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Fターム[4M104BB29]の内容

半導体の電極 (138,591) | 電極材料 (41,517) | 高融点金属窒化物 (3,639)

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Fターム[4M104BB29]に分類される特許

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【課題】 半導体集積回路において、今後のさらなるゲート電極の微細化を進める技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、レジストマスクをエッチングにより後退させて導電膜のエッチングを行い、ゲート配線の断面形状は上層配線とコンタクト可能な幅を有する台形とし、且つ、ゲート配線から分岐するゲート電極の断面形状を意図的に3つの内角をもつ形状、代表的には三角形状として1μm以下のゲート幅を実現する。本発明により、オン電流の増大が実現し、高速動作する回路(代表的にはCMOS回路やNMOS回路)を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 吸着及び反応工程のプロセス条件を独立して設定でき、膜質のよい薄膜を得ることができ、成膜プロセスのサイクルタイムを早くできるように構成され、その上、製作コストの低い成膜装置の提供。
【解決手段】 基板ステージと、ベルジャー形容器と、成膜対象物搬送手段と、ガス導入手段とを備え、成膜プロセス実施時に、基板ステージと容器とで真空チャンバーを形成し、真空チャンバーの空間内にガス導入手段を介して原料ガス、反応ガスが導入され、成膜対象物上に原料ガスを吸着させる吸着工程及び吸着された原料ガスと反応ガスとを反応させる反応工程のいずれかを行うことができるように構成してなる。 (もっと読む)


【課題】 良好な特性を備えるカーボンファイバーを均一性高く基体上に形成する。
【解決手段】 カーボンファイバーの製造方法であって、第1の触媒材料と、第2の触媒材料を含む触媒粒子との積層体を、基体上に配置し、第1の触媒材料と前記第2の触媒材料とを反応させることで、第1の触媒材料と第2の触媒材料とからなる触媒粒子を基体上に形成し、その後第1の触媒材料と第2の触媒材料とからなる触媒粒子と、カーボンファイバーの原料とを反応させて、基体上にカーボンファイバーを成長させる。 (もっと読む)


一面において、本発明は半導体部品のための配線を組立てる方法を含む。半導体基板が用意され、そして基板を貫通して全体に延びる開口(212)が形成される。約200℃以下の温度において開口の側壁(218)に沿って第一の材料(220)が堆積される。堆積は原子層堆積法と化学蒸着法のうちの一つまたは両方を含むことができ、そして第一の材料は金属窒化物を含むことができる。第一の材料の表面の上にソルダー湿潤材料(224)が形成される。ソルダー湿潤材料は、例えばニッケルを含むことができる。次いで、開口の中およびソルダー湿潤材料の上にソルダー(240)が設けられる。 (もっと読む)


トランジスタおよびその製造方法。ゲート誘電体材料を堆積する前に半導体基材をドープする。別個のアニール工程、または、トランジスタを製造するために使用される後続のアニール工程の間を用いて、ドーパント種を、基材のドープされた領域から、ゲート誘電体内に出力拡散して、ドープされたゲート誘電体を生成する。ドーパント種は、ゲート誘電体の原子構造における各空孔を埋め、その結果、トランジスタの動作速度が上昇し、電力消費が低減され、電圧安定性が改善される。
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第1寸法を有するゲート電極層を備えたゲート電極構造をトリミングする方法および処理ツールを提供する。反応層は、ゲート電極構造と反応することによって形成される。そして、この反応層は、化学エッチングによって、ゲート電極構造の未反応部分から選択的に除去される。これにより、第1寸法よりも小さい第2寸法を有するトリミングされたゲート電極構造が形成される。トリミング処理は、反応層の形成が実質的に自己制限的となるプロセス条件にて実行される。トリミング処理は、ゲート電極構造の寸法をさらに減少させるために繰り返し行うことができる。
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ソース/ドレイン領域の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域の幅よりも大きく、かつソース/ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
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【課題】 high−kゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のhigh−k層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのhigh−k層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのhigh−k層の堆積中に、形成されることができる。 (もっと読む)


n型電界効果トランジスタおよびp型電界効果トランジスタとを含む半導体装置であって、n型電界効果トランジスタを構成する突起状半導体領域の結晶方位は、その基板と平行な面が実質上{100}面であり、その側面が実質上前記{100}面と直交する{100}面であり、p型電界効果トランジスタを構成する突起状半導体領域の結晶方位は、その基板と平行な面が実質上{100}面であり、その側面が実質上前記{100}面と直交する{110}面である、という条件を満足する半導体装置とする。 (もっと読む)


集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 (もっと読む)


1以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の1以上のパルスと窒素含有化合物の1以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の1以上のパルスと還元剤の1以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 (もっと読む)


【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル201 が、配線溝16の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚16nmのTaN0.87膜31と、TaN0.87膜上に形成され、配線溝16に埋め込み形成されたCuダマシン配線17に接する膜厚4nmのTaN1.19膜32とから構成されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−V族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−V族化合物半導体装置の電極構造は、電極4の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体GaN層3への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極4を得ることができた。 (もっと読む)


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