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Fターム[4M104BB05]の内容

半導体の電極 (138,591) | 電極材料 (41,517) | 遷移金属 (20,763) | Ni (2,151)

Fターム[4M104BB05]に分類される特許

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【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部6の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極7が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 (もっと読む)


【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第1の金属膜および第1の金属膜上の第2の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第1の金属膜の側面と接し、第1の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第2の金属膜より第1の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽60を有するめっき前処理モジュール64と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽66,72を有するめっきモジュール70,76と、めっき前処理モジュール64とめっきモジュール70,76の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置86を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン114,122に接続されている。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層1上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜2と、酸化シリコン膜2上に設けられているゲート電極8を有している。ゲート電極8に対向する窒化物半導体層1が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料9と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス23と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板6表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 (もっと読む)


【課題】電極のコンタクト抵抗や逆方向リーク電流を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層103と、窒化物半導体層103よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体層104との接合体が少なくとも1つ基板101上に積層されている。窒化物半導体層104の上面から窒化物半導体層103における窒化物半導体層104との界面よりも下側までの範囲に位置する部分の前記接合体の両側端にテーパ部108及び109が形成されている。テーパ部108の側面上には窒化物半導体層103とショットキー接触するようにアノード電極106が形成されており、テーパ部109の側面上には窒化物半導体層103とオーミック接触するようにカソード電極107が形成されている。各テーパ部108及び109の側面が基板101の主面に対してなす角度は、20度以上で且つ75度以下である。 (もっと読む)


【課題】微細なパターン、例えば、線幅が50μmよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第1の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第2の膜を形成し、第2の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第2の膜は、厚さが0.1μmになったときの粘度が3mPa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽80と、複数枚の基板Wを鉛直方向に並列に保持してめっき槽80内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ84と、基板ホルダ84で保持してめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Wの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板150,152を有する。 (もっと読む)


【課題】メッキ液から水分蒸発によるメッキ液の濃度および各種成分の状態変化を抑制してメッキレートおよびメッキ膜厚の安定化を図る。
【解決手段】メッキ処理槽2内の処理液の液面上方にある気体中のメッキ処理液の蒸気圧を制御する蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機9と、メッキ処理液の液面位置が所定位置になるように蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機9を制御して処理液量を調節する電装制御ユニット11とを有する。 (もっと読む)


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