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Fターム[4M104AA04]の内容

半導体の電極 (138,591) | 基板材料 (12,576) | 化合物半導体(半絶縁性基板を含む) (3,646) | III−V族 (2,000)

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GaAs (523)

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【課題】 本発明は、ショットキ・コンタクト(16)を形成するために半導体(14)上に導電性炭素材料(17)を堆積する方法に関する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体(14)をプロセス・チャンバ(10)内に導入するステップと、プロセス・チャンバ(10)の内部(10')を所定温度に加熱するス
テップと、プロセス・チャンバ(10)を第1所定圧力以下に減圧するステップと、プロセス・チャンバ(10)の内部(10')を第2所定温度に加熱するステップと、少なく
とも炭素を含むガス(12)を、第1所定圧力よりも高い第2所定圧力に達するまで導入するステップと、少なくとも炭素を含むガス(12)から、半導体(14)上に導電性炭素材料(17)を堆積することにより、半導体(14)上に堆積した炭素材料(17)がショットキ・コンタクト(16)を形成するステップを備えている。 (もっと読む)


【課題】少ない材料で、電流搬送能力に優れた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 異なる平面に、オーミック接点を含む半導体デバイス、およびそのデバイスを製造するための方法であって、連続したステップで、異なる導電タイプの半導体層の半導体スタックをエッチングし、第1半導体層内に、第1の幅の第1開口部を形成し、別の半導体層を露出させ、次に別の層内に、より狭い幅の第2開口部を形成し、オーミック接点を収容するための別の層の一部を、露出した状態で残すことを含む。 (もっと読む)


電磁放射線を用いた一回の露光プロセスでT−ゲートを製造する方法が開示される。
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【課題】
【解決手段】 バイポーラ接合トランジスタ(100)に関連する方法、装置、デバイスの実施例が記載されている。 (もっと読む)


III族窒化物デバイスが、名目上オフ、すなわち、エンハンスメントモードのデバイスを作製するための凹部電極を含む。凹部電極を設けることによって、デバイス中の電流の流れを阻止するために、電極が非能動であるときに2つのIII族窒化物材料の境界面に形成された導電チャネルが中断される。電極はショットキー接点または絶縁金属接点であり得る。名目上オフの特性を有する整流器デバイスを形成するために、2つのオーム接点を設けることができる。電極が形成された凹部は傾斜側面を有することができる。電極は、デバイスの電流運搬電極と組み合わせて幾つもの幾何学配置で形成可能である。電極が凹部でないとき、名目上オンのデバイス、すなわち、ピンチ抵抗が形成される。ダイオードは、絶縁体を貫通してAlGaN層に達する非凹部のオーム接点およびショットキー接点を設けることによっても形成される。
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窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が(少なくとも部分的に)形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を(少なくとも部分的に)規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 (もっと読む)


低接触抵抗を実現しつつ表面荒れの少ない電極が得られる技術を提供する。
半導体膜101の上部に設けられる電極であって、この半導体膜101の上部にこの半導体膜の側から順に積層された第一金属層102と第二金属層103とを有し、この第一金属膜102が、Alからなり、この第二金属膜103が、Nb、W、Fe、Hf、Re、TaおよびZrからなる群より選ばれる1種以上の金属からなることを特徴とする電極。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】III族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にIII族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、FET、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してIII族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。 (もっと読む)


【課題】 製造コストを低減し品質の均一性および安定性を高めたモノリシック集積型エンハンスメントモード/デプリーションモードFETデバイスを提供する。
【解決手段】 単一の半導体多層構造でデプリーションモード(Dモード)FETをエンハンスメントモード(Eモード)FETとモノリシックに集積回路化する。上記多層構造にはチャネル層を設け、その上に障壁層をオーバーレイし、さらにその上にオームコンタクト層をオーバーレイする。これらDモードFETおよびEモードFETのソースコンタクトおよびドレーンコンタクトをオームコンタクト層に接続する。またDモードFETおよびEモードFETのゲートコンタクトを障壁層に接続する。障壁層の中のEモードゲートコンタクトの下に非晶質化領域を設ける。この非晶質化領域が障壁層との間の埋込みEモードSchottkyコンタクトを構成する。代わりに実施例ではDモードFETのゲートコンタクトを障壁層にオーバーレイした第1の層に接続し、その第1の層の中にDモード非晶質化領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】 チャネル移動度の向上を利用して性能を改善した半導体デバイス構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイス構造を製造する方法であって、基板を設けるステップと、基板上に電極を設けるステップと、電極内に開口を有するくぼみを形成するステップと、くぼみ内に細粒半導体材料を配置するステップと、開口を覆ってくぼみ内に細粒半導体材料を閉じこめるステップと、上述のステップの結果として得られる構造をアニーリングするステップと、
を含む。 (もっと読む)


【課題】電流の流れを調整するトランジスタデバイスの組立て方法において、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化するプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態における方法は、チャンネル領域に対するショットキーバリア接合位置のより良い制御を与えるために、メタルソースドレイン接触の形成に先行して等方性エッチングプロセスを利用する。このショットキーバリア10接合の配置の制御性からの改善により、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化する。 (もっと読む)


基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、(a)熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、(b)熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、(c)基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、GaN発光ダイオードまたはGaNレーザダイオードである。 (もっと読む)


基板上に半導体デバイスを製造する方法であり、半導体デバイスは、ウェーハを有する。本発明による方法は、(a)熱伝導性の金属からなる種層をウェーハに付加するステップと、(b)熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、(c)基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する半導体デバイスが開示される。 (もっと読む)


複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。1例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。1例では縦型構造体はGaN型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造LEDの製造が含まれる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、1回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、n型半導体薄膜層13と、活性層と、p型半導体薄膜層17とを積層形成し、このp型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるn型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が500nm以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとn型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第1のリード電極101に接続し、電極33aを第2のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 (もっと読む)


【課題】ゲート長の短いゲート電極を有し、しかも低抵抗で高周波特性が優れている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともノンドープInGaP層又はノンドープInAlGaP層からなる上層半導体層12と、この上層半導体層直下にGaAs層またはAlGaAs層からなる下層半導体層11を含む半導体基板に、上層半導体層表面から上層半導体層への浸入が、下層半導体層で略停止するショットキーゲート電極15と、このショットキーゲート電極部に接続して第1の電極の抵抗を低減する第2の電極部16からなるT字型ゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−V族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−V族化合物半導体装置の電極構造は、電極4の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体GaN層3への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極4を得ることができた。 (もっと読む)


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