【課題】長期間にわたって使用した場合にも発光管の破損が生じない長寿命のハロゲンヒータランプユニットおよび熱処理装置を提供することにある。
【解決手段】熱処理装置は、ワークを加熱する熱処理空間を取り囲む、断熱材からなる断熱筐体１１と、当該断熱筐体の上壁に形成された挿入孔１５に挿通されるよう配設された筒状体３０と、ワークを加熱する熱源として、水平部およびその両端から垂直方向に伸びる垂直部よりなるＵ字状の発光管を備え、発光管内における少なくとも水平部２１Ａにフィラメントが配設されたハロゲンヒータランプ２０とを備える熱処理装置であって、当該ハロゲンヒータランプが、当該ハロゲンヒータランプの発光管の各々の垂直部が前記筒状体内に当該垂直部の外周面と前記筒状体の内周面との間に間隙を介する状態で挿通されるよう配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対象物をムラなく均一に高温加熱しながら高精度に計測するため、加熱装置を密閉構造とすることなく、さらに対象物をステージ動作させながらでも、対象物の加熱及び計測を可能とする加熱装置を提供する。
【解決手段】対象物６の上面に計測用に設けた開口部１０を有するプレート型ヒーター５を配置し、前記対象物６の下面には接触式または非接触式の加熱ユニット７と、前記対象物６を支持する支持体１１とで構成された加熱ケース９をステージに搭載し、ステージ動作させながら対象物６の加熱と計測を可能とする加熱装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の面分布をより均一化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】支持部３により支持されたウェハと対向して平面状に配設された複数の熱源が熱源部２に設けられており、前記熱源が配設される平面と平行な方向において熱源部２と支持部３とが相対的に変位するように、前記熱源部２を旋回運動させる機構部４を有する、前記熱源部２を前記支持部３に対して旋回させることで、各熱源の放射熱がウェハの面上において分散されるため、前記熱源部２と前記支持部３との相対位置が固定されている通常の加熱装置に比べて、ウェハ上における放射熱の面分布のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表裏に電極を設ける際の焼成工程に利用される熱処理装置を改良するものであり、焼成に際して理想的な温度プロファイルを実現する。
【解決手段】熱処理部を有しており、熱処理部は、断熱筐体内に棚状部材（設置部及び熱源部）１１が設けられたものである。棚状部材１１は、７段の棚部材１６ａ〜１６ｇを有し、棚部材１６ｂの内部は、上下のユニット室２５，２６に仕切られている。上下のユニット室２５，２６には、それぞれ９本の横列用ハロゲンランプ２７と、３６本の縦列用ハロゲンランプ２８が縦横格子状に配列されていて熱源ユニット３５が構成されている。各熱源ユニット３５の照度は、個々に制御され、上下の熱源ユニット群４７の照度を異ならせたり、一つの段の上側の熱源ユニット３５と、他の段の上側の熱源ユニット３５の照度に変化を付けることもできる。また点灯中に照度を変えることもできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材を処理するのに用いられるインライン設備に関する。
【解決手段】幾つかの用途では、当該設備は、ＰＶ電池又はモジュールのインライン製造において用いられる。幾つかの実施態様では、基材の熱処理のための複数の加熱技術を含む加熱システムが提供され、第１の加熱システムが基材の温度を所望の設定値に急速に上昇させるのに用いられ、第２の加熱システムが熱処理プロセス全体を通して基材を設定値の温度に維持するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の分布の均一性を確保しつつ、より高い温度で加熱できる加熱装置を提供する。
【解決手段】複数の棒状の赤外線ランプ１１が平面上に平行に配置され、この赤外線ランプ１１が配置される平面と対向する平面上に複数の棒状の赤外線ランプ１２が平行に配置されており、各赤外線ランプ１１，１２には、長手方向に等間隔に配置され、電気的に直列に接続された複数の同一長さの発熱部が含まれ、当該赤外線ランプ１１，１２が配置される平面に対して垂直な向から見た平面視において、当該赤外線ランプ１１，１２に含まれる複数の発熱部が規則的なパターンを構成し、平面上に均一に分布する。 （もっと読む）

【課題】領域毎に加熱状態を制御できる赤外線加熱装置の提供
【解決手段】赤外線加熱装置１００は、近赤外線を高張力鋼板Ｂ１に放射することによって加熱するものである。赤外線加熱装置１００は、赤外線照射ユニット１１、加工材料載置テーブル１５、及び制御装置１９を有している。赤外線照射ユニット１１のように、複数の赤外線ランプ１１１、複数のリフレクタ１１３をマトリックス状に配置することによって、１枚の高張力鋼板Ｂ１に対して、領域毎に複数種類の加熱状態を形成する。例えば、１枚の高張力鋼板Ｂ１を右側領域と左側領域に分けて、それぞれ１０００℃、３００℃というように、２つの別の温度に加熱することができる。この場合、赤外線照射ユニット１１の場合、マトリックス状に配置されている赤外線ランプ１１１のうち、左側の２列については比較的低い出力で、その他領域については高出力で、赤外線ランプ１１１を照射する。 （もっと読む）

