【課題】不純物の高活性化を図るとともに、半導体装置の性能の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い材料により構成された高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜３を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３上に金属を有するゲート電極４を形成する工程と、前記ゲート電極４をマスクとして、前記基板に不純物を注入して、エクステンション領域５を形成する工程と、前記不純物が注入された前記基板１をフラッシュランプアニールあるいはレーザアニールにより、熱処理する工程とを含む。熱処理する工程は、前記基板１に対し所定のピーク強度のパルス光を照射する第一の工程と、前記第一の工程のパルス光のピーク強度よりも低いピーク強度のパルス光を照射する第二の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電体材料を含むゲート絶縁膜とメタルゲート電極とを有する半導体装置の製造中にポリシリコンからなる残渣が素子分離領域上に生じる虞があり、不良の原因であった。
【解決手段】半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＰＭＩＳトランジスタ側とＮＭＩＳトランジスタ側とでシリサイド層の組成のバラツキを防止でき、またトランジスタのゲート形状の不安定化を防止できる、ＣＭＩＳトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０３とＮ−ｍｅｔａｌ１０４と多結晶シリコン１０６とが当該順に積層した第一のゲート構造Ｇ１を形成する。ゲート絶縁膜１０３と多結晶シリコン１０６とが当該順に積層した第二のゲート構造Ｇ２を形成する。第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２をマスクした状態で、各ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の両脇における半導体基板１０１上を、シリサイド化させる。そして、第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２を構成する多結晶シリコン１０６を、シリサイド化させる。 （もっと読む）

【課題】メタルをゲート電極材料に用いたＣＭＩＳ素子の閾値を低減する。
【解決手段】ｐ型ＭＩＳトランジスタＱｐのゲート絶縁膜５上に設けられたｐ型ゲート電極７は、順に、カチオン比でＡｌが１０％以上５０％以下のＴｉＡｌＮから構成される第１金属膜３０と、ＴｉＮから構成され、膜厚が５ｎｍ以下の第２金属膜３１と、Ｓｉを主成分として含有する導電体膜３２とが積層された構造を有している。また、ｎ型ＭＩＳトランジスタＱｎのゲート絶縁膜５上に設けられたｎ型ゲート電極６は、順に、第２金属膜３１と、導電体膜３２とが積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子がそれぞれ所望の特性を有し、かつ信頼性の高い半導体装置およびその半導体装置を容易に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜６の上面上に、全面的に、３〜３０ｎｍの厚みのゲート電極用金属膜Ｍを形成する。次に、ゲート電極用金属膜Ｍの上面のうちでｎＦＥＴ領域Ｒｎ内に属する部分にのみ、全面的に、ゲート電極用金属膜Ｍとは異種材料の、１０ｎｍ以下の厚みのｎ側キャップ層８Ａを形成する。その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。それ以降は、ポリＳｉ層を堆積した上で、ゲート電極加工を施す。 （もっと読む）

