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Fターム[4M104AA03]の内容

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【課題】 リーク電流を低減することで、アクティブ領域の大きなSiCショットキーダイオードを高い良品率で提供する。
【解決手段】 SiCジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ショットキー接合界面にかかる電界強度を0.1MV/cm以下になるようにトレンチの深さと間隔を設定することで実現する。その結果として、リーク電流が低減し、アクティブ領域の大きなSiCショットキーダイオードを高い良品率で提供できる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であり、高い電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の導電膜と、酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜の側面に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極の上面の高さは、ゲート電極の上面の高さより低く、導電膜、ソース電極及びドレイン電極は、同一の金属元素を有する半導体装置である。また、ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とする。 (もっと読む)


【課題】低電流領域でのオン電圧を低減することができる、SiC−IGBTを備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極26と、エミッタ電極26に接続されたエミッタ領域41と、エミッタ領域41に対してSiC半導体層23の裏面25側にエミッタ領域41に接して形成されたチャネル領域39と、チャネル領域39に対してSiC半導体層23の裏面25側にチャネル領域39に接して形成されたSiCベース層33と、SiCベース層33に対してSiC半導体層23の裏面25側にSiCベース層33に接して形成されたコレクタ領域37と、コレクタ領域37に接続されたコレクタ電極27とを含む、SiC−IGBT9に対してMOSFET11を並列に接続する。 (もっと読む)


【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極220とチャネル40との間に、ゲート電極20に接する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)の層32と、チャネル40に接する、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の第2酸化物(不可避不純物を含み得る)の層34との積層酸化物30を備え、チャネル40が、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とからなるチャネル用酸化物(不可避不純物を含み得る)である。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】 SiCを含む基板を用いた接合障壁ショットキーダイオードの逆バイアス時の耐圧の低下を抑制することで、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 0.1cm以上のアクティブ面積を有するJBSダイオードにおいて、アクティブ領域内の接合障壁領域であるp型半導体領域3の割合を相対的に大きくすることで、ドリフト層2とショットキー電極4とが接するショットキー界面の面積を十分に小さくし、ドリフト層2内に存在する欠陥に起因する耐圧の低下を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】チャネル移動度の低下およびパンチスルーの発生が抑制され、かつ効率的に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】MOSFET1は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である側壁面20Aを有するトレンチ20が形成された基板10と、酸化膜30と、ゲート電極40とを備えている。基板10は、ソース領域14と、ボディ領域13と、ソース領域14との間にボディ領域13を挟むように形成されたドリフト領域12とを含む。ソース領域14およびボディ領域13はイオン注入により形成されている。ボディ領域13においてソース領域14とドリフト領域12との間に挟まれた内部領域13Aの主表面10Aに垂直な方向における厚みは、1μm以下である。ボディ領域13の不純物濃度は、3×1017cm−3以上である。 (もっと読む)


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