定することにより、上記複数の領域のそれぞれにおいて供給される複数の材料ガスの流量を調整する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Si単結晶基板の(111)主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたAlN結晶層、およびこのAlN層上に堆積された複数のAlGa1−xN(1>x>0)結晶層を含み、これら複数のAlGa1−xN結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなAl組成比xを有しており、複数のAlGa1−xN層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するAlN中間層を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】サセプターのうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
回転部30により板部21を筒部22と一緒に回転させながら、ヒーター23によって板部21と筒部22とを加熱し、原料ガス導入部13から真空槽11内に原料ガスを導入し、板部21の表面に配置された基板51に薄膜を形成する成膜装置10であって、板部21のうち、基板51が配置される範囲より外側には、基板51が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分41が環状に設けられており、基板51が配置される範囲内から外側に熱が逃げにくくなっている。 (もっと読む)


【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置されるサセプタ120と、サセプタ120と対向し、被処理基板10上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130と、シャワーヘッド130に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド130は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 (もっと読む)


【課題】サセプタからの熱逃げが抑制され、かつサセプタ支持部材の熱による破損を防止できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
ヒーター23によってサセプタ21を加熱し、原料ガス導入部13から真空槽11内に原料ガスを導入し、サセプタ21の板部21aの表面に配置された基板51に薄膜を形成する成膜装置10であって、サセプタ21の筒部21bの端部とサセプタ支持部材31との間には、サセプタ21とは別の材質である熱抵抗部材22が配置されており、サセプタ21の熱が熱抵抗部材22で遮られてサセプタ支持部材31に伝わりづらくなっている。 (もっと読む)


【課題】InGaNを含む半導体の形成で、高品質・高In組成のInGaNを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともInGaNを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のN源とIn源とを反応させ、InN源を生成する第1のステップと、前記気相成長装置内で、第一のN源とは異なる第二のN源とGa源とを反応させ、GaN源を生成する第2のステップと、前記第1のステップで生成された前記InN源と、前記第2のステップで生成された前記GaN源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第3のステップとを有する気相成長方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】有害物除去装置の有害物の析出量を増加して除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる有害物除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。 (もっと読む)


【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】押さえガスを供給する副噴射器の内部に遮熱器25が設けられている。遮熱器25は、押さえガスが流入する複数の流入側通気部27Aと、流入側通気部と互いに連通し、流入側通気部27Aから流入した押さえガスを噴出する複数の流出側通気部27Bを有し、上記流出側通気部27B及び流入側通気部27Aは、流出側通気部27Bの開口部から流入側通気部27Aの開口部への見通し経路を有しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド(GaN nano rod)を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ;及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ;を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 (もっと読む)


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