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Fターム[4K057WG06]の内容

エッチングと化学研磨(つや出し) (8,564) | ウェットエッチング条件制御 (589) | エッチング液PH (46)

Fターム[4K057WG06]に分類される特許

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【課題】 本発明の課題は、銅層および/または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および/または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅(II)イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 (もっと読む)


【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
(A)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、(B)銅イオン供給源、及び(C)アンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5〜8であり、(C)アンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源の(B)銅イオン供給源に対する配合比(モル比)が0.1〜20である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 (もっと読む)


【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、Cr含有基材のエッチングに際して、エッチング速度が早く、サイドエッチングの少ないエッチングが可能であり、それによって生産性並びに歩留まりを向上させることができ、微細な部分のエッチングが可能となるCr含有基材用エッチング剤組成物及び該エッチング剤組成物を用いるCr含有基材のエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のCr含有基材用エッチング剤組成物は、(A)フェリシアン化金属塩成分、(B)無機アルカリ化合物及び有機アルカリ化合物からなる群から選択される少なくとも1種類以上であるアルカリ成分、(C)ノニオン性界面活性剤成分を含む水溶液からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Tiを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であるエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】脂肪酸を含有する水溶性加工油を用いて加工が施された亜鉛系めっき鋼材、典型的には亜鉛系めっき鋼板から製造された電縫鋼管、を塗装する場合に見られる塗装後耐食性と塗膜密着性の劣化を防止する。
【解決手段】塗装前に、pH9.5〜10.5のアルカリ性液による洗浄と水洗および/またはpH6.0以下の酸性液による洗浄と水洗を実施して、亜鉛系めっき被膜の表層部を除去する処理を行う。この処理により、鋼材のめっき被膜のSiO2基準板換算で60nm深さまでの表層部に存在するZn、CおよびOが、[O/Zn積算平均原子比]≧1.15×[C/Zn積算平均原子比]または[O/Zn積算平均原子比]≦0.40×[C/Zn積算平均原子比]を満たす。 (もっと読む)


【課題】Ti等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ti、Mo、Ag、V、Al、及びGeの少なくとも1種を含む金属材料層と、SiC、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が8以上の疎水性基と1つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、pHを3〜7に調整したものを使用するエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】低損失な圧粉成形体を製造することができる圧粉成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】軟磁性粒子の外周に絶縁被膜が被覆された被覆軟磁性粒子を複数具えてなる被覆軟磁性粉末を用いて圧粉成形体の製造する方法で、素材準備工程と、熱処理工程と、表面処理工程とを具える。素材準備工程では、被覆軟磁性粉末を加圧成形した素材成形体を用意する。熱処理工程では、素材成形体を加熱して熱処理する。表面処理工程では、素材成形体の表面の一部を酸処理する。素材成形体の表面の一部を酸処理することで、素材成形体の表面で複数の軟磁性粒子の構成材料同士が導通した導通部を除去することができ、圧粉成形体の損失を低減できる。 (もっと読む)


【課題】Ag電極と、それを被覆するNiめっき皮膜およびAuめっき皮膜を備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Agのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Agを主成分とする材料からなる外部電極本体の表面にNiめっき皮膜を形成し、さらに、Niめっき皮膜の表面にAuめっき皮膜を形成した後、Agを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、エッチング液として、鉄(III)塩、過酸化水素、およびペルオキソ2硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むエッチング液を用いる。
また、前記エッチング液として、硫酸鉄(III)アンモニウムを含むエッチング液を用いる。
また、エッチング液として、pHが1.0以上のものを用いる。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金のエッチング剤において、ホウ素、フッ素等の難排水処理性の成分を含むことなく、連続したエッチング処理を行っても安定したエッチング力が得られ、かつエッチングの良好な均一性、エッチング後の耐食性を得ることができる、耐老化性に優れたエッチング剤の組成物およびその処理方法の提供。
【解決手段】アミノカルボン酸を50質量部と、ヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸およびこれらの塩から選ばれる少なくとも1種を5〜300質量部と、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩および重炭酸塩から選ばれる少なくとも1種を10〜800質量部含むアルミニウムまたはアルミニウム合金用エッチング剤であって、かつ、このエッチング水溶液のpHが8〜10にあることを特徴とするアルミニウムまたはアルミニウム合金用エッチング剤。 (もっと読む)


