【課題】従来のもの比較して、耐酸化性がより優れるＰｔおよびＡｌ拡散Ｎｉ基基材の製造方法の提供。
【解決手段】Ｎｉ基基材の表面にＰｔ被膜を形成し、Ｐｔ被膜付き基材を得る工程と、前記Ｐｔ被膜に含まれるＰｔが前記Ｎｉ基基材の少なくとも表面に拡散する処理条件において前記Ｐｔ被膜付き基材を熱処理して、Ｐｔ拡散基材を得る工程と、前記Ｐｔ拡散基材の表面にＡｌ被膜を形成して、Ａｌ被膜付き基材を得る工程と、前記Ａｌ被膜に含まれるＡｌが前記Ｐｔ拡散基材の少なくとも表面部に拡散する処理条件において前記Ａｌ被膜付き基材を熱処理して、ＰｔおよびＡｌが拡散してなる拡散層を有するＰｔ含有γ−Ｎｉ＋γ’−Ｎｉ₃Ａｌ皮膜付き基材を得る工程とを備える、Ｐｔ含有γ−Ｎｉ＋γ’−Ｎｉ₃Ａｌ皮膜付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】均一かつ高精細なモスアイ構造を賦形可能な反射防止フィルム製造用金型、及び、反射防止フィルム製造用金型の製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止フィルム製造用金型は、基材部と、ニッケル又は銅により形成された第１中間部と、クロムにより形成された第２中間部と、第３中間部と、アルミニウムにより形成された層であり、複数の微細孔を有する酸化皮膜を有する賦形部とを備えるものとした。この反射防止フィルム製造用金型の製造方法は、第１〜第３中間部形成工程と、アルミニウム層形成工程と、微細孔形成工程とを有し、微細孔形成工程は、陽極酸化工程と、第１エッチング工程と、第１エッチング工程のエッチングレートよりも高いエッチングレートでエッチングを行う第２エッチング工程とを備え、これらの工程を順次繰り返すものとした。 （もっと読む）

【課題】 キャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実であるとともに、熱圧着処理後のキャリア箔の剥離が容易であるキャリア箔付き極薄銅箔と、これを製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 キャリア箔付き極薄銅箔を、銅のキャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備えたものとし、剥離層はオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが２０〜６０ｎｍの範囲内であり、厚みのバラツキが２０％以下であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するＳｎ系めっき材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき材１０は、金属基材１１、金属基材１１上に形成された下地めっき１２、下地めっき１２上に形成されたＡｇを含むＳｎ系めっき１３を備える。Ｓｎ系めっき材１０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ｓｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Sn）及びＡｇの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Ag）がＳｎ系めっき１３表面からＤ_Sn、Ｄ_Agの順で存在し、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＡｇが１〜２００μｇ／ｃｍ²であり、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＳｎが２〜２２０μｇ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】優れた表面外観を有する樹脂被覆鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板を溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき浴に浸漬した後、該めっき浴から引き上げて冷却し、鋼板表面に溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき層を形成し、該溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき鋼板を化成処理した後、樹脂被覆を施す樹脂被覆鋼板の製造方法において、前記めっき浴から引き上げられた鋼板の２５０℃までの冷却速度が１〜１５℃／秒であり、前記溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき層が、Ａｌ：１．０〜１０質量％、Ｍｇ：０．２〜１．０質量％、Ｎｉ：０．００５〜０．１質量％を含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜であり、かつ耐食性と平滑性とを両立するカチオン電着塗膜を形成させることのできる塗膜形成方法、及びそのような塗膜形成方法によって形成された被覆鋼板を提供すること。
【解決手段】めっき鋼板の表面に対して化成処理層を形成させる化成処理工程と、前記化成処理工程を経ためっき鋼板をネオジムの金属濃度として０．７ｍｍｏｌ／Ｌ以上１．４ｍｍｏｌ／Ｌ以下となるネオジム化合物を含むめっき水溶液中に浸漬し、さらに前記鋼板に電圧を印加することにより、前記化成処理層の表面にネオジムの電析被膜層を電気的に析出させる電析被膜形成工程と、前記電析被膜層の表面に、カチオン電着塗料組成物を電着塗装して、電着塗膜層を形成させる電着塗装工程と、を含む塗膜形成方法により被覆鋼板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材２の表面２ａに塗布されたレジスト１１を、透光性を有したマスクフィルム１２越しに露光することでヘアラインＨＬ状に除去し、レジスト１１を除去して露出したステンレス基材２の表面２ａにエッチングしてヘアライン溝３を形成する溝形成工程Ａと、ステンレス基材２の表面２ａにニッケルめっき層４を形成するニッケルめっき工程Ｂと、ニッケルめっき層４の表面４ａに銅めっき層５を形成する銅めっき工程Ｃと、銅めっき層５の表面５ａに硫化燻しを施して硫化膜６を形成する燻し工程Ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】 断熱性を確保しつつ、耐熱性に優れた構造体、及び、構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属からなる基材と、上記基材の表面上に形成された表面被覆層とを備えた構造体であって、上記表面被覆層は、上記基材の表面上に形成され、非晶質無機材を含む第１層と、上記表面被覆層の最外層として形成され、９５０℃以上の軟化点を有する結晶性無機材を含む第２層とを含むことを特徴とする構造体。 （もっと読む）

