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Fターム[4K030LA16]の内容

CVD (106,390) | 膜特性、用途 (8,967) | 用途 (7,779) | 光起電力素子 (628)

Fターム[4K030LA16]に分類される特許

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【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材1は、膨張黒鉛シート2と、膨張黒鉛シート2の上に配された、結晶性窒化ガリウム層3とを備える。黒鉛材1の製造方法は、膨張黒鉛シート2を準備する工程と、膨張黒鉛シート2の上に、結晶性窒化ガリウム層3を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層3は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート2の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン(zincocene)、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、R1およびR2は水素またはC2n+1を表す。好ましくは、前記nは1〜3であり、より好ましくは、前記R1およびR2は水素、メチル基、エチル基、またはi−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 (もっと読む)


【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置100は、高周波電力を発生させる高周波電源6と、高周波電源6から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極2と、高周波電源6とプラズマ生成電極2との間に介在し、伝送路9のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器7と、整合器7とプラズマ生成電極2との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路8とを具備し、整合器7は、プラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路8によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 (もっと読む)


【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚600nm以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をT1とし、成膜終了時の基体温度をT2とするとき、下記(1)〜(3)の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、CVD法を用いて、200Pa以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度300〜650℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
(1)T2=360〜380℃
(2)ΔT(T1−T2)=45〜65℃
(3)少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚200nmが達するまでに基体温度の下降を開始する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極21a,21b及び非リッジ部22a,22bを有するリッジ導波管からなる放電室2と、リッジ部31a,31b及び非リッジ部32a,32bを有するリッジ導波管からなる変換器3A,3Bと、放電室2および変換器3A,3Bの内部の気体を排出させる排気手段9と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段10とを有し、リッジ電極21a,21bの対向する面間の距離をd、放電室2及び変換器3A,3Bのリッジ導波管の横幅をa、放電室2のリッジ導波管の長さをl、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±2%の変動を許容する範囲で以下の式d=0.004λ、a=0.72λ、l=0.52λを満たす真空処理装置1。 (もっと読む)


【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】300℃以上かつガラスの歪点より低い第1加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第1成膜工程と、第1加熱温度より高い第2加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第2成膜工程とを備える。また、第2成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器4の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室2と、減圧容器4の外部から、減圧容器4に設けられた真空窓15を介してプロセス室2に接続される変換器3A,3Bとを有する製膜装置1であって、真空窓15の両面に、プロセス室2の容器と変換器3A,3Bの容器を、真空窓15に対して定位置に位置決めするガイド板51,52を設けた。このガイド板51,52は、真空窓15の両面に、プロセス室2と真空窓15との間、および変換器3A,3Bと真空窓15との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】フロント壁9の内壁面及びリア壁11の内壁面に、片側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有しかつ基板を冷却する冷却パネル41が垂直にそれぞれ配設され、天井壁15の内壁面における隣接する各基板エリアA間に、両側に基板Wから輻射熱を吸収可能な吸収面63fをそれぞれ有しかつ基板Wを冷却する複数の中間冷却パネル63が垂直に吊設され、中間冷却パネル63がその上端側の水平な揺動軸心C周りに揺動可能になっていること。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ放電部を複数並べて任意の大きさの試料に対応できるように放電面積を拡大する場合であっても、単位あたりの電力コストを増加することなく、均一なプラズマ生成が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波信号回路13及び高周波電力回路11を有する高周波電源と筐体21と放電電極2とを備えたプラズマ処理装置において、筐体21内に設置された放電電極2と高周波電力回路11とでプラズマモジュールを構成し、複数個並列接続されたプラズマモジュールに高周波信号回路13からの周波数信号を入力する。 (もっと読む)


【課題】突発故障が発生しても、生産性の高い成膜を行うことのできる薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法を提供することである。
【解決手段】成膜室を有し当該成膜室内で基体に薄膜を成膜する成膜チャンバーの集合である成膜チャンバー群42と、基体を搬送可能な移動チャンバー6と、基体を仮置き可能な基体仮置き装置を3基以上有し、前記移動装置はいずれの成膜チャンバーに対しても基体の受け渡しが可能であり、且つ前記移動装置は前記3基以上の基体仮置き装置に対して基体の受け取りまたは払い出しの少なくともいずれかが可能である薄膜製造装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも1層の有機層と、少なくとも1層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも1層は、重合成組成物を硬化してなる有機層(1)であって、前記重合性組成物を60重量%含むプロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタート液における粘度が1000mPa・s以上である、バリア性積層体。 (もっと読む)


【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法(PECVD法)により形成された、SiOxCy膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア35はフレーム41を備えている。フレーム41は、支持した基板Wの一面Wa側、および他面Wb側をそれぞれ露出させる開口(開口部)41a,41bがそれぞれ形成されている。フレーム41の一端には、キャリア35をアノードとして機能させるためのアノード接点43が設けられている。キャリア35は、第一成膜室(プロセス室)や第二成膜室(プロセス室)において、アノード接点43を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 (もっと読む)


【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野や、太陽電池関連部材や電子機器関連部材などの分野において、通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア性積層フィルム10は、プラスチックフィルムからなる基材層1の、一方の表面上に第一のプライマー層2と第一のガスバリア層3と第一のガスバリア被膜層4とを、もう一方の表面上に第二のプライマー層5と第二のガスバリア層6と第二のガスバリア被膜層7とを、それぞれ順次積層して構成され、各層が特定の材料から構成され、プライマー層、ガスバリア層およびガスバリア被膜層の厚さが特定の範囲を満たす。 (もっと読む)


【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、(100)単結晶シリコン基板1aを挟んだ両面の上に不純物拡散層2を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に50nm以上400nm以下の膜厚のシリコン酸化膜3を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口4を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン(111)面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高性能の光電変換装置を製造するための結晶質シリコン光電変換層の製膜条件設定方法を提供する。
【解決手段】製膜条件候補に対してSiH流量を増加させて結晶質シリコンからなる光電変換層92を形成し、該光電変換層92の高輝度反射領域の面積割合及び基板面内分布を取得する。分布が均一である場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、分布が不均一である場合放電電極の各給電点に供給される高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。また、予め取得した任意のラマンピーク比を有する光電変換層92についてSiH流量の変化量と高輝度反射領域の面積割合との相関関係に基づいて光電変換層92のラマンピーク比を取得する。取得したラマンピーク比が設計値を満たす場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、ラマンピーク比が設計値から外れる場合SiH流量、SiH分圧または高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。 (もっと読む)


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