【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部６の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極７が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）オフ角を有するＳｉＣ基板１上に、ドリフト層２と、酸化膜３１と、レジスト３２とをこの順に形成する工程と、（ｂ）酸化膜３１に第１開口部３１ａを形成するともに、レジスト３２に第２開口部３２ｂを形成する工程と、（ｃ）不純物を、酸化膜３１及びレジスト３２を介してドリフト層２にイオン注入することにより、ｐ型領域１３，２３をドリフト層２の上部に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極のコンタクト抵抗や逆方向リーク電流を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層１０３と、窒化物半導体層１０３よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体層１０４との接合体が少なくとも１つ基板１０１上に積層されている。窒化物半導体層１０４の上面から窒化物半導体層１０３における窒化物半導体層１０４との界面よりも下側までの範囲に位置する部分の前記接合体の両側端にテーパ部１０８及び１０９が形成されている。テーパ部１０８の側面上には窒化物半導体層１０３とショットキー接触するようにアノード電極１０６が形成されており、テーパ部１０９の側面上には窒化物半導体層１０３とオーミック接触するようにカソード電極１０７が形成されている。各テーパ部１０８及び１０９の側面が基板１０１の主面に対してなす角度は、２０度以上で且つ７５度以下である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で半導体装置に長時間逆バイアスを与えた場合であってもリーク電流が増加したり耐圧が低下したりすることのない、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層（第１導電型の半導体層）１１４と、活性領域Ｒ１に形成された複数の柱状埋込層１１８と、活性領域Ｒ１に形成されたショットキーバリアメタル層（第１電極層）１３２と、耐圧領域Ｒ２に形成された複数のガードリング層（環状柱状埋込層）１２４と、耐圧領域Ｒ２及び周辺領域Ｒ３に形成された絶縁層１３０とを備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、周辺領域Ｒ３に形成された第２ガードリング層（第２環状柱状埋込層）１３６と、周辺領域Ｒ３に形成された環状導電層１４２とをさらに備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体層３，５，７と、第１の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第２の窒化物半導体層５，６，８とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも２つ以上有する窒化物半導体積層体１０を備え、窒化物半導体積層体１０に設けられたドレイン電極１４と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とソース電極１３の両者に対向して設けられたゲート電極１５，１６とを有し、ドレイン電極１４とソース電極１３は、窒化物半導体積層体１０の表面または側面に配置され、ゲート電極１５，１６は、窒化物半導体積層体１０の深さ方向に設けられた第１ゲート電極１５と、該第１ゲート電極１５と窒化物半導体積層体１０の深さ方向の配置深さが異なる第２ゲート電極１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを含む基板を用いたショットキーダイオードのショットキー界面のドリフト層に結晶欠陥が生じている場合に、逆方向漏れ電流の発生を防ぐことで、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上のドリフト層２とショットキー電極４とのショットキー接合部を含むショットキーダイオードにおいて、ドリフト層２の上面に達する結晶欠陥１２の上面に、ショットキー電極４を構成する金属に応じて規定される濃度および深さで、アクセプタ不純物を導入してｐ型半導体領域３を形成し、逆方向漏れ電流の増大を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、製造されるショットキーダイオード間の電気特性のばらつきを抑制できる構造を有するショットキーダイオードとその製造方法を提供する。
【解決手段】本明細書が開示するショットキーダイオード１０は、半導体基板１２（Ｎ型拡散層１６）の表面及びその表面より内側の所定範囲にＡｌイオンを注入して金属イオン注入層１８を形成するとともに、Ｎ型拡散層１６と金属イオン注入層１８とをショットキー接合させ、その後、金属イオン注入層１８の表面に金属層２２を形成することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）系のＨＥＭＴを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０のうちＧａＮ層１３に２次元電子ガスが生成される領域が活性層領域４０とされ、基板１０のうち活性層領域４０を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域４０とは電気的に分離された領域が素子分離領域５０とされている。そして、ダイオード６０は素子分離領域５０の層間絶縁膜２０の上に配置されている。このように、基板１０のうちＨＥＭＴが動作する活性層領域４０とは異なる素子分離領域５０を設けているので、１つの基板１０にＧａＮ−ＨＥＭＴとダイオード６０の両方を備えた構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐圧を低下させることなく、トレンチ開口幅を小さくすることができるショットキー接合型半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチの断面形状を、トレンチの底面部の中央が高く、周辺が低いサブトレンチ形状とし、ｐ型不純物をドリフト層表面に対して垂直に導入することで、サブトレンチが設けられたトレンチの内壁部に接するように形成されたｐ＋ＳｉＣ領域が、トレンチの底面の中央での接合位置よりも、トレンチの底面の周辺での接合位置が深くなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５と電気的に接続され、ゲート電極５とドレイン電極４間で絶縁膜７上に配置されたゲートフィールドプレート５０と、ソース電極３と電気的に接続され、絶縁膜８を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート５０とドレイン電極４間の上方に配置されたソースフィールドプレート３０とを備え、ゲート電極５とドレイン電極４間の距離、ゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部とゲート電極５のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート３０のドレイン側端部とゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極３とドレイン電極４の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 （もっと読む）

【課題】所望の位置にグラフェン膜を有するグラフェン構造及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の基材３上において、炭素含有層４と、少なくともケイ素を含む炭素化合物層５とを順次に積層し、その上に絶縁膜層６を形成した後、絶縁膜層の一部をエッチングにより取り除いた基板に対してアニーリングを実施し、絶縁膜の除去部にのみグラフェン膜７を形成したグラフェン構造１を形成し、これを用いて表面にショットキー電極８、およびオーミック電極９，１０を形成させて半導体装置２を作製する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング耐性を向上させた炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に平面視してリング状に形成された低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍の低濃度ｐ型ＪＴＥ３の内側に該低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３に接触して平面視してリング状に形成された高濃度ｐ型領域４と、高濃度ｐ型領域４上の一部に形成されたｐ型オーミック電極５と、ｐ型オーミック電極５を覆うと共に高濃度ｐ型領域４上及びｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極６と、ショットキー電極６上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板のｎ型炭化珪素層が形成されていない側に形成された第２の電極と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、半導体層１２、絶縁膜１７、ゲート電極２２、ドレイン電極１９およびソース電極２０、を具備する。半導体層１２は、半絶縁性半導体基板１１上に形成され、表面に、側壁が傾いたテーパ状のリセス領域１８を有する。半導体層１２は、活性層１４を含む。絶縁膜１７は、半導体層１２上に形成されたものであり、リセス領域１８を全て露出する貫通孔２１を有する。貫通孔２１は、側壁がリセス領域１８の側壁の傾き角θ１より小さい角度θ２で傾いたテーパ状である。ゲート電極２２は、リセス領域１８および貫通孔２１を埋めるように形成されたものである。ドレイン電極１９およびソース電極２０は、半導体層１２上のうち、リセス領域１８を挟む位置に形成されたものである。 （もっと読む）