【課題】アルミニウム材料の表面に陽極酸化皮膜形成工程とエッチング工程を繰返し行なって得られるテーパー構造を持つナノ構造体作製用型体において、その表面の場所による均一性を向上させることであり、更には、それから得られるナノ構造体の場所による均一性を向上させること。
【解決手段】アルミニウム材料の表面に、少なくともある一の方向に対し平均周期５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下で、テーパー形状を有するポアを形成するように、該アルミニウム材料の表面を陽極酸化処理する工程と該陽極酸化皮膜をエッチング処理する工程を繰り返し行って、テーパー形状を形成する型体の製造方法であって、該陽極酸化皮膜形成工程又は該エッチング工程の直前に、該アルミニウム材料の処理面の温度を、該陽極酸化処理温度又はエッチング処理温度の±５℃の範囲に調整する工程を含むナノ構造体作製用型体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電解粗面化処理、及び陽極酸化処理において、粗面化が不均一となったり、陽極酸化皮膜に欠陥が生じたりするのを効果的に抑制することができる平版印刷版用紙自体の製造方法を提供する。
【解決手段】
陽極酸化処理装置４１０により、酸性水溶液を濾過ライン４３８の濾過装置４５８で固形物を除去しながらアルミニウムウェブ１２に陽極酸化皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミ基材と樹脂成形体との間において優れた接合強度を有するアルミ樹脂接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミ基材の表面の一部又は全面を、塩化銅を含有する塩化銅水溶液でエッチング処理し、次いで、水酸化アルカリ水溶液を用いてアルカリ処理し、その後、酸水溶液を用いて酸処理して、このアルミ基材の表面に凹凸構造が形成された表面処理済アルミ基材、及びこれに樹脂成形体を接合させたアルミ樹脂接合体を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】 銅素材を利用して生じる抗菌作用の対象を広くするのに適した皮膜形成方法等を提案する。
【解決手段】 イミダゾール化合物を用いた銅素材の皮膜形成方法であって、銅素材の表面に凹凸を形成するエッチングステップと、凹凸が形成された銅素材に対して、イミダゾール化合物を用いて有機皮膜を形成するコーティングステップを含む。表面積が増加することにより、大腸菌などだけでなく、白癬菌に対しても抗菌作用が認められる。さらに、エッチングステップにおいて、貫通孔を形成することにより、白癬菌に対する抗菌作用を強化し、かつ、通気性なども確保することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】水平搬送した際の搬送キズに起因する孔径のばらつきを抑制できる上、レーザ加工エネルギーを低減することができるプリント配線板の製造方法と、これに用いる表面処理剤を提供する。
【解決手段】絶縁層(1a,2)と銅層(1b,3)とが積層されたプリント配線板製造用積層板の表層の銅層(3)の表面に銅化合物皮膜(4)を形成する皮膜形成工程と、銅化合物皮膜(4)側から赤外線レーザ光を照射して孔(BV)を形成する孔形成工程とを含むプリント配線板の製造方法であって、銅化合物皮膜(4)が形成された銅層(3)の表面は、中心線平均粗さＲａが０．２０μｍ以上であり、銅化合物皮膜(4)は、銅層(3)の表面の単位面積当たり０．５〜１０．０ｇ／ｍ^２のハロゲン化銅を含む、プリント配線板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングによる回路形成を行うに際し、エッチング前の銅箔の表面状態を均一に保ち、パターン欠陥を防止できる電子回路用銅箔を提供する。
【解決手段】樹脂基材に接着された銅箔からなり、エッチングによる回路形成を行う電子回路用銅箔において、銅箔の、樹脂基材との非接着面側に、Ｃｏ比率が５０％以上９０％以下のＮｉ−Ｃｏ合金層を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】拡面処理される箔、とくに電解コンデンサ用電極に用いられる箔のピット形成位置を高密度に配列させ、単位体積当たりの拡面率の大きい、箔及びその製造方法を煩雑な装置を用いることなく安価に提供する。
【解決手段】所定の開口を有するマスクを作製し、この予め作製されたマスクを箔の少なくとも一面に設置して密着させ、該マスクの開口部で箔をエッチングし、箔にピットを形成することにより、箔に拡面処理を施すことを特徴とする、拡面処理された箔の製造方法、およびその方法により製造された箔。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び封止材との接着性を向上できるテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この処理方法を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】テープキャリア付き半導体実装用導電基材に腐食抑制剤を含有する第１の化学粗化液を接触させて半導体実装用導電基材の表面に粗化形状を形成する第１粗化工程を有する、テープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法。第１粗化工程の後に、さらに腐食抑制剤を含有する第２の化学粗化液に接触させる第２粗化工程を有する、前記のテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この表面処理を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】接着剤を使用せずに銅と樹脂組成物の密着性を向上できる上、作業環境が良好な銅−樹脂複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の銅−樹脂複合体の製造方法は、銅製部品の表面をエッチング剤によって粗化処理する粗化工程と、前記粗化処理した表面に樹脂組成物を付着させる付着工程とを実施する銅−樹脂複合体の製造方法であって、前記エッチング剤が、硫酸、過酸化水素、フェニルテトラゾール類、ニトロベンゾトリアゾール類、ベンゼンスルホン酸類及び塩化物イオンを含む水溶液であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 少ない処理工程でダイラインのない均一な表面が得られるマグネシウム及びマグネシウム合金押出材の表面処理方法の提供。
