【課題】加熱炉内のクリーン度（米国連邦規格２０９Ｄ）をクラス１０レベルに高く保つことができるローラーハースキルンに関する技術を提供すること。
【解決手段】金属製ケース内に断熱材を充填した断熱壁で天井部３・床部４・左右側壁部５を構成した炉内空間にワーク搬送用の低発塵性ローラー６を備えた本体部１と、該本体部全体を覆う外殻２を有し、該本体部の左右側壁部に形成されたローラー貫通孔１２を貫通した低発塵性ローラー６を、外殻に設けた低発塵性ローラー駆動部７で支持し、炉内空間には、低発塵性ヒータ８を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板を高温で処理する場合においても、熱によるチャンバーの変形を有効に防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置は、チャンバー１と、第２チャンバー２と、フレームカバー３とを、この順序で順次外側に配置した三重構造を有する。そして、チャンバー１内には、基板１００を加熱して処理するためのホットプレート４が配設されている。第２チャンバー２は、いずれも金属板から構成される上蓋２１、本体２２およびフード２６と、これらの上蓋２１、本体２２およびフード２６の内面に配設された断熱材２３とを備える。この第２チャンバー２は、チャンバーベース２７とともに、チャンバー１を囲う断熱領域ＴＩを形成する。すなわち、チャンバー１と第２チャンバー２との間には、外部との空気の流通が制限された空気断熱層から構成される断熱領域ＴＩが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱、焼成する製品の加熱温度や雰囲気条件等に関係なく使用することができる加熱炉用ヒーターを提供する。
【解決手段】加熱炉用ヒーター１０の第１ヒーターパイプ体２０、第２ヒーターパイプ体２２、第３ヒーターパイプ体２４、第４ヒーターパイプ体２６、第５ヒーターパイプ体２８はカバーパイプ３０と第１保持体３２と第２保持体３４を有している。第１保持体３２にはガス通路３２Ａと水通路３２Ｂが貫通形成され、第２保持体３４にはガス通路３４Ａと水通路３４Ｂが貫通形成されている。カバーパイプ３０の中間部には発熱体としてのカーボン体４２が配設されている。また、カバーパイプ３０の内部にはガス通過隙間４３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】可及的安価な構成で、且つ、吸気した清浄な空気を熱効率よく加温することのできる熱処理炉を提供する。
【解決手段】炉内に設けた加熱室３の空気を炉外へ排気しつつ、清浄な空気を前記加熱室に供給１２して同加熱室内を換気する熱処理炉において、前記加熱室に面する炉壁内に前記加熱室の空気を排気するための流路５を形成し、同流路を経た排気との熱交換によって加温した前記清浄な空気を前記加熱室に供給することとした。また、前記排気と前記清浄な空気との熱交換を行う熱交換器２５を前記炉内に設けたこと、前記清浄な空気を前記熱交換器に導く配管２６の少なくとも一部を前記炉内に配設したこと、前記炉内に前記加熱室を多段状に複数設け、各加熱室からの排気を前記流路に集合させたことにも特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】加熱炉の複数箇所の開口部から吸引する雰囲気ガスの流量比を容易に調整できる雰囲気ガスの流量調整機構を提供する。
【解決手段】加熱炉の複数箇所の各開口部に接続される複数の吸引口を有する分岐配管と該分岐配管の下流側端部に接続される単一のブロアとを備え、該分岐配管の少なくとも１つ以上の吸引口に、雰囲気ガスが通過する穴が形成された流量調整板を取り付け、流量調整板の穴の面積を変えることにより、加熱炉の複数箇所の開口部から吸引される雰囲気ガスの流量比を調整し、ブロアの出力を変えることにより吸引ガスの総量を調整する。 （もっと読む）

【課題】高炉製銑法に代わり、高エネルギ効率で溶融銑鉄を製造することができ、また所謂都市鉱山から貴金属等を回収することができ、更に、シリコン基板を高効率で製造することができるマイクロ波加熱炉を提供する。
【解決手段】マイクロ波ビームは、円筒状の支持板からこの円筒中心に配置された溶解炉１０の反応容器１１に向けて照射され、この間に、電力密度を増加させる。マイクロ波ビームは、溶解炉１０のマイクロ波窓１４から溶解炉１０内部に導入され、副反射鏡１６で反射して主反射鏡１３に向かい、主反射鏡１３で反射して、反応容器１１の容器空間内の収容物１２に向かう。収容物１２及び反応容器１１からは、赤外線が放射されるが、この赤外線は、主反射鏡１３の一部に設けられた段差反射面１５により反射して、収容物１２に戻る。マイクロ波ビーム及び赤外線が、主反射鏡１３と反応容器１１との間に閉じ込められて、収容物１２が加熱される。 （もっと読む）

