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Fターム[4M104BB32]の内容

半導体の電極 (138,591) | 電極材料 (41,517) | 高融点金属窒化物 (3,639) | TaN (978)

Fターム[4M104BB32]に分類される特許

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【課題】プラグの上面の形状を工夫することにより、半導体装置の電気的特性において、信頼性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本願発明におけるプラグPLGは、上面がコンタクト層間絶縁膜CILの表面(上面)よりも突出した上に凸のドーム形状をしている。つまり、プラグPLGは、上面が上に凸のドーム形状となっており、コンタクト層間絶縁膜CILの上面の高さよりもバリア導体膜BF1の上端部の高さが高く、かつ、タングステン膜WFの上端部の高さはバリア導体膜BF1の上端部の高さよりも高くなっている。 (もっと読む)


【課題】微細化されても、pチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、nチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。
【解決手段】pチャネルトランジスタ105のゲート電極は、引っ張り内部応力を持つpチャネルメタル電極110を有する。nチャネルトランジスタ106のゲート電極は、圧縮内部応力を持つnチャネルメタル電極116を有する。 (もっと読む)


III族窒化物トランジスタ・デバイスを形成する方法は、III族窒化物半導体層上に保護層を形成するステップと、III族窒化物半導体の一部を露出するように保護層を貫通するビアホールを形成するステップと、保護層上にマスキングゲートを形成するステップとを含む。マスキングゲートは、ビアホールの幅より大きい幅を有する上部を含み、ビアホールの中に延びる下部を有する。この方法はさらに、マスキングゲートを注入マスクとして用いて、III族窒化物層内にソース/ドレイン領域を注入するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 (もっと読む)


【課題】仕事関数を十分に制御することができ、閾値電圧の変動を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体基板10に第1導電型チャネルMOSFETを備える。第1導電型チャネルMOSFETは、例えばPチャネルMOSFETであって、半導体基板10の上に設けられたゲート絶縁膜21と、ゲート電極65とからなる。ゲート電極65は、ゲート絶縁膜21の上に設けられた金属ゲート電極20と、金属ゲート電極20の上に設けられた金属酸化膜24と、金属酸化膜24の上に設けられた金属ゲート電極26と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、めっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高め、めっき膜の埋込み等をより短時間で確実に行うことができるようにする。
【解決手段】めっき槽の内部に該めっき槽内のめっき液に浸漬されるように配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽内にめっき液を供給する複数のめっき液噴射ノズル406を有するノズル配管400を備え、該ノズル配管400は、縦パイプ402と横パイプ404とを格子状に組んで構成され、ホルダで保持してめっき槽内にめっき液に浸漬させて配置される被めっき材の被めっき面と平行に横方向及び/または縦方向に移動自在に構成されている。 (もっと読む)


【課題】高誘電体材料を含むゲート絶縁膜とメタルゲート電極とを有する半導体装置の製造中にポリシリコンからなる残渣が素子分離領域上に生じる虞があり、不良の原因であった。
【解決手段】半導体基板10の第1の活性領域10a上には、高誘電体材料と第1の金属とを含有する第1のゲート絶縁膜13aと、下層導電膜15aと第1の導電膜18aと第1のシリコン膜19aとを有する第1のゲート電極30aとを備えた第1導電型の第1のトランジスタが形成されている。半導体基板10の第2の活性領域10b上には、高誘電体材料と第2の金属とを含有する第2のゲート絶縁膜13bと、第1の導電膜18aと同一の材料からなる第2の導電膜18bと第2のシリコン膜19bとを有する第2のゲート電極30bとを備えた第2導電型の第2のトランジスタが形成されている。 (もっと読む)


【課題】高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を備えたCMISFETの性能を向上させる。
【解決手段】高誘電率ゲート絶縁膜として機能するHf含有絶縁膜4a,4b上にメタルゲート電極であるゲート電極GE1,GE2が形成され、ゲート電極GE1,GE2は、金属膜7a,7b,7cの積層膜からなる金属膜7とその上のシリコン膜8との積層構造を有している。金属膜7の最下層の金属膜7aは、窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、炭化チタン膜、炭化タンタル膜または窒化タングステン膜からなり、金属膜7bは、ハフニウム膜、ジルコニウム膜またはアルミニウム膜からなり、金属膜7cは、金属膜7aと同種の材料からなる膜である。 (もっと読む)


【課題】後続の工程に伴う埋め込みゲートの酸化を防止し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと基板との間のコンタクト面積を増加させ、コンタクト抵抗を低減し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと埋め込みゲートとの間のGIDLを低減し、自己整合コンタクト不良を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板の全面にプラグ導電膜を形成するステップと、前記プラグ導電膜をエッチングしてランディングプラグを形成するステップと、前記ランディングプラグ間の基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチの表面上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上に前記トレンチの一部を埋め込む埋め込みゲートを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むMISFETを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化シリコンを主体とする第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に酸化ハフニウムを主体とする第2の絶縁膜を形成し、熱処理を行い第2の絶縁膜上にシリコンを析出させ、シリコン上にシリコンに対して酸化作用を有する第3の絶縁膜を形成し、第3の絶縁膜上に金属膜のゲート電極を形成し、熱処理を行い第3の絶縁膜の酸化作用によってシリコンを酸化させる。 (もっと読む)


【課題】低いシート抵抗を得る不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する製造方法を提供。
【解決手段】半導体基板21において半導体基板21よりも不純物濃度が高いボロンイオン注入層43が形成されており、ボロンイオン注入層43にパルス幅が10〜1000フェムト秒のパルスレーザー光を照射して、ボロンイオン注入層43を活性化させる。パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後のボロンイオン注入層43のシート抵抗を制御する。 (もっと読む)


