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Fターム[4M104AA09]の内容

半導体の電極 (138,591) | 基板材料 (12,576) | 薄膜半導体(SOIを含む) (2,474)

Fターム[4M104AA09]に分類される特許

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【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第1の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第2の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を1ppb以下にした水素添加超純水にIPAを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量1ppb以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ2nmにおけるピーク・トゥ・バレイ値が0.3nm以下となるようにするとともに、前記第1の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を4Ω・μm以下とした。 (もっと読む)


【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記p電極が前記p型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたNiO層と、このNiO層に接して形成されたAg層とを含む。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】チャネル長Lが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半
導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを
課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレ
イン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート
絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は
側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1の半導体材料が用いられた第1のチャネル形成領域と、第1のゲート電極と、を含む第1のトランジスタと、第1のゲート電極と一体に設けられた第2のソース電極および第2のドレイン電極の一方と、第2の半導体材料が用いられ、第2のソース電極および第2のドレイン電極と電気的に接続された第2のチャネル形成領域と、を含む第2のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板1、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、有機半導体層2、ソース電極5及びドレイン電極6を有する有機半導体素子100であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域20に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 (もっと読む)


【課題】テーパー形状のAl配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Al配線膜101は、AlもしくはAl合金から成る第1のAl合金層101aと、その上に配設され、Ni、PdおよびPtのいずれか1以上の元素を含み第1のAl合金層101aとは異なる組成のAl合金から成る第2のAl合金層101bとから成る二層構造を有する。フォトレジスト102の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第2のAl合金層101bはエッチングされ、その端部はフォトレジスト102の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト102をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Al配線膜101の断面はテーパー形状となる。 (もっと読む)


【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜5であり、ゲート電極は、第1の金属膜6又は第2の金属膜8を含む導電膜から構成されている。 (もっと読む)


【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極13、ゲート絶縁層14、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域16、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域16を構成する有機半導体材料層と接するソース/ドレイン電極15の部分は、電極被覆材料21で被覆されており、電極被覆材料21は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15と結合する官能基を有する有機分子から成る。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第1半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、第1半導体層と第2半導体層との接合部においてはP−N接合が形成されてなる、ようにした。 (もっと読む)


【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層7a、ソース配線13as、ドレイン電極13adを備えた薄膜トランジスタと、第1接続部3c、第2接続部13cおよび第2接続部上に形成された第3接続部19cを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第2接続部は、第1および第2絶縁膜5,9に設けられた第1開口部内で第1接続部と接し、第3接続部19cは、保護膜に設けられた第2開口部内で第2接続部と接する。第1開口部は、第1絶縁膜5および第2絶縁膜9を同時にエッチングすることによって形成、第2開口部は、保護膜15を前記第1および第2絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第2接続部13cは、第1開口部における第1および第2絶縁膜の端面を覆い、かつ、第2開口部における保護膜15の端面を覆っていない。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれと第1半導体層との接合部がそれぞれ第1と第2の接合部からなり、第1接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が正孔が多数キャリアの第2半導体層であるP−N接合部であり、第2接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が金属によって構成されたショットキー接合部である、ようにした。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層104a、104bを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層103は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層105aまたはドレイン電極層105bの材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 (もっと読む)


【課題】仕事関数の異なる複数の電極層を有し、ゲート抵抗が低く、作製が容易なゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート絶縁膜の上面に形成され、第1の仕事関数を有する第1の電極層と、前記ゲート絶縁膜の上面と前記第1の電極層の上面に連続して形成され、前記第1の仕事関数と異なる第2の仕事関数を有する第2の電極層と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置では、前記第1の電極層の上面の高さは、前記側壁絶縁膜の上面の高さよりも低い。 (もっと読む)


【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第1の面および第2の面を有する有機半導体部と、第1の面に隣接されたソース電極部と、第2の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】 酸化物半導体膜を用いたTFTでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】TFT101は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上の酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、TFT101の特徴は、酸化物半導体膜13のソース・ドレイン電極14が重ならない部分に、フッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層15が存在することである。 (もっと読む)


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