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Fターム[4M104BB13]の内容

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【課題】有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極及び有機半導体層と、ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、有機半導体層のチャンネル領域とゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上とした。 (もっと読む)


【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1aは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜(絶縁層)15上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層17-aとこの上部の金属材料層17-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜(絶縁層)15とソース電極17sおよびドレイン電極17dとにおける酸化物材料層17-aとの露出面が、自己組織化膜19で覆われており、この自己組織化膜19で覆われた上部のソース電極17s−ドレイン電極17d間にわたって半導体薄膜21が設けられている。 (もっと読む)


【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、(A)制御電極12、(B)第1電極14及び第2電極14、並びに、(C)第1電極14と第2電極14との間であって、絶縁層13を介して制御電極12と対向して設けられた、有機半導体材料層15から成る能動層16を備えて成り、少なくとも能動層12と接触する絶縁層13の部分は、下記の式(1)にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
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【課題】 パワートランジスタ及びSBD素子を有する半導体装置において、SBD素子の耐圧を高める。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板の主面に第1および第2領域を有し、前記第1および第2領域内にはそれぞれ複数の第1および第2導電体が形成され、前記第1領域内の隣接する第1導電体間には、第1半導体領域と、前記第1半導体領域内にあって第1半導体領域と逆の導電型を持つ第2半導体領域とが形成され、前記第2領域内の隣接する第2導電体間には、前記第2半導体領域と同導電型でかつ第2半導体領域より低濃度の第3半導体領域が形成され、前記第3半導体領域の下には第3半導体領域と同導電型で、かつ第3半導体領域より高濃度の第4半導体領域が形成され、前記第2領域の半導体基板上には金属が形成され、前記金属は前記第2半導体領域と電気的に接続され、前記第3半導体領域は、前記金属と接触しショットキー接合を形成している。 (もっと読む)


【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成する半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極およびドレイン電極と、を形成し、ソース電極上およびドレイン電極上にそれぞれ絶縁層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極および絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に導電層を形成し、導電層を覆うように絶縁膜を形成し、導電層におけるソース電極またはドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように絶縁膜を加工し、導電層の露出した領域をエッチングして、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係るヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層40及びバリア層40上に形成されたキャップ層50を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして前記窒化物半導体層上に設けられたゲート電極90と、前記窒化物半導体層上に形成されたSiを含まない絶縁膜からなる表面保護膜100とを備える。 (もっと読む)


【課題】電極材料が表面パッシベーション膜に拡散するのを防止することである。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられ、少なくとも2つの開口を有し、窒化物を含む第1表面パッシベーション膜と、前記第1表面パッシベーション膜の上面及び側面を覆う第2表面パッシベーション膜と、前記第2表面パッシベーション膜上の一部に設けられたゲート電極と、前記2つの開口にそれぞれ設けられたソース電極およびドレイン電極と、を有する。前記第2表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】イオン注入で所定の元素をゲート電極に導入して、異なる仕事関数を有するゲート電極のMOSトランジスタを形成する際に、製造工程の増加を抑制して低コストの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、導電膜上5a,5bにおいて、第1の領域1aから第2の領域1bまでを覆う第1のマスク6b、第2の領域の上方にスペース部7b、及び第2の領域1bから第3の領域1cまでを覆う第2のマスク6cを有するマスクパターンを設ける。スペース部内、並びに第1及び第2のマスクの第1の側面にサイドウォール膜7aを設ける。第1の側面に接するサイドウォール膜の下に位置する導電膜の領域内に不純物を注入する。サイドウォール膜をマスクに用いて異方性エッチングを行うことによりゲート絶縁膜及びゲート電極を形成してMOSトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。
【解決手段】半導体装置は、基板101上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなるバッファ層102と、バッファ層102上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第1の半導体層103と、第1の半導体層103上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第2の半導体層104と、基板101の裏面上に設けられ、接地に接続された裏面電極111と、第2の半導体層104上に互いに離間して設けられたソース電極132及びドレイン電極134と、第2の半導体層104上に設けられたゲート電極136とと、第2の半導体層104、第1の半導体層103、及びバッファ層102を貫通し、少なくとも基板101に達し、ソース電極132と裏面電極111とを電気的に接続させるプラグ109とを備えている。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素MOSFETにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素層を有し炭化珪素層上にゲート絶縁膜を形成した基板を炉の中に導入する基板導入工程と、基板を導入した炉を加熱して一酸化窒素と窒素とを導入する加熱工程とを備え、加熱工程は、窒素を反応させてゲート絶縁膜と炭化珪素層との界面を窒化する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 (もっと読む)