【課題】金属の板状体を近赤外線加熱する際、近赤外線加熱装置全体としての出力比率を低下させる場合でも、吸収率の低下が少ないようにして加熱する手段を提供する。
【解決手段】点灯する近赤外線ランプを加熱温度に応じて選択し、選択された近赤外線ランプを、加熱温度に応じた４０％以上の出力比率で点灯する。点灯する近赤外線ランプを選択する際には、点灯する近赤外線ランプの板幅方向の間隔が５０ｍｍを超えないようにする。 （もっと読む）

【課題】従来の反射鏡による集光加熱装置において熱エネルギーの効率が低いという問題があるので、高い効率で加熱対象物を加熱する集光加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】集光加熱装置において、ハロゲンランプ或いはキセノンランプなどの点状光源から全方位に放射される光を、点状光源をほぼ覆ってしまう受光面に備えた光ファイバー束を通して、加熱対象物を設置した空間に導くことにより、加熱する。 （もっと読む）

【課題】イオン活性化および格子修復の目的のための半導体ウェハのアニーリングに加えて、他の用途も、半導体ウェハなど加工物を熱処理するための改善方法を提供する。
【解決手段】加工物を中間温度まで予熱すること、加工物の表面を中間温度よりも高い所望の温度まで加熱すること、および加工物の冷却を促進することを含む。冷却の促進は、加工物によって熱放出された放射を吸収することを含むことができる。半導体加熱方法および装置も開示される。装置３０は、半導体ウェハの第１の表面４２を加熱するための第１の熱源４０と、半導体ウェハの第２の表面４６を加熱するための第２の熱源４４と、第１の熱源４０と半導体ウェハ３４との間に配置された第１の冷却窓６５とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】
処理対象であるワークピースまたは媒体を第１の処理温度まで加熱する第１の処理セクションと、ワークピースまたは媒体を均一温度とする温度適応化セクションと、ワークピースまたは媒体を第２の処理温度に遷移させる第２の処理セクションとを備える熱処理プラントであって、温度適応化セクションの少なくとも大部分が、ワークピースまたは媒体が、実質的に自身の熱輻射の再帰反射によって均一温度まで遷移して均一温度を維持するように、ワークピースまたは媒体の熱輻射を反射する反射性材料でライニングされている。 （もっと読む）

【課題】 搬送治具に載置した反射板を長期間、連続使用でき、反射板の耐久性が向上すると共に、高いエネルギー効率で被処理物に皮膜材を焼成して成膜する焼成炉および皮膜形成方法を提供すること。
【解決手段】 赤外線を照射し、皮膜材３を被処理物２に焼成して成膜する皮膜形成方法であって、皮膜材３を塗布した被処理物２を載置すると共に、反射板１３〜１６を配備した搬送治具１１を有する搬送装置１０により、被処理物２を焼成ゾーン２０に搬送し、焼成ゾーン２０のランプユニット２１からの赤外線を直接、被処理物２に照射すると共に、反射板１３〜１６で反射させ被処理物２の皮膜材３の塗布部分２ａと、塗布部分２ａ以外の照射部分２ｂ、２ｃに照射し皮膜材３を焼成する。次に搬送装置１０で被処理物２を冷却ゾーン３０に搬送し、皮膜材３を焼成した被処理物２と反射板１３〜１６とを冷却する。 （もっと読む）

【課題】被熱処理物を複数の異なるヒートカーブにて熱処理するために適した熱処理炉を提供する。
【解決手段】熱処理炉１は、複数の熱処理室２６を有する炉本体２１と、熱処理室２６の各室を独立に温度制御可能な温度制御手段と、入口外または出口外にて片持ち支持され、搬送方向の複数の熱処理室２６を貫通し、被熱処理物２を搬送するための片持ちビーム１１と、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動可能なビーム駆動機構とを備える。片持ちビーム１１の先端部１１ｔに被熱処理物２を保持させ、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動することにより、入口２２から被熱処理物２を導入して複数の熱処理室２６にて熱処理し、出口２３から排出する。 （もっと読む）

