Fターム[4M104BB13]の内容
Fターム[4M104BB13]の下位に属するFターム
Fターム[4M104BB13]に分類される特許
1,521 - 1,522 / 1,522
半導体装置およびその製造方法
【課題】SiC基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、研磨等により厚さが200μm以下にされ、( 0 0 0−1)C面を上面とするSiC基板11aと、SiC基板11aの上面上に順に設けられた半導体からなるエピタキシャル成長層12,ショットキー電極14及び上部電極16と、Si面であるSiC基板11aの裏面上に順に設けられたオーミック電極15及び下部電極17とを備えている。SiC基板11aが従来の基板よりも薄いため、動作時のオン抵抗が大きく低減されている。
(もっと読む)
配線構造、その製造方法、および表示装置
【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 SiO2により構成されたゲート絶縁膜12およびその上に積層され、SiNにより構成された層間絶縁膜13に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第1の保護金属層170と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層172と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜12よりも厚く形成された第2の保護金属層174とがこの順で積層された電極53を形成する。
(もっと読む)
1,521 - 1,522 / 1,522
[ Back to top ]