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Fターム[4K030LA20]の内容

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Fターム[4K030LA20]に分類される特許

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【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】(1)規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、(2)保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に300eV以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】長尺基材の表面にプラズマCVD法によって薄膜を形成するにあたり、活性種をできる限り多く基材表面に供給して、高品質の薄膜を生産性高く形成できるプラズマCVD装置およびプラズマCVD方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内に、冷却ドラムと、該冷却ドラムに対向して配置したプラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記冷却ドラム表面に沿わせて搬送しながら前記基材表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記冷却ドラムと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側から挟み込み、前記長尺基材の幅方向に延在する2枚の側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記2枚の側壁のうちいずれか一方の側壁に、プラズマの発生を抑制しながらガスを供給するプラズマ発生抑制型ガス供給口と、プラズマの発生を促進させながらガスを供給するプラズマ発生促進型ガス供給口とを有する。 (もっと読む)


【課題】小さい膜厚においても高い耐久性および高い耐食性を両立することができるDLC膜の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第1層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第2層を形成する工程とを含むことを特徴とする第1層および第2層から構成されるDLC膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ85と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段12と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ20と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア2と、基板ホルダ20に電圧を印加するための電圧印加手段16と、給電部材13を可動して、該給電部材を基板ホルダ20に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段16からの電圧を供給するための駆動手段18と、給電部材13に流れる電流を測定する電流測定手段17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 (もっと読む)


【課題】搬送方向の切替えに付随した挟圧力や搬送高さの偏差を低減し、品質向上と製造コスト低減を両立する薄膜積層体製造装置を提供する。
【解決手段】搬送経路の端部で可撓性基板1をロールから巻出し/ロールに巻取るための正逆双方向に駆動可能なロールコア駆動装置と、基板の縁部を挟持しかつその挟圧力に応じた展張力を縁部に付与する回転可能なグリップローラ61〜69と、成膜部30における基板の搬送高さを検知する検知手段S1〜S9と、検知手段の検出値に基づいてグリップローラの挟圧力を制御する搬送高さ制御装置73と、を備え、搬送高さ制御装置は、グリップローラの挟圧力の初期値を保持する保持手段を有し、基板の搬送方向の切替え時に、初期値に基づいてグリップローラ61〜69の挟圧力を再設定可能とする。 (もっと読む)


【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽110とゲートバルブ33の間に二重オーリング115b、116bを配置し、二重オーリング115b、116bの間の密閉空間80bに真空排気系339を接続し、密閉空間80bを真空排気する。密閉空間80b内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽110内に大気が浸入せず、搬送槽110内を高真空状態に置ける。MR比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 (もっと読む)


【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板SUBの主表面上に形成されたスイッチング素子TRを覆うように形成された層間絶縁膜III1と、平板状の引出配線LELと、引出配線LELとスイッチング素子TRとを接続する接続配線ICLと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層MFLを含み、引出配線LEL上に形成された磁気抵抗素子TMRとを備える。磁化自由層MFLの磁化状態を変化させることが可能な配線DLと配線BLとを備えている。磁気抵抗素子TMRが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子TMRの上部に配置された第1の高透磁率膜CLAD2が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室101内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 (もっと読む)


【課題】高いSNRを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、CoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にRu合金またはCo合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第1加熱工程と、第1加熱工程の後にCoCrPtを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第2加熱工程と、第2加熱工程の後にCVD法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】第1の反応ガスと第2の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる2つの点とをカバーするように延び第1及び第2の領域に分ける分離領域であり、第1分離ガスで分離領域を第1及び第2の領域より高圧に維持可能な分離領域;第1分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第1及び第2の領域より高圧に制御する圧力制御部;第1の領域にて回転テーブルへ第1反応ガスを供給する第1反応ガス供給部;第2の領域にて回転テーブルへ第2反応ガスを供給する第2反応ガス供給部;第1反応ガスと分離領域からの第1分離ガスとの両方を合流して第1の領域を通して排気する第1排気口;及び第2反応ガスと分離領域からの第1分離ガスとの両方を合流して第2の領域を通して排気する第2排気口を備える。 (もっと読む)