【課題】アルミ合金のような反射率の高い表面状態を有する金属でも所定の短時間内で材料表面全体にわたり、比較的高温度まで所定の狭い温度差の範囲内で均一に加熱することのできる熱風循環・近赤外線加熱併用式連続炉を提供する。
【解決手段】熱風循環・近赤外線加熱併用式連続炉を、被処理品Ｗを載せて加熱炉内を通過させるメッシュベルトコンベア２と、加熱炉内に配置されるシーズヒータ５と、加熱炉内に配置したシロッコファン６と、該シロッコファン６を介して前記メッシュベルトコンベア２の上側近傍に多数の熱風吹き出し口を設けた熱風吹き出し部材８と、前記メッシュベルトコンベア２の上側と下側に配置される近赤外線ランプヒータ９、１０と、で構成する。 （もっと読む）

【課題】処理材を効率よく加熱する。
【解決手段】制御部６が有する電力関数生成部１１が、負荷２の発熱スペクトルと処理材の熱吸収スペクトルとが一致するように、ＰＡＭ変換器４が有するパワートランジスタＧ１１、Ｇ１２を制御するための電力波形を生成する。電力関数生成部１１からの出力電力がパルス変換器１３によりパルス変換された後に、ＰＡＭ変換器４のパワートランジスタＧ１１、Ｇ１２をＯＮ、ＯＦＦ制御するパルスに変換する。 （もっと読む）

【課題】 パイロメーターを備えたランプアニール装置において、パイロメーターに処理対象物を透過した光が入射する場合であっても、精度よく温度検出を行え、もって処理対象物の温度制御を精度よく行えるようにする。
【解決手段】 加熱処理を行うに先立ち、処理対象物１１の透過率を求める。処理対象物１１が存在しない状態で上部ランプ１２からの光が入射したときのパイロメーター１４の出力を基準として、処理対象物１１を透過した光が入射したときのパイロメーターの出力の比を求め、透過率とする。求めた透過率を記憶部１７に記憶させ、加熱処理を行う際、パイロメーター１４の出力を透過率に基づいて補正する。これにより、高精度の温度検出及び温度制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】一般の研究室レベルでも使用できる低価格で省電力で行える新規な超高温超高速赤外線熱処理装置を提供する。
【解決手段】赤外線放射側１／２回転楕円反射ミラー２と赤外線集光側１／２回転楕円集光ミラー２とからなる赤外線加熱部１を構成し、赤外線ランプ４を赤外線放射側１／２回転楕円反射ミラー２の焦点位置に設けてあり、加熱試料を赤外線集光側１／２楕円集光ミラー３の焦点位置に配置し、上記加熱試料を真空下に配置してある。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネル等の加熱処理を行う際に、被加熱物の乾燥ムラを防止できる加熱処理方法および加熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱処理装置１には搬入口６から搬入される被加熱物２を加熱室を貫通して搬出口７まで搬送する搬送ローラ９と上下から加熱する複数のヒータ１０を備える。複数の加熱室Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ下部に給気口１３を、上部に排気口１４を備える。加熱室毎に温風を給排気し、各加熱室の温風の給気量と排気量の比を、被加熱物の温度が上昇する方向に向かって気流が生成されるように設定する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で安定した加熱を行うことができるとともに、消費電力を抑制することのできる加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱装置は、第１の加熱板１と、第１の加熱板１とは所定の距離離間して対向するように配置され、複数の穴５が形成された第２の加熱板２と、第２の加熱板２の面２ａから所定の距離離間して配置されるハロゲンヒータ３とを備えている。加熱装置は、加熱対象物４を第１の加熱板１と第２の加熱板２との間に介在させ、当該加熱対象物４を加熱する。 （もっと読む）

【課題】熱風供給装置６を共有させることにより製造コストをダウンさせた熱処理炉を提供する。
【解決手段】外側筐体１と、上方空間１Ａが形成されるように外側筐体１の内側に設けられるとともに上面に上部開口２ａが設けられ、その内部が第１の領域Ｘ２と第２の領域Ｘ１とに分かれている内側筐体２と、外側筐体１及び内側筐体２の内部を貫通するように設けられ、内側筐体２内部をワーク３０が通過するように搬送するワーク搬送装置３と、上部開口２ａとワーク搬送装置３との間且つワーク搬送方向Ｘに、複数個が互いの間に隙間５２が形成されるように並列に配置されてワークを加熱するヒータ装置５と、上方空間１Ａと上部開口２ａとヒータ装置５間の隙間５２とを通過してワークを加熱する熱風６ａを供給する単一の熱風供給装置６と、熱風６ａの供給量が第１の領域Ｘ２よりも第２の領域Ｘ１の方が多くなるように調整する熱風供給量調整機構とを有する。 （もっと読む）