【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界集中を緩和することで十分なサージ電流耐性を有した半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、炭化珪素からなる第１導電型の半導体層としてのｎ型半導体層１と、ｎ型半導体層１表層において、ショットキーダイオードの素子領域を平面視上囲んで形成された、第２導電型の第１不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ａと、ｎ型半導体層１表層において、素子領域を、少なくともｐ＋＋型半導体層５ａの平面視上外側から囲んで形成された、第２導電型の第２不純物層としてのｐ＋＋型半導体層５ｂと、ｐ＋＋型半導体層５ａ表層まで延設して素子領域上に形成されたアノード電極３とを備え、ｐ＋＋型半導体層５ａの不純物濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】電極金属がＳｉＣ単結晶基板内に拡散するのを防止してオーミック電極を形成することができるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板上にオーミック電極を形成する工程を含むＳｉＣ半導体素子の製造方法において、
上記ＳｉＣ基板にそれよりも欠陥密度の高いゲッタリング層を基板面に並行して形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成することを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いバリア性を有するＣｕ−Ｍｎ合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材１０であって、濃度が８原子％以上３０原子％以下のＭｎと、不可避的不純物とを含むＣｕ−Ｍｎ合金からなり、Ｃｕ−Ｍｎ合金の平均結晶粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】薄型化された炭化シリコン基板による低抵抗化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、炭化シリコン基板と、半導体層と、絶縁膜と、補強基板と、第１の電極と、第２の電極とを備えている。半導体層は、炭化シリコン基板の第２の面上に設けられ、素子領域と素子領域よりも端部側の周辺領域とを有する。絶縁膜は、半導体層の周辺領域の表面上に設けられている。補強基板は、周辺領域における絶縁膜上に設けられている。第１の電極は、炭化シリコン基板の第１の面に接して設けられている。第２の電極は、素子領域の表面に接して設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ型のＨＥＭＴ構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、窒化物半導体からなる電子走行層３と、電子走行層３に積層され、電子走行層３とはＡｌ組成が異なり、Ａｌを含む窒化物半導体からなる電子供給層４と、電子供給層４と電子走行層３との界面に連続する界面を有し、電子走行層３上に形成された酸化膜１１と、酸化膜１１を挟んで電子走行層３に対向するゲート電極８とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面と、第１の面と反対の第２の面とを有する炭化珪素半導体層１１０が準備される。炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う金属層と、炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う熱酸化膜１３０とが形成される。金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。金属層を形成する工程は、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い材料を用いて行われる。電極１５０を形成する工程において電極１５０の表面上に炭素が偏析する。電極１５０の表面および熱酸化膜１３０の表面の両方において、炭素を除去可能なエッチングが行われる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】４°以下のオフ角を有するＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成され、その表面１０に０．５ｎｍ以上の高さのステップバンチング９が形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ステップバンチング９の線密度を４０ｃｍ^−１以下にする。 （もっと読む）

【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半
導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを
課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレ
イン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート
絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は
側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素デバイスの改善されたエッジ終端構造を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素半導体デバイス用のエッジ終端構造は、少なくとも炭化ケイ素ベース接合を部分的に取り囲んで、炭化ケイ素層中において、所定間隔で配置された複数の同心円のフローティングガードリング３４を有すると共に、フローティングガードリング上に設けられた絶縁層、及びフローティングガードリング同士の間でかつ炭化ケイ素層の表面の近くに設けられた炭化ケイ素表面電荷補償領域３８を有する。炭化ケイ素層上に窒化ケイ素層５６が設けられ、窒化ケイ素層上に有機保護層６６が設けられる。酸化膜層が窒化ケイ素層と炭化ケイ素層の表面との間に存在してもよい。エッジ終端構造の形成・製造方法を開示されている。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的特性が得られる不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線１０３と、第１の配線１０３上に形成され、第１の配線１０３に接続される第１のプラグ１０７及び第２のプラグ１０８と、第１電極１０９、第２電極１１３、及び抵抗変化層１１２を有し、第１のプラグ１０７上に形成され、第１電極１０９が第１のプラグ１０７と電気的に接続されている抵抗変化素子１１４と、抵抗変化素子１１４上に形成され、第２電極１１３と電気的に接続されている第２の配線１１９と、第２のプラグ１０８上に形成され、第２のプラグ１０８と電気的に接続されている第３の配線１２１とを備え、第１のプラグ１０７の上面と第２のプラグ１０８の上面とが略同一平面内に形成され、かつ第２の配線１１９の上面と第３の配線１２１の上面とが略同一平面内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（パワーＭＩＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】半導体層１０３を挟んでゲート電極１０５とドレイン電極１０２を形成し、ゲート電極１０５の側面に半導体層１０９を形成し、ゲート電極１０５の頂上部と重なる部分で、半導体層１０９とソース電極１１２が接する構造を有する。このようなパワーＭＩＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の間に５００Ｖ以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極１０５に制御用の信号を入力して使用する。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、低損失な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板にイオン注入する工程と、前記イオン注入がされた炭化珪素基板に第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理がされた炭化珪素基板に前記第１の熱処理より低温の第２の熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成されたデバイスに対して、低温の熱工程にて良好なオーミック特性を備える電極を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されるｎ型不純物領域上およびｐ型不純物領域上に金属シリサイド膜を形成し、ｎ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にリン（Ｐ）をイオン注入し、第１の熱処理を行い、ｐ型不純物領域上の金属シリサイド膜中にアルミニウム（Ａｌ）をイオン注入し、第１の熱処理よりも低温の第２の熱処理を行う （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板に接するように、オーミック電極となるシリサイド層を形成するに際して、炭化シリコン基板由来の炭素が、オーミック電極内に拡散して表面に析出するのが抑えられ、オーミック電極の上に電極層を密着性良く形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、炭化シリコン基板２のオーミック電極形成領域２ａにシリコン層を形成する第１工程と、シリコン層２上に金属層８を形成する第２工程と、熱処理を行うことによって、シリコン層２に含まれるＳｉと金属層８の構成元素とを反応させ炭化シリコン基板２と接するシリサイド層４１を形成する第３工程と、Ｓｉと反応せずに残存した金属層８を除去することによって、シリサイド層４１を露出させる第４工程とによってオーミック電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 この実施の形態は、ＳｉＣ半導体基板上に形成されたｎ型半導体領域とｐ型半導体領域を形成した半導体装置において、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域の両領域にまたがって、単一の金属電極用いて同時コンタクトを形成することを目的としている。
【解決手段】 この実施の形態の半導体装置は、導電性材料を用いた第１の電極２４０に、導電型がｐ型の第１の炭化珪素（ＳｉＣ）半導体部２２０と、導電型がｎ型の第２のＳｉＣ半導体部２３０とが接続され、前記第１の電極と前記第１の界面部において炭素（Ｃ）の面密度がピークになるようしている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第１の層、第１の層よりも低い炭素比率を有する第２の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第２の層が第１の層上に形成され、第２の層が金属電極に接し、第２の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第１の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 （もっと読む）