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Fターム[4K061BA11]の内容

マッフル炉、ロータリキルン等 (2,497) | 被処理対象物 (477) | 半導体ウエハ (42)

Fターム[4K061BA11]に分類される特許

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【課題】温度安定時に温度を均一に維持することができ、昇降温時に容易に制御することができる。
【解決手段】制御装置51は個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモデル72aと、制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモデル72bをとることができる。昇降温時に少制御ゾーンモデル72bをとって少ない数の制御ゾーンC、…Cの温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC、…Cに設置されたヒータ18Aを個別に制御する。温度安定時に多制御ゾーンモデル72aをとって、多い数の制御ゾーンC、…C10の温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC、…C10に設置されたヒータ18Aを個別に制御する。 (もっと読む)


【課題】熱電対の設置コスト低減を図り、かつ熱電対からの信号を校正する必要がない熱処理装置を提供する。
【解決手段】基準領域Aの炉内温度センサはR熱電対またはS熱電対からなる第1熱電対81と、それ以外の熱電対からなる第2熱電対82とを有し、他の領域A、…A10の炉内温度センサは第2熱電対82を有し、基準領域Aの第2熱電対82と他の領域A、…A10の第2熱電対82は、起電力差回路83に接続され、この起電力差回路83によって基準領域Aと他の領域A、…A10との間の温度差が求められ、基準領域Aの第1熱電対81により基準領域Aの温度が求められ、この基準領域Aの温度と起電力差回路83で求めた温度差により、各他の領域A、…A10の温度が求められる。 (もっと読む)


【課題】熱処理用のチャンバーの内壁に処理ガスの成分を付着し難くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物を収容した容器20が、加熱対象物として熱処理チャンバー10内で加熱される。ガス供給部から供給される処理ガスがパイプ42等を通じて容器20の内部に導入され、その内部のガスがパイプ52等を通じてポンプ部に排出される。パイプ42,52により形成されるガス流路が、熱処理チャンバー10の空間から隔てられるため、熱処理チャンバー10内の空間に処理ガスが漏洩し難くなる。 (もっと読む)


【課題】触媒活性化用の加熱器を熱処理用のもので共用でき、装置の大型化およびコスト増を抑制し得る熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置1Aは、ワークWが収容される熱処理炉20、加熱器32および送風機33が設けられる空調部23、並びに熱処理炉20および空調部23を連通する連通路24,25を有する断熱室2を備えている。この熱処理装置1Aは、還流経路5および触媒6を備える。還流経路5は、空調部23から流出した空気を、空調部23における加熱器32の設けられた位置よりも上流側の部分に戻すように構成される。触媒6は、ワークWを熱処理する際にワークWから発生する昇華物を分解するものである。触媒6は、空調部23における加熱器32の設けられた位置よりも下流側の部分に設けられる。 (もっと読む)


【解決手段】半導体基板の熱処理工程に用いる熱処理炉であって、両側端面に半導体基板の挿入及び取り出し可能な大きさの開口部を有する円筒状の炉心管を具備することを特徴とする熱処理炉。
【効果】本発明によれば、半導体の連続熱処理時の各バッチ間の待機時間を減少させ、生産性を向上することが可能となった。また、炉芯管の構造を単純な円筒状形状としたことで、ガス導入管部分の破損頻度が低下し、熱処理工程のランニングコストを削減することができた。 (もっと読む)


【課題】簡素な構造で、取り扱いも容易であり、被加熱物全体をムラなく均等に加熱することができ、加熱効率も良好である加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置10は、断熱材11aで形成されたケーシング11内に、被加熱物Wを収容する円筒状の収容部材12と、収容部材12の外周面12aから隙間Vを隔てて配置された円筒状発熱体13と、収容部材12内にその軸心12c方向に沿った一定方向の気体流Rを発生させる送風ファン14と、を備えている。収容部材12はステンレス鋼管で形成されている。円筒状発熱体13は収容部材12の外周面12aを囲繞するような状態で、且つ、収容部材12の軸心12cと、円筒状発熱体13との軸心13cとが同軸をなすように配置されている。収容部材12の後方開口部12rに臨む領域に配置された送風ファン14の回転軸14aも軸心12c,13cと同軸をなしている。 (もっと読む)


【課題】高精度なプロセス処理および高い安全性を実現することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置10は、基板を処理する反応管42と、反応管42を支持するマニホールド44と、反応管42の周囲に設けられ反応管42内を加熱するヒータ46と、ヒータ46より下方の反応管42の側方を囲うように設けられる囲い部500と、囲い部500と反応管42との間の間隙506を強制排気する排気装置301と、反応管42とマニホールド44との間の当接部に設けられる密閉部材150と、を有し、囲い部500には、排気装置が囲い部500の外側の雰囲気を間隙506へ吸気する吸気口501が設けられる。 (もっと読む)