【課題】空間内の効率的な気体置換を簡易に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】気体置換装置１は、空間１０Ｓを形成するグローブボックス１０内の気体を置換するためのものであり、前記気体置換装置１は、窒素ガスを供給する送風部４０と、前記グローブボックス１０に接続されて前記送風部４０から供給される窒素ガスを前記グローブボックス１０に導入する導入管２１を含む導入部２０と、前記グローブボックス１０内の窒素ガスを排出する排出部３０と、前記導入管２１の開口面積を変更する三方バルブを備え、前記三方バルブは、前記グローブボックス１０内について、気体が置換される前よりも置換された後において、前記導入管２１の開口面積が大きくなるように変更する。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたって使用した場合にも発光管の破損が生じない長寿命のハロゲンヒータランプユニットおよび熱処理装置を提供することにある。
【解決手段】熱処理装置は、ワークを加熱する熱処理空間を取り囲む、断熱材からなる断熱筐体１１と、当該断熱筐体の上壁に形成された挿入孔１５に挿通されるよう配設された筒状体３０と、ワークを加熱する熱源として、水平部およびその両端から垂直方向に伸びる垂直部よりなるＵ字状の発光管を備え、発光管内における少なくとも水平部２１Ａにフィラメントが配設されたハロゲンヒータランプ２０とを備える熱処理装置であって、当該ハロゲンヒータランプが、当該ハロゲンヒータランプの発光管の各々の垂直部が前記筒状体内に当該垂直部の外周面と前記筒状体の内周面との間に間隙を介する状態で挿通されるよう配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータの本体部分のみならず端部における防爆対策をも併せ持った二重管式ヒータの防爆構造を提供する。
【解決手段】フィラメント１２が封入された石英管１３を、冷却流体が供給される外側管１４の内部に封入して二重管式ヒータとし、その端子部にリード線収納用のチューブ１８を取り付け、このチューブ１８の内部にパージエアを供給して炉内ガスの侵入を阻止した。可燃性の有機溶媒蒸気が発生するワークを乾燥する炉の加熱源として適している。 （もっと読む）

【課題】別個の装置を必要とせず、簡単な構成で軸受を冷却することが可能であり、設備コストおよび運転コストの削減を可能とした熱処理装置を提供する。
【解決手段】この発明の熱処理装置１は、熱処理炉２、攪拌翼４、軸受５，６、および回転翼７を備える。熱処理炉２は被処理物を収容する。攪拌翼４は、熱処理炉２の炉壁を貫通して熱処理炉２の内部と外部とにわたって配置される駆動軸１８の先端に取付けられ、炉内の雰囲気ガスを攪拌する。軸受５，６は、熱処理炉外に軸受保持部材１４，１６を用いて取付けられ、駆動軸１８を軸承する。回転翼７は、駆動軸１８に固定される。この構成において、駆動軸１８により回転翼７が回転されることにより生ずる空気流により軸受保持部材１４，１６および軸受５，６が冷却される。 （もっと読む）

【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられており、前記被処理物通路１２は、前記ジョイント部１５の接合位置を維持したままで、前記出口端が前記接合位置に対して接近・離反するようにして伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】温度安定時に温度を均一に維持することができ、昇降温時に容易に制御することができる。
【解決手段】制御装置５１は個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモデル７２ａと、制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモデル７２ｂをとることができる。昇降温時に少制御ゾーンモデル７２ｂをとって少ない数の制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_５の温度センサ５０からの信号に基づいて、各制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_５に設置されたヒータ１８Ａを個別に制御する。温度安定時に多制御ゾーンモデル７２ａをとって、多い数の制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_１０の温度センサ５０からの信号に基づいて、各制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_１０に設置されたヒータ１８Ａを個別に制御する。 （もっと読む）

【課題】熱処理用のチャンバーの内壁に処理ガスの成分を付着し難くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物を収容した容器２０が、加熱対象物として熱処理チャンバー１０内で加熱される。ガス供給部から供給される処理ガスがパイプ４２等を通じて容器２０の内部に導入され、その内部のガスがパイプ５２等を通じてポンプ部に排出される。パイプ４２，５２により形成されるガス流路が、熱処理チャンバー１０の空間から隔てられるため、熱処理チャンバー１０内の空間に処理ガスが漏洩し難くなる。 （もっと読む）

