【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しつつ、ＳｉＣ基板の一方面に直接接合されるメタル層の接続信頼性を向上でき、さらにはＳｉＣ基板に対するメタル層のオーミック接合を確保することのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板２を有する半導体装置１において、ＳｉＣ基板２の裏面２２側の表層部分に、表面２１側の表層部分よりもカーボンが高濃度に含まれる高カーボン濃度ＳｉＣ層３を形成する。そして、その高カーボン濃度ＳｉＣ層３の表面にドレイン電極１７を直接接合する。 （もっと読む）

【課題】１つ以上のカーボン・ナノチューブを選択的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、上面を有する絶縁層を基板上に形成するステップと、絶縁層内にビアを形成するステップと、ビアの側壁及び底面を含め、絶縁層上に活性金属層を形成するステップと、ビアの内部での１つ以上のカーボン・ナノチューブの選択的な成長を可能にするために、イオン・ビームを用いて上面の部分にある活性金属層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能で、かつ平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨工程を必要としない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭化珪素基板の表面上に、活性領域となり表面にステップバンチングが生じやすいＣ／Ｓｉ比を有する第１の炭化珪素層を形成する第１工程と、前記第１の炭化珪素層の表面上に、表面が平坦となるＣ／Ｓｉ比を有する第２の炭化珪素層を形成する第２工程と、前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する第３工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換デバイスの表面に高アスペクト比の配線を容易に形成する。
【解決手段】基板Ｗ表面を走査移動する第１吐出部５２から、光硬化性樹脂を有する隔壁材料Ａ1を吐出し、その後方でＵＶ光を照射することにより硬化させる。さらに後方を移動する第２吐出部５４から配線材料を吐出させる。このとき、配線材料の吐出位置の周縁部には隔壁Ｂ1，Ｂ2が形成されているので、配線材料は面方向に広がることがなく、高アスペクト比の配線ＣＷを形成することができる。隔壁Ｂ1，Ｂ2については、封止材と同等の屈折率を有する材料を使い配線とともに封止するか、光照射により半硬化状態として配線形成後に熱処理により揮発させる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の電極や配線を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】本実施形態による配線は、ｐ型不純物が導入されたｐ型不純物層部分と、ｎ型不純物が導入されたｎ型不純物層部分と、ｐ型及びｎ型不純物が導入された（ｐ＋ｎ）型不純物層部分と、を含む半導体層と、少なくとも（ｐ＋ｎ）型不純物層部分上に形成されたシリサイド層と、を備え、（ｐ＋ｎ）型不純物層部分に含まれるｐ型不純物とｎ型不純物の総濃度は、５Ｅ２０ｃｍ^−３未満である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】最新の０．１５μｍパワーＭＯＳＦＥＴにおいては、微細化によるセル・ピッチの縮小のためトレンチ部（ソース・コンタクト用の溝）において、アルミニウム・ボイド（アルミニウム系電極内に形成されるボイド）が多発することが、本願発明者らによって明らかにされた。この欠陥の発生は、主にアスペクト比が前世代の０．８４から一挙に２．８に上昇したことによると考えられる。
【解決手段】本願の一つの発明は、アスペクト比の大きい繰り返し溝等の凹部をアルミニウム系メタルで埋め込む際に、アルミニウム系メタル・シード膜の形成から埋め込みに至るまで、イオン化スパッタリングにより、実行するものである。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】オーミック特性に優れた電極を形成することができるとともに、素子特性に優れる半導体素子が歩留まり良く得られる半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、主面２ａ及び裏面２ｂを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板２の主面２ａ側に半導体素子構造３を形成する半導体素子構造形成工程と、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側に炭化珪素バルク基板２とオーミック接触するオーミック電極４を形成するオーミック電極形成工程とをこの順で具備し、オーミック電極形成工程は、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側を研削することによって炭化珪素バルク基板２の厚みを薄くした後、裏面２ｂにオーミック電極４を形成する小工程と、オーミック電極４に対し、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側から高出力光を照射する光学式加熱法によって熱処理を行なう小工程とをこの順で備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＣｏＷＰ上でのカーボンナノチューブ作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブ配線構造の製造方法は、Ｃｕ配線上のＣｏを含むめっき層をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程の前又は後に前記Ｃｏを含むめっき層に、カーボンナノチューブ成長用の助触媒を付与する助触媒付与工程と、前記プラズマ処理工程及び助触媒付与工程より後に前記Ｃｏを含むめっき層及び前記Ｃｏを含むめっき層に付与された前記助触媒を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理工程より後に、プラズマＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有するプラグを充填する方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比を有するプラグを充填する本発明の方法においては、核形成層を、バイアの側壁上ではなく、バイアの底に形成する。プラグ充填はバイアの底からトップへの方向であり、側壁から内側へではない。得られるプラグは、無ボイドであり、継ぎ目無しである。 （もっと読む）

【課題】生産効率の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記酸化物半導体層の上に流動性電極材料反撥性を有する撥液パターンを形成後、前記撥液パターンを挟み近接する領域に、流動性電極材料を供給して前記流動性電極材料を前記撥液パターンで分断することにより、前記流動性電極材料からなるソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】
洗練されたトランジスタ要素を形成するための製造プロセスの間、それぞれの金属シリサイド領域を形成するのに先立つ共通のエッチングシーケンスにおいて、ゲート高さが減少させられてよく、そして凹型のドレイン及びソース構造もまた得られてよい。対応する側壁スペーサ構造はエッチングシーケンスの間に維持され得るので、ゲート電極におけるシリサイド化プロセスの可制御性及び均一性を高めることができ、それにより、低減された程度のスレッショルドばらつきを得ることができる。更に、凹型のドレイン及びソース構造が、全体的な直列抵抗の低減及び応力転移効率の増大をもたらすことができる。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）