【課題】成膜に十分な量のラジカルを生成し、かつそれを失活することなく基板上に輸送することで成膜速度の向上を図ると共に、基板に加わる熱による損傷を低減し、膜質を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１と、処理ガスを処理室１に供給する処理ガス供給部と、前記処理室１を、２つの空間に隔て、前記処理ガスを一方の空間から他方の空間に通流させる通流孔５ａを有する遮熱板５と、前記一方の空間に配され、前記処理ガスを接触させることにより該処理ガスを活性化させる触媒６を支持する触媒支持部６１と、前記他方の空間に配され、基板を支持する基板支持体３とを備える基板処理装置において、前記遮熱板５の前記他方の空間側の面の温度を、前記一方の空間側の面より低い温度となるように制御する温度制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】 高耐擦傷性ハードコート層などのような硬度の高い層であっても容易に積層可能であり、かつ高硬度、高耐擦傷性と柔軟性と、を同時に兼ね備えた高耐擦傷性ハードコートフィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムに、紫外線硬化型樹脂よりなる第１ハードコート層と、有機無機ハイブリッド樹脂よりなるアンカーコート層と、化学蒸着実行時に有機珪素系又は有機アルミニウム系の反応ガスを用いて成膜して得られる高耐擦傷性を有する第２ハードコート層と、を備えた構成を有する高耐擦傷性ハードコートフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板２に堆積させることにより膜を成長させる光ＣＶＤ装置（成膜装置）１であって、光源１３と基板２を保持する試料台（基板保持部）１４の間に遮光板（遮光部材）２０を配置する。遮光板２０は、基板２の成膜面２ａと対向する裏面２０ａ、裏面２０ａの反対側に位置する表面２０ｂ、裏面２０ａおよび表面２０ｂのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔２１を有している。また、遮光板２０の裏面２０ａと基板２の成膜面２ａの距離Ｃ１は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮを含む半導体の形成で、高品質・高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともＩｎＧａＮを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のＮ源とＩｎ源とを反応させ、ＩｎＮ源を生成する第１のステップと、前記気相成長装置内で、第一のＮ源とは異なる第二のＮ源とＧａ源とを反応させ、ＧａＮ源を生成する第２のステップと、前記第１のステップで生成された前記ＩｎＮ源と、前記第２のステップで生成された前記ＧａＮ源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第３のステップとを有する気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置されるサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、被処理基板１０上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド１３０は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも２相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第３の元素の中から選ばれる１種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第３の元素は、それぞれ酸化物換算で４０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、３５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
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【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも１層は、重合成組成物を硬化してなる有機層（１）であって、前記重合性組成物を６０重量％含むプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート液における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上である、バリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも３つのアンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有し、各アンテナ部は、アンテナ線６１，６２，６３，６４等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を備え、基材、ポリマー層及びガスバリア層間の密着性が向上し、屈曲耐性及び環境耐性に優れたガスバリア積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材Ｆ上に、少なくともガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２とポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３とを有し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の少なくとも１層が該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２の少なくとも１層に隣接し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２との接触界面における平均炭素含有量が該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の平均炭素含有量より小さいガスバリア積層体１。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、支持体のダメージが少なく、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも低密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、複数のプラズマＣＶＤによって、成膜領域から外部へのガス流を制御しつつ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第１の工程を有し、第１の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列（１１１）に対する結晶方位配列（２２０）への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を３００〜３５０℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に接合された石英管１２内に配置され、石英ブロック４は、石英管１２及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバのチャンバ内部空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバのチャンバ内部空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）