【課題】高い加熱効率を図ることができると共に、被加熱物の温度分布の均一化を図ることができる加熱処理制御装置および加熱処理制御方法を提供する。
【解決手段】オフラインＰＣ１０は、シミュレーションに必要な被加熱物Ｗのデータと電気炉１のデータとにより、被加熱物Ｗの内部を含む全体を均熱加熱するためのシミュレーションを行って、時間ごとの加熱温度を示す加熱温度データとして算出する。次に、制御用ＰＣ２０は、加熱温度データに応じて加熱手段の出力を制御する。このとき、温度センサからの測定温度データに基づいて推定変動温度データを算出し、この推定変動温度データに応じてヒーターＫを制御する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の面分布をより均一化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】支持部３により支持されたウェハと対向して平面状に配設された複数の熱源が熱源部２に設けられており、前記熱源が配設される平面と平行な方向において熱源部２と支持部３とが相対的に変位するように、前記熱源部２を旋回運動させる機構部４を有する、前記熱源部２を前記支持部３に対して旋回させることで、各熱源の放射熱がウェハの面上において分散されるため、前記熱源部２と前記支持部３との相対位置が固定されている通常の加熱装置に比べて、ウェハ上における放射熱の面分布のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材を処理するのに用いられるインライン設備に関する。
【解決手段】幾つかの用途では、当該設備は、ＰＶ電池又はモジュールのインライン製造において用いられる。幾つかの実施態様では、基材の熱処理のための複数の加熱技術を含む加熱システムが提供され、第１の加熱システムが基材の温度を所望の設定値に急速に上昇させるのに用いられ、第２の加熱システムが熱処理プロセス全体を通して基材を設定値の温度に維持するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表裏に電極を設ける際の焼成工程に利用される熱処理装置を改良するものであり、焼成に際して理想的な温度プロファイルを実現する。
【解決手段】熱処理部を有しており、熱処理部は、断熱筐体内に棚状部材（設置部及び熱源部）１１が設けられたものである。棚状部材１１は、７段の棚部材１６ａ〜１６ｇを有し、棚部材１６ｂの内部は、上下のユニット室２５，２６に仕切られている。上下のユニット室２５，２６には、それぞれ９本の横列用ハロゲンランプ２７と、３６本の縦列用ハロゲンランプ２８が縦横格子状に配列されていて熱源ユニット３５が構成されている。各熱源ユニット３５の照度は、個々に制御され、上下の熱源ユニット群４７の照度を異ならせたり、一つの段の上側の熱源ユニット３５と、他の段の上側の熱源ユニット３５の照度に変化を付けることもできる。また点灯中に照度を変えることもできる。 （もっと読む）

【課題】触媒活性化用の加熱器を熱処理用のもので共用でき、装置の大型化およびコスト増を抑制し得る熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１Ａは、ワークＷが収容される熱処理炉２０、加熱器３２および送風機３３が設けられる空調部２３、並びに熱処理炉２０および空調部２３を連通する連通路２４，２５を有する断熱室２を備えている。この熱処理装置１Ａは、還流経路５および触媒６を備える。還流経路５は、空調部２３から流出した空気を、空調部２３における加熱器３２の設けられた位置よりも上流側の部分に戻すように構成される。触媒６は、ワークＷを熱処理する際にワークＷから発生する昇華物を分解するものである。触媒６は、空調部２３における加熱器３２の設けられた位置よりも下流側の部分に設けられる。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の分布の均一性を確保しつつ、より高い温度で加熱できる加熱装置を提供する。
【解決手段】複数の棒状の赤外線ランプ１１が平面上に平行に配置され、この赤外線ランプ１１が配置される平面と対向する平面上に複数の棒状の赤外線ランプ１２が平行に配置されており、各赤外線ランプ１１，１２には、長手方向に等間隔に配置され、電気的に直列に接続された複数の同一長さの発熱部が含まれ、当該赤外線ランプ１１，１２が配置される平面に対して垂直な向から見た平面視において、当該赤外線ランプ１１，１２に含まれる複数の発熱部が規則的なパターンを構成し、平面上に均一に分布する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ等の基板の熱処理工程の処理時間を短縮する。
【解決手段】 本願に係る熱処理方法は、加熱した上輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の上面側に対向する位置まで移動させるとともに、加熱した下輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の下面側に対向する位置まで移動させる工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内に搬入する工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内から搬出する工程と、を備えている。 （もっと読む）