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Fターム[4M104BB01]に分類される特許
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半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
【課題】低損失、高耐圧、出力電圧のdV/dtの制御が容易で、製造が容易なIGBTを提供する。
【解決手段】第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層の表面の第2導電型の第2半導体層と、第1半導体層の表面に形成されたトレンチと、第1半導体層の表面の半導体凸部と、半導体凸部の表面形成された第3半導体層と、第3半導体層の表面の第4半導体層と、トレンチの内壁に沿って設けられたゲート絶縁層と、トレンチの内壁に沿って設けられた第1層間絶縁層と、ゲート絶縁層を介して第4半導体層に対向する第1導電層と、第1層間絶縁層の第2導電層と、第2導電層の表面を覆う第2層間絶縁層と、第3半導体層と第4半導体層の表面に形成され、前記第4半導体層に電気的に接続される第3導電層と、第3導電層と第3半導体層を接続するコンタクト部と、第2半導体層の表面に形成された第4導電層とを備え、半導体凸部の表面の一部が第1半導体層である。
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アモルファスシリコン膜の成膜方法および成膜装置
【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地2を加熱し、加熱した下地2にアミノシラン系ガスを供給し、下地2表面にシード層3を形成する工程と、下地2を加熱し、加熱した下地2表面のシード層3にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層3上にアモルファスシリコン膜4を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜4をエッチングし、該アモルファスシリコン膜4の膜厚tを減ずる工程とを備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】二酸化珪素からなる層間絶縁膜を挟んでアルミニウムを含む電極とゲート電極とを配置した場合に、当該アルミニウムを含む電極とゲート電極とが短絡することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MOSFET100の製造方法は、活性層7上にゲート酸化膜91を形成する工程と、ゲート酸化膜91上にゲート電極93を形成する工程と、活性層7に対してオーミック接触するソースコンタクト電極92を形成する工程と、ソースコンタクト電極92が形成された後、ゲート電極93を覆うように二酸化珪素からなる層間絶縁膜94を形成する工程とを備え、ソースコンタクト電極92を形成する工程は、活性層7に接触するようにアルミニウムを含む金属層を形成する工程と、金属層を合金化する工程とを含む。
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炭化珪素半導体装置
【課題】少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度検出素子を備える炭化珪素(SiC)半導体装置を提供する。
【解決手段】SiC半導体装置は、SiC基板1に形成された半導体素子と、底面にバリアメタル14を備える配線層を用いて形成したソース電極15およびゲートパッド16と、その配線層のバリアメタル14の一部を用いて形成した測温抵抗体20を備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板50上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ゲート電極20およびハードマスク34を順に積層してなる積層体10を形成する工程と、積層体10をマスクとして、半導体基板50にイオン注入を行う工程と、積層体10の側面上に保護膜44を形成する工程と、エッチングによりハードマスク34を除去する工程と、エッチングにより保護膜44を除去する工程と、を備える。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】ゲート電極の一部にメタルゲート電極を有するMISEFTにおいて、メタルゲート電極を構成するグレインの配向性のばらつきに起因するMISFETのしきい値電圧のばらつきを小さくする。
【解決手段】メタルゲート電極4a、4bに炭素(C)を導入することにより、メタルゲート電極4a、4b内のグレインの粒径が大きくなることを防ぎ、メタルゲート電極4a、4bの中に多数の小さいグレインを形成することにより、グレインの配向性を均一化し、ゲート電極の仕事関数のばらつきを低減する。
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半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液
【課題】白金(Pt)化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化・腐食することなしに除去する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液を提供する。
【解決手段】白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
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半導体装置
【課題】トランジスタの電流駆動力増大を図りつつ、オフリーク電流を低減させる。
【解決手段】半導体突出部2は、半導体基板1上に形成されている。ソース/ドレイン層5、6は、半導体突出部2の上下方向に設けられている。ゲート電極7、8は、半導体突出部2の側面にゲート絶縁膜4を介して設けられている。チャネル領域3は、半導体突出部2の側面に設けられ、ドレイン層6側とソース層5側とでポテンシャルの高さが異なっている。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】互いに隣接する2つの半導体層どうしの境界部分において、電界集中を緩和し、絶縁耐圧を改善することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1半導体層11の露出面11a、第2半導体層12の一面12a、および第3半導体層13A,13Bの表面13Aa,13Baの互いの境界で段差が実質的に無くなるように形成することで、露出面11a、一面12a、および表面13Aa,13Baからなる平面Q上に、段差無く平坦なゲート酸化膜16が形成できる。
これにより、ゲート酸化膜16の特定部分に電界が集中し、ゲート絶縁耐圧の低下などゲート酸化膜16の機能を大きく損なうことがない。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】閾値電圧のバラつきを抑制する溝トランジスタを提供する。
【解決手段】図1に示すように、表面に少なくとも一つ以上の溝部250を有している半導体基板40と、溝部250の側壁を覆うように形成されたゲート絶縁膜20と、溝部250に埋めこまれているゲート電極10と、半導体基板40の表面に形成され、ゲート電極10を介して互いに対向しているソースおよびドレイン150と、を含み、溝部250の側壁には、複数の凸凹100が形成されている。
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半導体装置