本発明は、基板(20)を熱加工するための熱処理内側チャンバ(3)であって、壁(10)を備え、該壁(10)は、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)を包囲し、熱加工の間に基板(20)を支承するための支承装置(8)を備え、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)にエネルギを導入するためのエネルギ源(11)を備え、壁(10)の内側面の少なくとも一部は、エネルギ源(11)により導入される出力を反射するように形成されるものにおいて、壁(10)の内側面の少なくとも一部は、少なくとも赤外線高反射性の材料から成ることを特徴とする。さらに本発明は、基板(20)を熱加工するための熱処理内側チャンバ(3)であって、壁(10)を備え、該壁(10)は、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)を包囲し、熱加工の間に基板(20)を支承するための支承装置(8)を備え、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)にエネルギを導入するためのエネルギ源(11)を備えるものにおいて、壁(10)の少なくとも一部を冷却するための冷却装置(14)を設ける。
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【課題】真空熱処理装置のシーリング用Oリングの劣化を防止する。
【解決手段】加熱容器(3)を排気ポンプへ結合し且つ真空処理チャンバ内に収容する接合チャンバの開口周囲フランジ(13)と加熱容器(3)の開口周囲フランジ(15)との接合面はOリング(21)でシーリングされる。接合チャンバの開口フランジ(13)の開口縁にひさし状の突起部(24)を設け、約1μ程の接合面の隙間から輻射熱が入りOリングを加熱しないような構成によって、Oリングの劣化を防止している。 (もっと読む)


【課題】真空加熱処理作用が終了した被処理物へ対して加圧又は冷却用の気体を供給するとき、当該気体中に水分が含有されていると、その水分が被処理物に水分が付着することになり、被処理物に不良が発生するので、不良品の発生しない加圧冷却処理方法を提供する。
【解決手段】処理室24内を加圧又は冷却する際に気体供給源より送給される気体の温度及び蒸気圧を露点調整手段14によって調整し、気体を室24内に導入する時、当該処理室24内の露点が少なくともドライ・クリーンルーム内における気体の露点と同じか少なくともそれより僅かに低い露点になるように調整する。 (もっと読む)


【課題】低温域での昇温リカバリーにおける収束時間を短縮し、TATの短縮及びスループットの向上を図る。
【解決手段】制御装置は、処理容器内を初期温度から該初期温度よりも高く且つ100〜500℃の範囲内の目標温度にする温度制御を行うため、1つの制御量によりヒータ及び送風機への給電を制御し、正方向の絶対値の増加によりヒータへの給電を増加させ、負方向への絶対値の増加により送風機への給電を増加させるように制御量を準備する工程と、制御量に従って送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量で給電することにより目標温度下の所定温度まで処理容器内を加熱する工程と、所定温度になった時点から、制御量に従って、送風機に所定供給量で給電して冷却空気を送風すると共に、ヒータへの給電を停止することにより処理容器内を目標温度に収束させる工程と、次に制御量に従って、送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量よりも小さい値で給電することにより処理容器内を目標温度に維持する工程とを実行する。 (もっと読む)


【課題】単位枚数あたりのワークを処理するのに要する熱処理空間を拡張させることなく、また、炉体内部のクリーン度を維持しつつ、簡易な構成によって大型の平板状ワークを均一に加熱することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、炉体12、循環ファン22、加熱ヒータ20、耐熱フィルタ14、および熱風整流板16を備える。熱風整流板16は、耐熱フィルタ14とワーク18との間に配置される。熱風整流板16は、ワーク18の上面においては、第1の側面側からワークに供給される熱風の風量を、第2の側面側からワークに供給される熱風の風量よりも多くする一方で、同じワーク18の下面においては、第2の側面側からワーク18に供給される熱風の風量を、第1の側面側からワーク18に供給される熱風の風量よりも多くするようにする。 (もっと読む)


【課題】高温で熱処理が可能な熱処理炉を提供すべく、熱処理炉内の圧力変化があっても所定の熱処理雰囲気を維持可能となるエンドキャップ、及びそれを用いた熱処理炉を提供する。
【解決手段】シール面204を備えるシャッター部材により密閉可能な、熱処理炉の収容部の搬入口102に装着可能なエンドキャップであって、前記搬入口102の内周面に挿入される第1の挿入管部12と、連接し一周する溝15と、前記搬入口102にフランジ面18で当接可能な第1のフランジ20と、前記シール面204と当接してシール可能なフランジ面25を備える第2のフランジ24と、前記第1のフランジ及び前記第2のフランジの間の連結部に接続された炉内に連通する開口を備える排気管と、前記溝内に開口し、前記連結部から半径方向に突出するシールガス導入管と、を備えるエンドキャップ。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板を熱処理する熱処理装置を改良するものであり、メンテナンスを容易に行うことができる熱処理装置を開発する。
【解決手段】熱処理室12の略中央部には、基板換装システム18が配されて、基板換装システム18に載置棚16が設けられている。載置棚16の全部の段部23には、中央部分の小梁31が欠落した欠落部37を有し、当該欠落部37によって吹き抜け部38が設けられている。吹き抜け部38に作業者が入ることができる。 (もっと読む)


