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Fターム[4M104AA08]の内容

半導体の電極 (138,591) | 基板材料 (12,576) | 非単結晶半導体 (766)

Fターム[4M104AA08]に分類される特許

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【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を1×1019/cm以下とし、かつインジウム濃度を2×1019/cm以下とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗(配線抵抗)も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金の第1層と;Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf、およびCrよりなる群(Y群)から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはAl合金の窒化物の第2層と、が積層された表層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第1導電膜と、一対の第1導電膜上の半導体膜と、一対の第1導電膜にそれぞれ接続されている一対の第2導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第3導電膜とを有する。また、半導体膜上における第3導電膜の端部と、一対の第2導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層405a及びドレイン電極層405bの端部と、ゲート電極層401の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層403のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層401を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層491中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層481a,481bと、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層402のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層403を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ(半導体装置)において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 (もっと読む)


【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置20の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8と該薄膜上に形成された金属薄膜9とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜9とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜8の膜厚の60%以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜8の結晶粒の全数の6%以上15%以下となるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(パワーMISFET)を提供する。
【解決手段】半導体層103を挟んでゲート電極105とドレイン電極102を形成し、ゲート電極105の側面に半導体層109を形成し、ゲート電極105の頂上部と重なる部分で、半導体層109とソース電極112が接する構造を有する。このようなパワーMISFETのドレイン電極とソース電極の間に500V以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極105に制御用の信号を入力して使用する。 (もっと読む)


【課題】ソース領域に3C−SiC構造のSiCを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第1のn型炭化珪素層と、第1のn型炭化珪素層よりもn型不物濃度の低い第2のn型炭化珪素層を有する半導体基板と、第2のn型炭化珪素層に形成される第1のp型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成される4H−SiC構造の第1のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成され、第1のn型不純物領域よりも深さの浅い3C−SiC構造の第2のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層、第1のp型不純物領域、第1のn型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第1のn型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第1のn型不純物領域との間に第2のn型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】焼成後の電極の収縮による電極端部からのめくれの発生を抑止して、半導体装置を高い製造効率で製造することを可能とする導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の導電性粒子からなる導電性粉末と、複数の銀粒子からなる銀粉末とを含む導電性ペーストであって、導電性粒子は、セラミックスからなる基材と、基材の外表面の少なくとも一部を被覆する導電層とを有しており、導電性粒子全体の質量に対する導電層の質量の割合が10質量%以上であって、導電性粉末と銀粉末との合計質量に対する導電性粉末の質量の割合が25質量%以下である導電性ペースト、それを用いて作製される半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】大電力用途の半導体装置に用いるトランジスタには、高いドレイン電流を確保するためのチャネル領域を有する構造が必要である。その一例のトランジスタとして、縦型(トレンチ型)トランジスタも検討されているが、ドレイン電流のオンオフ比がとれず、良好なトランジスタ特性が得られないという課題がある。
【解決手段】導電性を有する基板上において、側面がテーパー形状の断面を有する複数の島状の領域が表面にドット状に設けられた酸化物半導体層を、基板と酸化物半導体層の間に設けられた第1の電極と酸化物半導体層上に設けられた第2の電極とで挟持し、絶縁層を介した酸化物半導体層の島状の領域の側面上に、ゲート電極としての機能を有する導電層を設ける。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第1の導電膜と、第2の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第1の導電膜と、第2の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第1の導電膜と第2の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 (もっと読む)


【課題】高性能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第1の方向に積み重ねられる第1及び第2のメモリセルMCを有し、第2の方向に延びるフィン型積層構造Fin0〜Fin3と、フィン型積層構造Fin0〜Fin3の第2の方向の一端に接続され、第3の方向に延びる梁5とを備える。フィン型積層構造Fin0〜Fin3及び梁5は、それぞれ、第1の方向に積み重ねられる第1及び第2の半導体層2a,2bを備え、梁5は、第3の方向の一端に第1及び第2の半導体層2a,2bに対するコンタクト部を有し、かつ、梁5とフィン型積層構造Fin0〜Fin3の接続部からコンタクト部まで延びる低抵抗領域8を有する。 (もっと読む)


【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧(Vth)をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン(P)、またはホウ素(B)を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜、及び第2の絶縁膜を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 (もっと読む)


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