説明

Fターム[4M104BB04]の内容

半導体の電極 (138,591) | 電極材料 (41,517) | 遷移金属 (20,763)

Fターム[4M104BB04]の下位に属するFターム

Ni (2,151)
Pt (1,420)
Pd (977)
Ag (1,372)
Au (1,795)
高融点金属 (9,978)

Fターム[4M104BB04]に分類される特許

201 - 220 / 3,070


【課題】バリアメタル膜とCu膜との密着性を向上する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてTi膜又はTa膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にCVD法によりCu膜を形成した後、100〜400℃でアニール処理を行う。このようにCu膜を形成することにより、バリアメタル膜とCu膜との密着性が向上する。 (もっと読む)


【課題】電極に対して有機分子結晶層を配向制御して接合することができる有機分子結晶層の接合方法およびこの接合方法を利用した有機素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基体11上に電極12およびこの電極12と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層13を形成する場合に、電極12の側面12aの絶縁性基体11の主面に対する傾斜角度を制御することにより、有機分子結晶層13の電極12に対する配向を制御する。電極12の側面を傾斜角度が互いに異なる複数の面により形成するようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)から(3)よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が1から50μmであり、印刷位置精度が100ppm以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程(1) 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程(2) 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程(3) 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 (もっと読む)


【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Inと、Gaと、Znとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第1の導体パターンを形成し、第1の導体パターンより微細な第2の導体パターンを形成し、前記第2の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第2の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 (もっと読む)


【課題】記憶内容に対する保持特性の改善を図ることが可能な半導体装置を提供する。また、半導体装置における消費電力の低減を図る。
【解決手段】チャネル形成領域に、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができるワイドギャップ半導体材料(例えば、酸化物半導体材料)を用い、且つ、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能となる。また、ゲート電極用のトレンチを有することで、ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】トレンチおよび/またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】インク材料等として、発光輝度の向上を可能にする材料を提供すること。
【解決手段】分子量200以上の共役化合物がアスペクト比1.5以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体及びイオン性化合物を含む金属複合体組成物(ここで、イオン性化合物が共役化合物の場合、イオン性化合物である共役化合物の分子量は200未満である。);金属複合体組成物と、分子量200以上の共役化合物とを含有する混合物等。イオン性化合物は、下記式(hh−1)で表される構造を有する化合物であってもよい。
【化1】


(式中、Mm’+は、金属カチオンを表す。X’n’−はアニオンを表す。a及びbはそれぞれ独立に、1以上の整数を表す。Mm’+及びX’n’−の各々は複数存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。) (もっと読む)


【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 (もっと読む)


【課題】反転オフセット印刷のパターンの縁が急峻であるという問題を解決するために、当該印刷に使用する凸版の凸部縁部分の形状を規定した。この凸版に好適なパターン形成方法及び高品質の薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】インク剥離性を有するブランケットにインク液膜を形成する工程と、ブランケット上のインク液膜に凸版を接触させて凸部形状にインク液膜を除去する工程と、残ったインク液膜に基材を接触させてインク液膜パターンを基材に転写させる工程と、を有するパターン形成方法に使用する凸版3であって、該凸版の凸パターンは、凸パターン6の縁の外側に複数の微小凸パターン7を備えることを特徴とする凸版である。 (もっと読む)


【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の第1の銅粒子14を分散させた第1の分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンと同じ位置に、第1の銅粒子14より粒子径の小さい第2の銅粒子18を分散させた第2の分散液16を塗布する塗布工程と、塗布工程後の配線パターンの第1の銅粒子14および第2の銅粒子16間の空隙を埋める緻密化工程と、緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】高温にも耐え得る矩形断面の正確な金属薄膜パターンを、簡単な工程によって製造可能とすること。
【解決手段】下記に示す感光性金属錯体を含む塗布液1を基板10に塗布し(A)マスク20を介して所定の部分のみを露光した(B)。露光によりエステル結合が切れて易溶化した可溶部1Aを(C)、TMAH水溶液により除去し(D)、不溶部1Bを金属化するまで加熱し(E)、Cu等の金属30でメッキする(F)。
【化9】
(もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】3次元形の半導体素子において、オン抵抗をより効果的に低減できる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ドレイン層と、ドレイン層内に選択的に設けられたドリフト領域と、ドリフト領域内に選択的に設けられたベース領域と、ベース領域内に選択的に設けられたソース領域と、ソース領域又はドレイン層の少なくとも一方の内部に、ソース領域又はドレイン層の少なくとも一方に選択的に設けられた第1,第2の金属層と、ドレイン層の表面に対して略平行な方向に、ソース領域の一部から、ソース領域の少なくとも一部に隣接するベース領域を貫通して、ドリフト領域の一部にまで到達するトレンチ状のゲート電極と、第1の金属層に接続されたソース電極と、ドレイン層又は第2の金属層に接続されたドレイン電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】銅粒子の酸化、燃焼を防止し、銅配線の導電性を向上させるとともに経時劣化を抑えることができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基盤を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以下の炭素被膜銅粒子14を、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを酸素プラズマ処理する酸素プラズマ処理工程と、配線パターンを還元プラズマ処理する還元プラズマ処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができ銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の銅粒子14を分散させた分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行なう乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンを加圧する加圧工程と、加圧工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】無電解メッキパターンを正確に形成できる無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】表面を有機物103で修飾されるとともに、前記表面103に触媒金属微粒子105を担持した金属化合物粒子101を含む無電解メッキパターン形成用組成物。前記有機物103としては、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールが挙げられる。前記触媒金属微粒子105としては、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる1種以上の微粒子が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても,高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し,そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ200Bと,それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ300との間のゲートバルブ装置は,トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は,そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第1シール部材330Aとその外側の第2シール部材330Bにより囲んで2重シール構造とし,これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも1つの連通孔408を筐体の側壁に設け,トランスファチャンバとの基板搬出入口を,筐体内を昇降自在な弁体410によって開閉するようにした。 (もっと読む)


【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位(電界)により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 (もっと読む)


201 - 220 / 3,070