【課題】 半導体ウエハーなどに均一にめっきを施すために行う、洗浄および濡れ性向上のためのアルカリ性洗浄に使用する洗浄剤であって、アルカリ金属を含まないアルカリ性洗浄剤を提供すること。
【解決手段】 リン酸またはその塩を含み、水酸化テトラアルキルアンモニウム塩によりｐＨ１１．５以上の強アルカリ性にしたアルカリ金属フリーめっき前洗浄剤。
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【課題】着弾した液滴を確実に溝内に塗れ拡がらせて細線化を可能にする
【解決手段】基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、第１の工程及び第４の工程及び第６の工程の少なくとも一つの工程では、機能液３２が塗布される被塗布領域３１と、被塗布領域３１を囲んで形成されたバンクＢとを有し、被塗布領域に対する機能液の接触角と、バンクに対する機能液の接触角との差が４０°以上であり、バンク間の溝幅Ｗが、吐出された機能液の液滴の直径Ｄよりも小さい基板Ｐに対して機能液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】理想的な特性に近いショットキー電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１にリセス１０７を形成するためのエッチングを行う際に、このリセス１０７の表面に、水酸基を多く含むＧａ酸化膜１０８が形成される。このＧａ酸化膜１０８はショットキー電極の特性を悪化させる原因になる。このため、エッチング後、このＧａＡｓ基板１０１をホットプレートで加熱することにより、このＧａ酸化膜１０８から水酸基を取り除き、絶縁性の高いＧａ酸化膜１０９に変質させる。その後、Ｇａ酸化膜１０９上にショットキー電極１１１を形成し、レジストパターン１０６や金属層１１０を取り除いた後、保護膜１１３を形成する。この発明によれば、Ｇａ酸化膜１０８内の水酸基が水に変化する反応を加熱処理によって促進させることができ、これにより水酸基を取り除くことができるので、理想的な特性に近いショットキー電極１１１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】膜厚の異なる絶縁膜に対してテーパー形状を有するコンタクトホールを一定の底部幅で形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。このとき、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂとが同じ膜厚になるようにする。その後、残存している第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれテーパーエッチングし、第１のコンタクトホール下部領域１６ａ及び第２のコンタクトホール下部領域１６ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】 配線パターン形成方法は、バンクパターンに縁取られたパターン形成領域における所定のセクションへ液状の導電性材料の液滴を吐出して、パターン形成領域を覆う導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を含んでいる。セクションのＸ軸方向に沿った長さをＬとし、Ｙ軸方向に沿った長さをＭとすると、吐出される液滴の直径φは、Ｌ以下であるとともに、Ｍ以下である。そして、ステップ（Ａ）は、バンクパターンから少なくとも直径φの１／２倍離れた位置に液滴の中心が当たるように、液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 蒸留又は昇華により精製される有機低分子材料を材料利用効率の高いインクジェット法を用い、スループットが高く、大型有機ＥＬパネルや有機薄膜トランジスタ等の電子装置の製造が可能なる方法を提供する。
【解決手段】 ２種類の溶剤を混合し、最適インク粘度の確保と、乾燥過程におけるインクの表面張力並びに上記有機材料の溶解限を増加させることによって、隔壁層で区画された凹領域のみに選択的に、インクジェット法で有機材料の非晶質膜形成する。２種類の溶剤の第一の溶剤は溶解度が０．５ｗｔ％以上の第１溶媒で、第二の溶剤は溶解度が０．１ｗｔ％以下の第２溶媒である。第１溶媒の沸点は第２溶媒の沸点よりも高い方が望ましく、このインク溶剤系を用いることによって、インク中の第１溶媒の比率が乾燥と共に増加することから、結晶核や凝集の発生を抑制でき、均一な非晶質薄膜形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、自己組織化単分子膜を基板の表面に形成する成膜工程と、前記自己組織化単分子膜に選択的に光を照射する露光工程と、前記自己組織化単分子膜の露光部を除去する洗浄工程と、前記基板の上にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板の上に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいＧａＮ系電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するＧａＮ系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするＧａＮ系電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面に電極を形成する工程とを有し、前記荒らす工程は、前記露出面についての研磨処理又はレーザー照射Ｌを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 塗布対象物との密着性が、従来よりも改善された導電性インキ組成物を提供する。また、金属の粒成長を抑制し、表面平滑性に優れた膜を形成することができる導電性インキ組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも貴金属を含む合金からなる金属微粒子の表面を、少なくとも二種の有機化合物からなる保護コロイドで被覆されてなる固形物を有機溶媒に分散させて導電性インキ組成物とする。上記保護コロイドには、例えば、（Ａ）アミン類と、（Ｂ）カルボン酸とを含む原料から得られる保護コロイドを使用する。上記導電性インキ組成物を塗布、焼成することで、粒成長が抑制され、表面平滑性に優れ、塗布対象物との密着性が従来よりも改善された金属膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 １度の不純物注入工程によってＬＤＤ構造を形成することができる薄膜トランジスタの製造方法等を提供する。
【解決手段】 本発明は、ゲート絶縁膜上に、チャネル長方向において端部から中央部に向けて徐々に膜厚が厚くなる傾斜部を有するゲート電極２０を形成する工程を含む薄膜トランジスタうの製造方法を提供する。該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ⁺型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ等の非金属基板表面に直接的にメッキ処理を行うことを可能とする。
【解決手段】 非金属からなるＳｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１表面に形成された無機酸化物微粒子の焼結体からなる下地薄膜１６１と、下地薄膜１６１上に無電解メッキ処理により形成されたメッキ膜 (Ｎｉ-Ｐ膜１６２)とを有する。
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セミコンダクタ・オン・インシュレータ半導体装置は金属又はシリサイド・ソース・コンタクト領域及びドレイン・コンタクト領域（３８、４０）、活性化ソース領域及びドレイン領域（３０、３２）並びに本体領域（３４）を有する。構造体は二重ゲートＳＯＩ構造体又は完全空乏型（ＦＤ）ＳＯＩ構造体でよい。スペーサ（２８）を使用し、半導体層の全厚みをコンタクト領域で完全に置き換えるプロセスを用いてシャープな海面と低抵抗とが達成される。
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【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

高アスペクト比ビア内に連続シード層を形成する方法とそれに関連付けられる構造体を記載する。この方法は、基板内に凹部（１０４）を形成する段階と、凹部内に非連続金属層を形成する段階と、凹部内の非連続金属層（１１２）と、少なくとも１つの非堆積領域（１０９）を活性化させる段階と、凹部内の非連続金属層及び少なくとも１つの非堆積領域上にシード層（１１６）を無電解メッキする段階と、実質的にボイドがなく、金属が充填された凹部を形成するようシード層上に金属充填層を形成する段階を含む。
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【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）

【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）