【課題】はんだとの密着性に優れる複合部材、この複合部材からなる放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置、及び複合部材の製造方法を提供する。
【解決手段】複合部材1は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板20と、基板20の表面に形成された多層構造の金属被覆層10とを具える。金属被覆層10は、基材20側から順に、基板20のマトリクス金属と同組成である下地層11、ジンケート処理により形成された亜鉛層12、銅めっき層13、ニッケルめっき層14を具え、銅めっき層13の厚さが1μm超と比較的厚い。この構成により、複合部材1とはんだとの間の剥離強度が高く、複合部材1に半導体素子などを接合した場合に剥離し難い。 （もっと読む）

【課題】クロメート処理やクロム酸塩系防錆顔料を利用しないクロムフリー塗装鋼板に見られる端面からの赤錆発生を、耐食性を低下させずに抑制する。
【解決手段】Ｚｎ含有めっき層を有するめっき鋼板からなる塗装基材の両面にそれぞれ１層以上の塗膜が形成されたクロムフリー塗装鋼板において、この塗装鋼鈑を０.５ｃｍ×４.５ｃｍの長方形に切断したサンプル１００個を５０℃のイオン交換水（４μＳ／ｃｍ以下）２００ｍｌに周波数４０ｋＨｚの超音波振動付与下で３０分浸漬した時の浸漬水の電気伝導度が３０μＳ／ｃｍ以上である。最外層の塗膜は、(Ａ)イオン交換水（４μＳ／ｃｍ以下）に０.１質量％濃度で溶解させた時の水の電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以上、および(Ｂ)２００℃までに熱分解を生じない、という要件を満たす化合物（好ましくはアルカリ金属リン酸塩）を１〜３０質量％の量で含有する。 （もっと読む）

【課題】 鋼板一体型太陽電池モジュールの基板に適したフッ素系樹脂被覆鋼板、および、絶縁性、耐食性（耐候性）、加工性に優れ、かつ密着性にも優れた鋼板一体型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】 亜鉛系めっき鋼板の少なくとも一方の表面に、樹脂成分と10質量％以上65質量％以下の防錆顔料とを含み、厚みが1μm超20μm以下である防錆プライマー層と、その上層に厚みが15μm以上250μm以下で、前記防錆プライマー層側の面の上に、両面がコロナ放電処理されてなるフッ素系樹脂被覆層を有するフッ素系樹脂被覆鋼板とする。また、該フッ素系樹脂被覆鋼板のフッ素系樹脂被覆層とシート型太陽電池モジュールの下面部分とを接着して、鋼板一体型太陽電池モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】空気冷却式ターボ機械部品内に表面近傍冷却通路を形成する方法を提供する。
【解決手段】部品１０の表面領域の表面内にチャネルを形成して、チャネルが該表面で開口しかつ該部品１０内の第１の冷却通路に流体連結させるステップを伴う。次に、表面上にまたチャネルを埋めない状態で該チャネルを覆うように金属層を堆積させる。金属層は、表面領域の表面においてチャネルを閉鎖して、第１の冷却通路に流体連結した第２の冷却通路を該チャネルと共に部品１０内部に形成する。次に、金属層上に皮膜系を堆積させて、部品１０の最外側表面を形成する。第２の冷却通路は、第１の冷却通路よりも部品１０の最外側表面に近接している。 （もっと読む）

【課題】クロムを用いず、樹脂密着性および耐食性に優れ、ティンフリー鋼板の代替材となり得る表面処理金属板およびその製造方法、ならびにこの表面処理金属板に有機樹脂が被覆された樹脂被覆金属板、それを用いた金属缶および缶蓋を提供する。
【解決手段】金属板の少なくとも片面に、Ni皮膜を有し、前記Ni皮膜上にZrおよびOを含む皮膜を有し、前記ZrおよびOを含む皮膜上に有機皮膜を有し、該有機皮膜が有機酸に接触後、乾燥することにより形成された皮膜であることを特徴とする表面処理金属板。 （もっと読む）

【課題】酸性のめっき浴を用いても加熱圧縮工程後に剥離し易く、かつプリント配線板の基材側に残渣が残りにくい複合金属箔とその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔からなるキャリア２の表面に、キャリア２を構成する金属原子への金属の拡散を防止するための拡散防止層３と、物理的成膜法により形成された金属層からなる剥離層４と、めっき法により形成された金属層からなる転写層５とを有し、剥離層４と転写層５を同種の金属原子により構成する。 （もっと読む）

【課題】フイルム密着性の高い容器用鋼板を提供する。
【解決手段】Ｚｒイオン、Ｆイオンを含む溶液中で、鋼板を浸漬又は電解処理して形成される、付着量が、金属Ｚｒ量で０．１〜１００ｍｇ／ｍ^２、Ｆ量で０．１ｍｇ／ｍ^２以下の化成皮膜と、該化成皮膜上に、付着量が、Ｃ量で０．０５〜５０ｍｇ／ｍ^２であるヒドロキシ酸処理層とを有する、容器用鋼板。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスなどに用いられる多成分フィルムの製造方法として、ＰＶＤ、ＣＶＤ等に代わる代替方法を提供する。
【解決手段】フィルム成分を含む液体前駆体組成物を順次コーティングすることによって多成分フィルムを堆積させる。一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 （もっと読む）