【課題】金皮膜が付着したアルミニウム母材から、その母材に損傷を与えることなく、簡便且つ安価に高収率で金を回収することができる、金の回収方法を提供する。
【解決手段】シアンを含む剥離液に希硫酸などのpH調整剤を添加してpH5〜8.5の範囲に調整した溶液に、金皮膜が付着したアルミニウム母材を添加して反応を開始した後に、溶液に希硫酸などのpH調整剤を添加してpH5〜8.5の範囲に保持しながら、シアン補充液を溶液に添加して反応させて、溶液中に金を溶解させる。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム、アルミニウム合金表面を粗面化するための表面加工方法に関し、樹脂や異種金属、セラミック等との接着等に際し形状や材質にかかわらず、簡単な工程により強固な接着力が達成できるような接着性に優れた金属の表面処理方法、及び該表面処理方法により得られた表面を有する金属部材を提供する。
【解決手段】(1)Sn、Cu、Fe、Ni、Co、Bi、Sb、Ag及びTeからなる第一群の金属より選択される少なくとも1種の金属と(2)亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 (もっと読む)


【課題】調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。
【解決手段】銅をエッチングする調合物は、水溶液を含み、水溶液は、(a)ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選択される二座配位子、三座配位子、四座配位子の錯化剤、および、(b)酸化剤を含む。水溶液のpHは、5から12である。一実施形態では、エッチ液は、pH約6から10のエチレンジアミン(EDA)および過酸化水素を含む。銅層の実質的な表面を粗くせずに高速で銅をエッチングすることができる(例えば少なくとも約1,000Å/分)溶液が提供される。調合物は、半製品の半導体デバイスから銅を除去する(例えば銅積載部分をエッチングする)のに特に有益に用いられる。 (もっと読む)


【課題】 冷凍機、空気調和器、ヒートポンプ等の熱交換器用の、撥水性及び着霜防止性に優れるアルミニウム部材の製造方法およびそれを用いたフィンを提供する。
【解決手段】
第1工程:アルミニウムもしくはその合金を、水酸化リチウムを含む塩基と水と有機溶媒とを混合した塩基性混合溶液で処理することにより、アルミニウムもしくはその合金の表層部の少なくとも一部に、網目状多孔質の細孔を形成することを特徴とする網目状多孔質構造体を製造する工程。
第2工程:上記網目状多孔質構造体上に、撥水性被膜を付与する工程。 (もっと読む)


【課題】Cu金属膜とCu合金酸化物層を一括でエッチングするための、銅合金酸化物膜の溶解を制御することが可能で、とくに一括エッチングの対象となる積層において、Cu合金酸化物層を含む全ての層の溶解が適度なバランスで進む条件を実現するエッチング液およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングするためのエッチング液であって、過酸化物および有機酸を含む、前記エッチング液、および、基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングする方法であって、過酸化物および有機酸を含むエッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法。 (もっと読む)


【課題】化学的処理により、アルミニウムもしくはその合金の表層部の少なくとも一部に形成される網目多孔質構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】母材がアルミニウムもしくはその合金からなり、表層部の少なくとも一部を、水酸化リチウムを含む塩基と水と有機溶媒とを混合した塩基性混合溶液で処理して形成した網目状多孔質構造体であって、当該網目状多孔質構造体が、孔径5〜500nm、深さ0.05〜10μmの細孔であることを特徴とする網目状多孔質構造体。当該網目状多孔質構造体は微粒子の担体として有用であり、機能性を有する微粒子を担持固定させることにより、機能性部材を製造できる。 (もっと読む)


【課題】サイドエッチング量の抑制を図りながら、生産性に適するレベルでのエッチング速度を確保できるエッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体基板上において、金をエッチングレジストとしてチタン−タングステン系合金膜をエッチングするためのエッチング液として、過酸化水素、キレート剤、水酸化アルカリ、ヨウ素化合物を含むエッチング液、ならびにこのエッチング液を用いたエッチング方法を採用した。 (もっと読む)


【課題】処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。
【解決手段】酸エッチング方法は、アルミニウム系材料を鋳造及び/又は鍛造してなるアルミニウム系部材の表面を、無機酸を含むpH3以下の表面処理液で酸エッチングする方法であり、Fイオンとアルカリ金属イオンとを上記表面処理液に供給する供給工程2,11を含む。 (もっと読む)


【課題】銅箔圧延加工用エンボスローラの表面に付着した銅を容易かつ確実に取り除くことが可能なエンボスローラのメンテナンス方法およびメンテナンス装置を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有する銅箔圧延加工用エンボスローラのメンテナンス方法であって、エンボスローラを、銅アンモニア錯体を含むpH8〜13の銅エッチング液に浸漬し、エンボスローラの表面に付着した銅を溶解除去する。 (もっと読む)


【課題】CMPのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜にコンタクトホール32を形成する工程と、キャップSiO膜16にバリアメタル層21およびタングステン層22を堆積する工程と、バリアメタル層21およびタングステン層22の残膜値RTが所定値以上となるように、タングステン層22の上層部をウェットエッチングにより除去する工程と、キャップSiO膜16の表面に残存するタングステン層22をタングステンCMPにより除去する工程とを備える。CMPに先立ってウェットエッチングを行うことにより、CMPでの必要研磨量を減少させることができる。 (もっと読む)


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