【課題】薄い半導体チップの両側の表面に多数の電極が形成された両面マルチ電極チップが好適に実装されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ21の両側の表面S1,S2にそれぞれ複数の電極D1,D2が形成された両面マルチ電極チップ11が実装されてなる半導体装置であって、両面マルチ電極チップ11が、外部に露出しないように多層配線基板60に埋め込まれ、両面マルチ電極チップ11の複数の電極D1,D2が、前記多層配線基板の配線層H3,H1に接続されてなる半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第1の導電層を形成する工程と、第1の導電層を覆うように第1の絶縁層を形成する工程と、第1の導電層と一部が重畳するように、第1の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第2の導電層を形成する工程と、半導体層および第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、第2の導電層と電気的に接続される第3の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第2の絶縁層を形成する工程の前の第1の熱処理工程と、第2の絶縁層を形成する工程の後の第2の熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、最適な仕事関数を有するメタルゲート電極を持つ半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】n チャネルMIS トランジスタを含む半導体装置であり、n チャネルMIS トランジスタは、基板上に形成されたp 型半導体領域、p 型半導体領域に形成されたソース領域102及びドレイン領域104、ソース領域102及びドレイン領域104間のp 型半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜106、ゲート絶縁膜106上に形成された金属層108及び化合物層110からなる積層構造を持つゲート電極を有する。金属層108は2 nm未満の厚さ及び4.3 eV以下の仕事関数を有し、化合物層110は4.4 eVを越える仕事関数を有しかつAl及び金属層108とは異なる金属を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】高誘電率材料を含むゲート絶縁膜と、高融点金属等を含むゲート電極とを備え、消費電力の低減と高速動作化とが図られた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜を含む絶縁膜101aを形成する工程(a)と、上面に酸化膜が形成され、高融点金属または高融点金属の化合物の少なくとも一方を含む第1の導電膜102aを形成する工程(b)と、酸化膜103aを間に挟んで第1の導電膜102a上に、シリコンを含む第2の導電膜104aを形成する工程(c)と、第1の導電膜102aおよび第2の導電膜104aに対してイオン注入を行い、酸化膜103aの構成材料を前記第2の導電膜104a中のシリコンと混合させてミキシング層103bを形成する工程(d)と、熱処理を行ってミキシング層103bを導電層103cにする工程(e)とを備える。 (もっと読む)


【課題】CMOS集積過程での高温処理の後であっても一定の閾値電圧を維持する高kゲート誘電体の提供。
【解決手段】高kゲート誘電体30と、下部金属層40、捕捉金属層50、および上部金属層60を含む金属ゲート構造とのスタックを提供する。該捕捉金属層は、次の2つの基準、1)Si+2/yM→2x/yM+SiOの反応によるギブス自由エネルギの変化が正である金属(M)であること、2)酸化物形成に対する酸素原子あたりのギブス自由エネルギが、下部金属層の金属および上部金属層の金属より大きな負である金属であること、を満たす。これらの基準を満たす捕捉金属層は、酸素原子がゲート電極を通って高kゲート誘電体に向け拡散するときに該酸素原子を捕捉する。さらに、該捕捉金属層は、高kゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。この結果、ゲート誘電体全体の等価酸化膜厚(EOT)の変動が抑制される。 (もっと読む)


【課題】High-k/metalゲート電極構造において各極性のFETに要求される仕事関数値を実現する。
【解決手段】第1の領域と第2の領域とを有する半導体基板101の上にゲート絶縁膜103を形成する。次に、ゲート絶縁膜103の上に第1の金属窒化膜105を堆積する。次に、第1の金属窒化膜105における第2の領域に位置する部分を除去することにより、ゲート絶縁膜103における第2の領域に位置する部分を露出させる。次に、ゲート絶縁膜103における第2の領域に位置する部分の上に、第1の金属窒化膜105と同じ金属窒化物からなる第2の金属窒化膜107を形成する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって:ハフニウムおよび/またはジルコニウムを含む第1の酸化物材料を含む高誘電体層と;前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および/または、アルミニウムを含む第2の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と;酸化剤を含む水溶液である液体Aを前記半導体ウエハの表面に供給する工程SAと;工程SAの後に、6未満のpH値の液体である液体Bを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程SBと;工程SBの後に、少なくとも10ppmのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Cを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程SCとを備える方法が開示されている。 (もっと読む)


【課題】 マルチゲート型FETの置換ゲート構造体及びマルチゲート型FETの置換ゲート構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 MUGFET及びMUGFETを製造する方法が示される。MUGFETを製造する方法は、複数の活性領域の周りに一時的スペーサ・ゲート(図3の16)を形成することと、複数の活性領域の間を含む、一時的スペーサ・ゲートの上に誘電体材料(18a及び空間20内)を堆積させることとを含む。この方法は、誘電体材料(空間20内)の部分をエッチングして一時的スペーサ・ゲート(16)を露出させることと、一時的スペーサ・ゲートを除去して、活性領域と誘電体材料の残りの部分(18a)との間に空間を残すこととをさらに含む。この方法はさらに、活性領域と誘電体材料の残りの部分(18a)との間の空間(22)及び誘電体材料の残りの部分の上方をゲート材料で充填することを含む。 (もっと読む)


【課題】導電型に応じて容易に構成を変えることが可能なFinトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に設けられた凸状の半導体からなるトランジスタ活性領域104と、トランジスタ活性領域104の一部の側面上及び上面上に設けられたゲート絶縁膜105aと、ゲート絶縁膜105aを間に挟んでトランジスタ活性領域104の側面及び上面の一部上に設けられたゲート電極350とを備えている。ゲート電極350のうち、トランジスタ活性領域104の側面上に設けられた部分の構成とトランジスタ活性領域104の上面上に設けられた部分の構成とは互いに異なっている。 (もっと読む)


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