【課題】フィラメント状のカソード電極の寿命を高めると共に、高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この気体Gを通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極104と、その周囲に設けられたアノード電極105との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体Gを加速して基板Dの表面に照射することによって、基板Dの表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、カソード電極104を回転させながら炭化処理した後に、この炭化処理されたカソード電極104を用いて、炭素膜の形成を行う。 (もっと読む)


【課題】高硬度で緻密な炭素膜を均一な厚みで形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この原料の気体Gを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極104と、その周囲に設けられたアノード電極105との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Dの表面に加速照射するときに、マグネット109によって成膜室101内の励起空間に磁場を印加すると共に、この励起空間の周囲に配置されたマグネット109を周方向に回転させながら、炭素膜の形成を行う。 (もっと読む)


【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域9において基板7の裏面に近接する冷却体10と、冷却体10と基板7の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体10は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体10から基板7への輻射を抑制することが出来る。 (もっと読む)


【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上110に少なくとも、磁気記録層122と、保護層126とを、この順に備える垂直磁気記録媒体100において、保護層126は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるGピークの高さをGhとし、Dピークの高さをDhとし、Gピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をBとし、Gピークの蛍光を除いたピーク強度をAとした場合、保護層126のラマン分光法による測定結果は、Dh/Ghが0.78〜0.96であり、B/Aが1.31〜1.34であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来は必須とされてきたシード層を設けなくてもRu下地層の好適な配向制御を可能とし、シード層を省けることで製造工程の短縮、コスト低減を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層を成膜した後、該軟磁性層の上に他の層を介さずに直接、バイアスを印加しながらルテニウム(Ru)又はその化合物からなる下地層を成膜する。 (もっと読む)


【課題】本件は、RF−CVD法により基板表面に成膜を行なう成膜方法に関し、基板の特性劣化を防ぎつつ成膜の生産効率を高める。
【解決手段】チャンバ内に基板を搬入しチャンバ内に成膜ガスを導入してさらにRF放電による成膜ガスのプラズマを発生させることにより基板表面に成膜し成膜後の基板をチャンバ内から搬出する成膜工程と、基板搬出後のチャンバ内にクリーニングガスを導入しRF放電によるクリーニングガスのプラズマを発生させることによりチャンバ内をクリーニングするクリーニング工程とを有し、このクリーニング工程がさらに、チャンバ内のクリーニングの終了後に、チャンバ内に、クリーニングガスとの反応によりそのクリーニングガスに起因する基板の特性低下を防止するための無害化ガスを導入しRF放電によるクリーニングガスと無害化ガスとの混合ガスのプラズマを発生させてクリーニングガスと無害化ガスを反応させる無害化工程を有する。 (もっと読む)


【課題】平滑度の高く、高硬度で緻密な炭素膜の形成方法、前記炭素膜を保護膜として用いて記録密度を向上させ、生産効率を高めた磁気記録媒体の製造方法及び前記炭素膜の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】カソード電極104と、アノード電極105と、基板ホルダ102と、を備えた成膜室101内を排気した後に、第2の導入管111から不活性ガスAを導入して、カソード電極104の加熱を行うクリーニング工程と、不活性ガスAの導入を止めて前記成膜室101内を排気した後に、第1の導入管103から導入した原料ガスGを前記カソード電極104で加熱して、カソード電極104とアノード電極105との間で放電させ、カソード電極104又はアノード電極105と基板ホルダ102に支持された基板Dとの間で電圧を印加して基板D上に炭素膜を形成する成膜工程と、を有する炭素膜の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とし、更なる薄膜化が可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この気体Gを高周波プラズマによりイオン化し、このイオンを用いて基板Dの両表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、高周波プラズマにより原料の気体Gをイオン化するプラズマ空間106と、イオンを加速させる加速空間108とが連続する成膜室101内において、基板Dを加速空間108内に配置し、この状態で加速していないイオン又は加速されたイオンを用いて、基板Dの両表面に炭素膜を形成する第1の工程と、第1の工程の後に、第1の工程時よりも反応圧力を下げた状態で、第1の工程時よりも加速度を高めたイオンを用いて、基板Dの両表面に炭素膜を形成する第2の工程とを含む。 (もっと読む)


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