【課題】シリサイド層を有するトランジスタにおいて、オン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。さらに、加熱処理等の工程を増やさずにオン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。
【解決手段】チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有するシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、不純物領域にシリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、シリサイド層断面は、チャネル形成領域側の端点から膜厚が増加している第１領域と、第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有する半導体装置において、第１領域と第２領域は、シリサイド層断面の端点を通り、水平線とθ（０°＜θ＜４５°）の角度をなす直線がシリサイド層と不純物領域の界面と交わる点を通り、且つ水平線に対し垂直な線で分けられ、シリコン膜の膜厚に対する第２領域の膜厚比は０．６以上である。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】優秀な導電性及び大きい仕事関数を有する電極及びそれを含んだ電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェン含有層と、前記グラフェン含有層上に形成される仕事関数傾斜層と、を含み、前記仕事関数傾斜層は、前記グラフェン含有層と接触する第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有する単一層であり、前記仕事関数傾斜層の仕事関数は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に沿って漸進的に増大する電極。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソースドレイン電極を有した薄膜トランジスタであって、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられており、該ソースドレイン電極と該活性層のソースドレイン領域は重なり、該活性層と前記ソースドレイン電極間に電子の走行を許容する薄いＳｉＮｘ又はＳｉＯｘＮｙ層が設けられる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるＣｕ配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、電極に用いられるＣｕ合金膜５と、保護膜６と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Ｃｕ合金膜５は、基板側から順に、第一層（Ｘ）５ａと第二層（Ｚ）５ｂを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）は、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって第二層（Ｚ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなり、第二層（Ｚ）は、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｎｂ、希土類元素、Ｇｅ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ−Ｚ合金からなり、第二層（Ｚ）の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成位置について、別途精密な制御を必要とすることなく、高精細なパターニングが行われた有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ソース電極１、ドレイン電極２、ゲート電極３、有機半導体層４及びゲート絶縁膜５を備え前記ソース電極１及び前記ドレイン電極２の表面エネルギーが、いずれも30mN／m以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部および該溝部を挟んで形成された一対の低抵抗領域を有する半導体基板と、半導体基板上の第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜を介し、溝部と重畳するゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上の、溝部を挟んで設けられた一対の電極と、一対の電極と接する半導体膜と、を有し、一対の低抵抗領域の一方と、一対の電極の一方が電気的に接続されている積層されたトランジスタを形成し、一方はｎ型半導体からなるトランジスタであり、他方はｐ型半導体からなるトランジスタにより形成させることによって、相補型ＭＯＳ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的
の一とする。
【解決手段】１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜と一部が接する
酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と
、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物
半導体膜と一部が接する第２の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、１３族元素
および酸素を含む第１の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構
成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の面に接し、第１のゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、の積層構造を有し、酸化物半導体層の窒素濃度は２×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ソース電極及びドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタ（半導体装置）において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチ（溝）に設ける。トレンチは曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の下端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも下端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な工程で製造可能な、電荷注入効率に優れた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に金属電極層を形成する金属電極層形成工程と、上記金属電極層の上面に、電子吸引性または電子供与性の官能基を有する表面処理剤で表面処理を行うことにより、表面処理層積層体を形成する表面処理工程と、上記表面処理層積層体をパターニングし、ソース電極およびドレイン電極を形成するパターニング工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、上記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】二重金属ゲートを有する構造体において金属膜の仕事関数を調整する為の改善した方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は単一金属膜に対し、ＮＭＯＳにおいてはフッ素、ＰＭＯＳにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極１０８’、１０９’を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）