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Fターム[4M104AA08]の内容

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Fターム[4M104AA08]に分類される特許

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【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第1の酸化絶縁膜と、当該第1の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第2の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第2の酸化絶縁膜上に位置するものである。 (もっと読む)


【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層8の一方は、電極9,10の一方に接触して覆われた接触部分81と、接触部分81よりも厚さ方向D2において薄く、厚さ方向D2から見て電極9,10の一方からはみ出して電極9,10の他方へと延在して半導体能動膜7の少なくとも一部71を避けて覆う延在部分82とを有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】配線にCuを用いる配線の電気抵抗値とTFTの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびTFTを有する表示装置の製造方法であって、TFTは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法(A)基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、(B)電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、(C)前記(B)の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 (もっと読む)


【課題】折り曲げ耐性が向上したコプレナ型の酸化物半導体を提供し、また、コンタクトホールを精巧に形成するコプレナ型の酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性を有する基板と、前記基板上に配置され、チャネル領域及び電極接続領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に配置され、コンタクトホールを有するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に配置されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、を有するコプレナ型の酸化物半導体素子であって、前記ゲート絶縁層は、架橋ポリマーで形成されていることを特徴とするコプレナ型の酸化物半導体素子とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜(水素捕縛膜)、および水素を拡散する膜(水素透過膜)を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の金属酸化物膜と、第1の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第1の絶縁膜と、第2の金属酸化物膜と、第2の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する1つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 (もっと読む)


【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボト
ムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)から(3)よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が1から50μmであり、印刷位置精度が100ppm以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程(1) 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程(2) 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程(3) 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が3μm以下で、かつ、アスペクト比が1以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第1の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第2の電極と、前記第2の電極の外側に配置されて当該第2の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にNeを含む処理ガスを導入し、前記第1の電極と前記第2の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第2の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 (もっと読む)


【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位(電界)により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 (もっと読む)


【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第1のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第2のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタとその製造方法において、電界効果トランジスタの耐圧を高めつつそのオン抵抗を低減すること。
【解決手段】基板1と、基板1の上に形成され、複数の第1の半導体層3と複数の層間絶縁層4とが交互に積層された積層体10と、積層体10の側面10aに形成されると共に、該側面10aにおいて複数の第1の半導体層3の各々に接続された第2の半導体層12と、第2の半導体層12の上に形成されたゲート絶縁層17と、ゲート絶縁層17の上に形成され、ゲート絶縁層17を介して側面10aに対向するゲート電極19と、第2の半導体層12に電気的に接続されたソース電極14と、複数の第1の半導体層3の各々に電気的に接続されたドレイン電極15とを有する電界効果トランジスタによる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にU字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して3倍以上、好ましくは5倍以上、さらに好ましくは10倍以上の長さとする。 (もっと読む)


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