Fターム[4M104BB37]の内容
Fターム[4M104BB37]に分類される特許
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FETゲート電極用のCVDタンタル化合物(TaおよびNを含む化合物の化学的気相堆積方法および半導体電界効果デバイス)
【課題】電界効果デバイスのゲート材料を提供すること。
【解決手段】電界効果デバイスのゲート材料として用いられるTaおよびNの化合物であって、さらに別の元素を含む可能性があり、約20mΩcmより小さな比抵抗を有し、約0.9より大きなN対Taの元素比を有する化合物が開示される。そのような化合物の代表的な実施態様であるTaSiNは、誘電体層および高k誘電体層を含むSiO2上の一般的なCMOSプロセス温度で安定であり、n型Siの仕事関数に近い仕事関数を有する。第3アミルイミドトリス(ジメチルアミド)Ta(TAIMATA)などのアルキルイミドトリス(ジアルキルアミド)Ta化学種をTa前駆体として用いる化学的気相堆積方法によって、金属性Ta−N化合物を堆積する。この堆積は共形であり、これらのTa−N金属化合物のCMOSプロセスフローへの融通の利く導入を可能にする。TaNまたはTaSiNを用いて加工されたデバイスは、ほぼ理想的な特性を示す。
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金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子
炭化珪素(SiC)基板上に金属を形成し、この金属とSiC基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−SiC材を形成し、SiC基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−SiC材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。
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半導体基板上の、超臨界流体による物質の蒸着
集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 (もっと読む)
銅配線構造およびその製造方法
【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Cu16とバリアメタル12、あるいはCu16とキャップ層19との界面近傍に、不純物15を固溶させる、不純物15を析出させる、非晶質Cu14を存在させるまたはCuとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Cuのエレクトロマイグレーション(EM)に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。
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