【課題】
下部電極の材料がTiNまたはTiであり、かつ誘電体層がZrとAlとOとを主成分とする複合酸化物の誘電体を含む層であるキャパシターの場合、誘電体に変質反応に生じ、キャパシターの静電容量が低下する。
【解決手段】
積層された多層の薄膜より成るキャパシター構造において、下部電極層と、下部電極界面層と、誘電体層と、上部電極層が順次積層された構造を持ち、前記下部電極層の材料がTiNまたはTiであり、前記下部電極界面層の材料がZrを主成分とする窒化物であり、前記誘電体層がZrとAlとOとを主成分とする複合酸化物の誘電体を含む層であることにより、キャパシターの静電容量を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＰＳ構造のデュアル・メタルゲートを有する半導体装置において高集積化を進展させつつ、ＰＮ境界部配線の断線や高抵抗化等の問題を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＮＭＩＳトランジスタのゲート電極１２２ａは、第１の金属含有導電膜１０４ａと、第１の金属含有導電膜１０４ａ上に形成された第３の金属含有導電膜１１３とから構成されており、ＰＭＩＳトランジスタのゲート電極１２２ｂは、第２の金属含有導電膜１０４ｂと、第２の金属含有導電膜１０４ｂ上に形成された第３の金属含有導電膜１１３とから構成されている。第３の金属含有導電膜１１３は、第１の金属含有導電膜１０４ａ及び第２の金属含有導電膜１０４ｂのそれぞれと接するように、第１の金属含有導電膜１０４ａ上から素子分離領域１０２上を経て第２の金属含有導電膜１０４ｂの上まで連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】精度良く形成された第１，第２のゲート電極を実現すると共に、ゲート幅方向の幅が縮小化された素子分離領域を実現する。
【解決手段】第１のＭＩＳトランジスタは、第１のゲート絶縁膜１３ａ上に形成された第２の金属膜３０ａからなる第１のゲート電極３０Ａと、第１のゲート電極の側面上から第１の活性領域１０ａにおける第１のゲート電極の側方に位置する領域の上面上に跨って形成された絶縁膜２７とを備え、第２のＭＩＳトランジスタは、第２のゲート絶縁膜１３ｂ上に形成され第１の金属膜１４ｂと第１の金属膜上に形成された導電膜３０ｂとからなる第２のゲート電極３０Ｂと、第２のゲート電極の側面上から第２の活性領域における第２のゲート電極の側方に位置する領域の上面上に跨って形成された絶縁膜２７とを備え、第１の金属膜と第２の金属膜とは、互いに異なる金属材料からなり、第１，第２のゲート電極の上面上には絶縁膜が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】同一導電型のチャネル領域を有し、かつ閾値電圧の異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】閾値電圧が互いに異なる２つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置において、トランジスタのゲート電極は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された、第２金属を含み第１金属を主成分とする金属層とを含み、更に、一方のトランジスタが、ゲート絶縁膜と金属層との間に、第２金属の酸化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 オーミック電極とバリアメタル層の密着強度を向上させる。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】２つのゲート配線間の接続を容易に、かつ低抵抗で行えるデュアルゲート半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する工程と、半導体基板上に、それぞれがゲート絶縁膜と第１ゲート金属膜とを含む、第１および第２の電極を形成する工程と、第１および第２の電極を埋め込むように、層間絶縁層を形成する工程と、第１および第２の電極の上部を層間絶縁層から露出させる工程と、第２の電極の第１ゲート金属膜を選択的に除去する工程と、第１および第２の電極を覆うように、層間絶縁層上に、第２ゲート金属膜およびゲート配線膜を堆積する工程と、第２ゲート金属膜とゲート配線膜をパターニングして、第１ゲート電極と第２ゲート電極とを形成するとともに、第１ゲート電極と第２ゲート電極とをゲート配線膜で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート長に依存する仕事関数の変動を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１４上の多結晶シリコン膜を露出した後、半導体基板１１を４００℃まで加熱し、その温度が安定した後に、その温度を保持したまま、例えばスパッタリング法によりニッケル膜２１を全面に形成する。ニッケル膜２１の厚さは、シリコン酸化膜２０上で６０ｎｍとする。この結果、シリコン酸化膜２０上にはニッケル膜２１が形成されるが、多結晶シリコン膜の表面に到達してきたニッケルは、そこに堆積するのではなく、多結晶シリコン膜と反応し、多結晶シリコン膜の全体がニッケルシリサイド膜２２に変化する。従って、ｐＭＯＳ領域１には、ｐ型不純物を含有するニッケルシリサイド膜２２からなるゲート電極が形成され、ｎＭＯＳ領域２には、ｎ型不純物を含有するニッケルシリサイド膜２２からなるゲート電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】曲げ等の外力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の損傷を低減する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴの特性を劣化させることなく、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を低減した相補型半導体装置する。
【解決手段】相補型半導体装置の製造方法が、シリコン基板を準備する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜を覆うようにＡｌ含有膜を形成する工程と、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上のＡｌ含有膜を、過酸化水素水を用いて選択的に除去する工程と、シリコン基板の上にゲート導電層を形成する工程と、ゲート絶縁膜、Ａｌ含有膜、およびゲート導電層をエッチングして、ゲート絶縁膜、Ａｌ含有膜、およびゲート導電層を含むｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極と、ゲート絶縁膜、およびゲート導電層を含むｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極とを形成する工程と、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極において、Ａｌ含有膜のＡｌ元素をゲート絶縁膜中に拡散させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 （もっと読む）

【課題】ｎウエル及びｐウエルに形成されたｐＭＯＳ及びｎＭＯＳトランジスタのしきい値を精密に制御し、かつ製造容易にする。
【解決手段】ｎウエル２及びｐウエル３上にゲート絶縁膜５を形成し、ｎウエル２上のゲート絶縁膜５上にｐＭＯＳトランジスタ１１のしきい値制御用の第１金属膜６を、ｐウエル３上のゲート絶縁膜５上に第１金属膜６と異なる材料からなるｎＭＯＳトランジスタ１２のしきい値制御用の第２金属膜７を形成する。そして、第１金属膜６上に高融点金属シリサイドからなる第１ゲート電極８ｐを、第２金属膜７上に高融点金属シリサイドからなる第２ゲート電極８ｎを形成する。しきい値は金属膜６、７で定まるから安定する。この金属膜６は薄く、容易にパターニングできる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体層に対する優れた付着力を有しかつ電解液に対する優れた耐腐食性をも有する窒化物系半導体装置用多層電極構造を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体装置用多層電極構造は、窒化物系半導体層（１０１）上に順次積層される第１、第２、第３、および第４の電極層（１０２、１０３、１０４、１０５）を含み、第１電極層（１０２）は金属窒化物を含み、第２電極層（１０３）は相対的に低い標準電極電位を有する金属を含み、第４電極層（１０５）は相対的に高い標準電極電位を有する金属を含み、第２と第４の電極層に挟まれた第３電極層（１０４）は相対的に中間の標準電極電位を有する金属を含んでいることを特徴としている。 （もっと読む）