【課題】作製プロセスに起因する特性劣化を生ぜず、ボンディングパッドの電位変化による特性変化を受け難い小型化した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、アクティブ領域12と、アクティブ領域12を覆う第1の絶縁層13と、第1の絶縁層13上に形成されるフローティング導体14と、第1の絶縁層13上およびフローティング導体14上に形成される第2の絶縁層15と、第2の絶縁層17上に形成されたボンディングパッド18と、アクティブ領域12とボンディングパッド18を電気的に接続する導通ビア19,20と、を有する。 (もっと読む)


【課題】トレンチゲート構成のパワートランジスタを有する半導体装置のオン抵抗を低減する。
【解決手段】トレンチゲート構成のパワーMIS・FETQにおいて、ソース用の半導体領域3の上面の層間絶縁層12の端部(位置P1)と上記ソース用の半導体領域3の上面の上記ゲート電極9Eから遠い端部(溝16の外周の位置P2)との間の長さをaとし、上記層間絶縁層12と上記ソース用の半導体領域3の上面との重なり部の長さ(位置P1から溝5aの外周の位置P3までの長さ)をbとすると、0≦b≦aとする。これにより、ソースパッドSPとソース用の半導体領域3の上面との接触面積が増大する上、ソースパッドSPとチャネル形成用の半導体領域4との距離を短くすることができるので、トレンチゲート構成のパワーMIS・FETQのオン抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】活性層中への電極材の拡散の抑制、電極材の低電気抵抗化、さらには活性層へのダメージ低減を図ることができる、酸化物半導体からなる活性層を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタは、酸化物半導体からなる活性層と、Ti系材料またはMo系材料からなる第1の電極層と、第1の電極層の材料よりも比抵抗の小さい材料からなる第2の電極層とを具備する。
上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第1の電極層と、比抵抗が小さい第2の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのFET特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたFETを得ることが可能である。 (もっと読む)


【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域102Aを有する窒化物半導体層積層体102と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第1の電極131及び第2の電極132とを備えている。第1の電極の上に接して第1の電極配線151が形成され、第2の電極の上に第2の電極配線152が接して形成されている。第1の電極配線及び第2の電極配線を覆うように第2の絶縁膜が形成され、第2の絶縁膜の上に第1の金属層161が形成されている。第1の金属層は、第2の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第1の電極配線と接続されている。 (もっと読む)


【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Cu配線構造に適用したときにバリア層及びCu配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるCo膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Sを処理室10内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Lを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてCo膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはCo膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 (もっと読む)


【課題】導電部の欠損を防止すること。
【解決手段】Al含有膜2からなるゲートラインLgやコンタクト部42などの導電部を形成する際に、下層保護導電膜/Al含有膜/上層保護導電膜の導体膜を成膜した後、その導体膜に改質処理として酸化処理を施して、上層保護導電膜3で覆われずにピンホールPから露出してしまったAl含有膜2部分に酸化保護領域4を形成することによって、Al含有膜2がレジストの剥離液などに晒されて消失してしまうことを防ぎ、導電部の欠損を防止した。 (もっと読む)


【課題】有機薄膜トランジスタソース/ドレイン電極などに適する厚みが均一で高精細なパターン画像の形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を脱水閉環して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体を含むパターン画像下層膜形成液を基板上に塗布し、乾燥、焼成することでパターン画像下層膜を得る工程と、
得られるパターン画像下層膜に紫外線を照射しパターン画像下層膜の濡れ性を変化させる工程と、
パターン画像形成液が付着したブレードと上記パターン画像下層膜とを相対的に移動させることにより、上記パターン画像下層膜の紫外線照射領域に上記パターン画像形成液を塗布させ、乾燥する工程と、
を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも2層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも1つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 (もっと読む)


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