【解決手段】 マグネシウム及びマグネシウム合金押出材を単一な無機酸を含む溶液であって、無機酸の濃度が４．５ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下の溶液に接触させて表面を梨地化する工程と、その後にマグネシウム及びマグネシウム合金押出材を単一な無機酸を含む溶液であって、無機酸の濃度が０．５ｖｏｌ％以上４．５ｖｏｌ％未満の溶液に接触させて表面を光沢化する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さＲａが０．０５１μｍより大きくなり、かつ該金属の表面に１〜１０μｍ径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を１．０μｍ／ｍｉｎ未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塩化物イオンを含む、弱酸性から弱アルカリ性（ｐＨ５．０〜９．０）の水溶液環境において、二相ステンレス鋼の耐食性を高め、腐食損傷を未然に防止又は回避若しくは遅延することが可能な、表面処理二相ステンレス鋼及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二相ステンレス鋼の表面に、オーステナイト相１を凸部４とする凹凸を有し、該オーステナイト相間の凹部３深さが１０μｍ以上であり、且つ凹部３に亜鉛末を含む塗膜８が存在することを特徴とする表面処理二相ステンレス鋼である。更に、前記オーステナイト相の表面が亜鉛末を含む塗膜８で被覆されている。二相ステンレス鋼を、塩化物イオン濃度が１〜５％、硫酸濃度が２０〜４０％であり、温度が４０〜６０℃である溶液に、３０〜６０分間浸漬し、フェライト相を優先溶解させた後、水洗及び乾燥して、亜鉛末を含む塗料を塗布又は散布することにより、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に比較的粗大な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に色素増感太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で０.３〜２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陽極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を６.５ｎｍ以上とする工程（陽極電解工程）、
前記陽極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.３０〜１.５０μｍとする工程（エッチング工程）、
を有する粗大粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】充放電サイクルを繰り返しても容量保持率の低下が起こらず高寿命で、負極集電体が変形しないリチウムイオン二次電池を作成可能なリチウムイオン二次電池負極用電解銅箔を供給することを目的とする。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池の負極集電体を構成する電解銅箔であって、該電解銅箔は２００〜４００℃で加熱処理後の０．２％耐力が２５０Ｎ／ｍｍ²以上、伸びが２．５％以上であり、該電解銅箔の活物質層を設ける表面は防錆処理が施され、或いは粗化処理され防錆処理が施されている。また本発明は前記電解銅箔を集電体とするリチウムイオン二次電池用電極、該電極を負極としたリチウムイオン二次電池である。 （もっと読む）

【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】半導体実装用導電基材に、腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、１，２，３−ベンゾトリアゾール及び５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミンを含有するアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する半導体実装用導電基材の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】 毒性の強いアンモニア化合物のスラッジを生成することなく、アルミ押出材の表面をマット化できるアルミ押出材のマット処理方法を提供する。
【解決手段】 フッ化カリウム及びフッ酸濃度をそれぞれ０．１５〜０．３ｍｏｌ／Ｌ、浴温を５０〜７０℃とする加温処理浴に、脱脂処理したアルミ押出材を浸漬処理して、フッ酸のアルミ溶解反応及び溶解アルミとフッ化カリウムによるカリウム氷晶石生成反応を施すことによって、アルミ押出材のマット処理とする。アルミ押出材のダイスマークの消去と表面粗さをＲａ０．９〜１．１とする微細にして美麗なマット化表面を得られる。生成する副産物のスラッジはカリウム氷晶石であり、回収してアルミ精錬等のフラックス剤として再利用できる。スラッジが抱える環境への悪影響のない好ましいマット処理方法とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗が低く、耐食性に優れるマグネシウム合金部材を提供する。
【解決手段】このマグネシウム合金部材はAlを5質量％以上含有するマグネシウム合金からなる基材と、この基材の表面に防食処理により形成された防食層とを具える。基材中には、析出物(代表的にはAl及びMgの少なくとも一方を含む金属間化合物)からなり、平均粒径が50nm〜1500nmの粒子が分散しており、これら粒子の合計面積は1％〜20％である。基材から防食層中を経て防食層の表面に一部が露出するように防食層中に介在する析出物の粒子があり、この防食層中に存在する粒子(表出粒子)の合計面積が10％以上である。防食層を具えることで、このマグネシウム合金部材は耐食性に優れ、防食層中に表出粒子が存在することで、耐食性を損なうことなく、抵抗値を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）