半導体層と被覆基板、特には少なくとも1つの導体層、半導体層、および/または絶縁層を含む平坦基板を、セレン元素および/または硫黄元素処理によって製造する方法に関する。少なくとも1つの金属層および/または少なくとも1つの金属含有層を備える少なくとも1つの基板を、処理チャンバ内に導入し、所定の温度にまで加熱し、それをセレンまたは硫黄と目標通りに化学反応させるために、処理チャンバの内部および/または外部に配置されたソースからのセレン元素および/または硫黄元素の蒸気を、軽い真空状態または大気圧状態または加圧状態の下で、キャリアガス、特には不活性のキャリアガスによって、金属層および/または金属含有層の上を通過させ、基板を、少なくとも1つのガスを配合した強制対流によって加熱する。本発明はまたそのような方法を実行するプロセス装置にも関する。
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【課題】ヒーターの絶縁支持構造の信頼性を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る熱処理装置1は、発熱体(ヒーター板H4)を支持する支持機構S4において、発熱体を支持する支持部材402が金属材料で構成されている。このため、発熱体が炭素系材料のような材料で構成されている場合でも、発熱体と第2の部材との間の熱反応による当該第2の部材の変質あるいは融解を防止できる。また、支持部材402は電気絶縁性の絶縁部材403を介して金属製の支持軸401に支持されているため、発熱体の絶縁耐圧を安定に確保することができる。 (もっと読む)


【課題】 遮熱特性を低下させることなく大型化することが可能な扉を備えた熱処理装置を提供する。
【解決手段】IR炉10は、炉体12、扉20、および駆動ユニット28を備える。扉20は、シャッタ26およびメインフレーム22を備える。シャッタ26は、炉体12の内部および外部を熱的に遮断する。また、シャッタ26は、扉20の長さ方向に沿って連続して配置された複数のシャッタ片262を有する。メインフレーム22は、複数のシャッタ片262の少なくとも一部が長さ方向で移動自在になるようにシャッタ26を支持するように構成される。また、メインフレーム22は、駆動ユニット28に接続されるように構成される。 (もっと読む)


【課題】基板と基板支持部の接触面積を増加させることにより、焼成装置の内部温度が上昇及び下降することで、基板支持部が収縮・膨脹しながら、基板にスクラッチを発生させることを防止できる基板焼成装置を提供する。
【解決手段】焼成炉10内部に熱を供給して基板Sを焼成温度で加熱する加熱部21と、前記基板Sが積載されるように内側面に水平に設置される支持フレーム30a及び前記支持フレーム30aの一領域から中央部側へ突出する少なくとも1つの支持ピン30bとを備え、上下方向に一定間隔で設置される石英材質の第1支持部30、前記第1支持部30の前記支持ピン30b上に配置されて前記基板S下部面の枠と一定領域だけ接触するように設置される石英材質の第2支持部40とを有する。 (もっと読む)


【課題】昇華物が導出ダクト内で堆積することを抑制することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置1Aは、熱処理部21内に被処理物Wが収容された状態で、熱処理部21内の空気を循環させながら加熱することにより被処理物Wを熱処理するとともに、外気を加熱して熱処理部21内に送り込みつつ熱処理部21内の空気を導出ダクト5内に流出させることにより熱処理部21内を換気するものである。前記導出ダクト5には、被処理物Wを熱処理する際に当該被処理物から発生する昇華物を分解可能な触媒6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮時の支持体と抵抗発熱体との間の摩擦抵抗を低減して抵抗発熱体の残留応力による永久歪の発生を抑制し、耐久性の向上を図る。
【解決手段】被処理体wを収容して熱処理するための処理容器3を囲繞する筒状の断熱材4と、該断熱材4の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体5と、上記断熱材4の内周面に軸方向に沿って設けられ抵抗発熱体5を所定ピッチで支持する支持体13と、上記抵抗発熱体5の外側に軸方向に適宜間隔で配置され断熱材4を径方向に貫通して外部に延出された複数の端子板14とを備えた熱処理炉において、上記支持体13は断熱材4に一端が埋め込まれ、他端が径方向内方へ突出された複数本の管状部材51から成り、該管状部材51の曲面状の上面部に上記抵抗発熱体5が支持され、上下に隣り合う上記管状部材51の先端部間には、上記抵抗発熱体5の脱落を防止するための線状部材55が掛け渡され、該線状部材55の両端部55aが上下の上記管状部材51の軸孔を通り断熱材4中に埋設されて固定されている。 (もっと読む)


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