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、メモリセルを選択して第2信号線及びワード線を駆動する駆動回路と、書き込み電位のいずれかを選択して第1信号線に出力する駆動回路と、ビット線の電位と参照電位とを比較する読み出し回路と、書き込み電位及び参照電位を生成して駆動回路および読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第1のトランジスタと、第1、第2の信号線に接続された第2のトランジスタと、ワード線、ビット線及びソース線に接続された第3のトランジスタを有し、第2のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方が接続された、多値型の半導体装置。
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半導体装置
【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
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半導体装置の製造方法
【課題】レーザアニールによって金属シリサイド膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、金属シリサイド膜を形成する領域以外の領域に加わる熱負荷を低減して、半導体装置の特性劣化を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、例えば、シリサイド化する領域(領域AR1)に透過膜PFを形成し、シリサイド化しない領域(領域AR2)に透過膜PFを形成しないことにより、紫外線レーザ光UVを照射した際、シリサイド化する領域の温度をシリサイド化するための共晶化温度よりも高くする一方、シリサイド化しない領域の温度をシリサイド化するための共晶化温度よりも低くする。
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半導体装置
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1のトランジスタ上に設けられた第2のトランジスタと容量素子とを有し、第2のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。第2のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第2のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。
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半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置
【課題】縦型トランジスタのTDDB耐性を向上させ、かつ、閾値電圧がばらつくことも抑制する。
【解決手段】ゲート電極120の上端は、半導体基板100の表面よりも下に位置している。絶縁層340は、ゲート電極120上及びその周囲に位置する半導体基板100上に形成されている。絶縁層340は、第1絶縁膜342及び低酸素透過性絶縁膜344を有している。第1絶縁膜342は、例えばNSG膜であり、低酸素透過性絶縁膜344は、例えばSiN膜である。さらに、低酸素透過性絶縁膜344上には、第2絶縁膜346が形成されている。第2絶縁膜346は、例えばBPSG膜である。絶縁層340を形成した後、酸化雰囲気で処理することにより、縦型MOSトランジスタ20のTDDB耐性が向上する。また、絶縁層340が低酸素透過性絶縁膜344を有することにより、縦型MOSトランジスタ20の閾値電圧がばらつくことを抑制できる。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極101と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜102,103と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する活性層104と、前記活性層の側面及び前記ゲート絶縁膜の上に形成されたシリコン層105,106と、前記シリコン層上に形成されたソース電極107aおよびドレイン電極107bと、を具備し、前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しないことを特徴とする半導体装置である。
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半導体装置
【課題】同一チップ内にショットキーバリアダイオードを備える半導体装置およびその製造技術において、信頼性を向上させる。
【解決手段】p型の半導体基板1の主面S1上に形成された、n型のnウェル領域w1nと、その中の一部に形成された、nウェル領域w1nよりも不純物濃度の高いn型カソード領域nCa1と、それを環状に囲むようにして形成されたp型ガードリング領域pgと、n型カソード領域nCa1とp型ガードリング領域pgとを一体的に覆い、かつ、それぞれに電気的に接続するようにして形成されたアノード導体膜EAと、p型ガードリング領域pgの外側に分離部2を隔てて形成されたn型カソード導通領域nCbと、これを覆い、かつ、電気的に接続するようにして形成されたカソード導体膜ECとを有し、アノード導体膜EAとn型カソード領域nCa1とはショットキー接続されていることを特徴とする。
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炭化珪素半導体を用いたMOS構造およびその酸化膜形成方法
【課題】 SiO2/SiC界面における界面準位自体を低減することが出来るSiC半導体を用いたMOS構造、およびその酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 SiC半導体基板1を処理炉内に用意し、処理炉内を比較的低い700℃に設定して、SiC半導体基板1の基板表面を酸素ガス雰囲気中にさらす。この熱酸化により、SiC半導体基板1の基板表面には、SiO2から成る中間層2が約1nmの極薄い厚さで形成される。次に、中間層2上にSiO2膜を約50nmの厚さに堆積して、SiO2から成る堆積層3を形成する。次に、SiC半導体基板1が酸化しない温度および時間で、堆積層3をアニーリングする。このアニーリングは、赤外線ランプなどの急速加熱装置により、SiO2膜の融点である1200℃に近い、この1200℃の融点よりも低い例えば1000〜1100℃程度の温度で、短時間に急速に行われる。
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半導体装置、金属膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
【課題】高集積化することができる半導体装置、金属膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、ヒ素を含むヒ素拡散層と、前記ヒ素拡散層上に形成された金属膜と、を備える。前記金属膜は、タングステン、チタン、ルテニウム、ハフニウム及びタンタルからなる群より選択された少なくとも1種の金属、並びにヒ素を含む。
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窒化物半導体層のエッチング方法及びこれを用いた窒化物半導体装置の製造方法
【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、(a)窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、(b)前記不純物領域を熱処理する工程と、(c)前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。
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