導電性の、構造化された、又はほぼ平坦な表面を支持体上に製造する方法であって、第１工程で、マトリックス材料中に導電性の粒子を含む分散物を使用して、構造化された又はほぼ平坦な基礎層を支持体上に施し、第２工程で、マトリックスを少なくとも部分的に硬化及び／又は乾燥させ、第３工程で、マトリックスを少なくとも部分的にブレークすることによって導電性の粒子を露出させ、そして第４工程で、無電解及び／又は電解被覆によって、構造化された又はほぼ平坦な基礎層上に金属層を形成することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】従来の方法による有機電子素子製造時に問題とされる、ソース／ドレイン電極材料が特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服して、データライン材料と相異なるソース／ドレイン電極材料を使用できる有機電子素子の電極形成方法、これによって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ及びこれを含む表示素子を提供する。
【解決手段】有機電子素子の電極形成時に、パターニング及び精密度面で良好でありながらも、ソース／ドレイン電極材料が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）など特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服し、一般金属や金属酸化物だけでなく、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物などを含む伝導性物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を同時に方向制御して水平方向に形成し、そのカーボンナノチューブ束を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された絶縁膜２と、絶縁膜２の上表面に沿って延びているカーボンナノチューブ束４と、絶縁膜２に形成された開口部と、開口部内に露出する基板１の一部の領域であって開口部の側壁寄りに形成された触媒層３とを有し、絶縁膜２の上表面に沿って延びているカーボンナノチューブ束４は屈曲し、その一端が触媒層３と接触し、かつそのカーボンナノチューブ束４はチャネルを構成している。 （もっと読む）

【課題】 近年の半導体デバイスの微細化に伴って、コンタクトホール開口後に投影飛程距離が浅いイオンを注入し、ソース・ドレイン部のコンタクト抵抗を低下させることが行われている。しかし、このコンタクト抵抗を下げるためのイオン注入により，その飛程位置を中心として格子歪みや欠陥が残留し、欠陥と空乏層とが接触し接合リークが発生するという問題がある。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、コンタクトホール形成後に直列抵抗を下げるための砒素注入を行い，その後，コンタクトホール側壁部にサイドウォール膜を形成する。このサイドウォール膜をマスクとしてシリコンをエッチングすることにより，このサイドウォール直下の砒素領域を残しつつ，砒素の投影飛程位置を中心とした注入ダメージの多い領域を除去する。注入ダメージの多い２次欠陥領域を除去することで接合リーク電流の発生を防止できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填させて基板間の配線を行う場合に、数μｍの微細なスルーホール径に対してスルーホールの高さ方向の長さが長くなってもスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填することができ、よってスルーホール内の断線を防止することができる電気接続体、電気接続体の形成方法及びカートリッジを提供する。
【解決手段】液滴吐出装置１０の直径約５μｍ以下、好ましくは約１μｍ以下のノズル１２から基板２２に向けて液滴２４を噴射させ堆積する。液滴２４を複数堆積して形成された液滴堆積体において、最初の液滴３４ａ上の成長起源液滴層３４ｂの固化した直径をＲｍ１、着弾後の液滴を複数堆積して形成された液滴堆積体の最上層の液滴３４ｄの最大直径をＲｍ２としたときに、Ｒｍ１とＲｍ２との比が２：１〜１：１となる。 （もっと読む）

【課題】細い線状のパターンを、精度よく安定して形成する。
【解決手段】表示装置の駆動のための薄膜トランジスタであって、バンクで区画された領域にゲート電極４１の少なくとも一部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成する。
【解決手段】 表層のTaN 層のＮ原子を除去してバリアメタル膜２３の母材内部と比べて表層の窒素含有量を相対的に低減させる表面処理を施して表層に実質的に金属層２３ａを形成し、実質的な金属層２３ａと金属窒化物の層２３ｂとを一層の厚さで形成し、極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成し、金属配線のプロセスを安定させる。 （もっと読む）

【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、金属微粒子及び分散安定剤を含む溶液を下地層Ｆ１上に塗布する工程と、塗布した溶液を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。塗布した溶液中の下地層Ｆ１との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 （もっと読む）

【目的】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の電子部品の製造方法は、基板上にシード膜を形成するシード膜形成工程（Ｓ１１０）と、前記シード膜を冷却する冷却工程（Ｓ１１２）と、冷却された前記シード膜をめっき液に浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なうめっき工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電子デバイスやプリント基板の微細化高密度化に伴い、印刷やホトリソグラフィーでは、十分対応できていない。一方、電子デバイスやプリント基板上の配線を微細化するためには、基板上で導電性微粒子を均一な膜厚の被膜にする必要があるが、それら導電性微粒子を用いて単層毎に累積し、粒子サイズレベルで均一厚みの被膜を製造するという思想はなかった。
【解決手段】
基材表面に選択的に１層形成された導電性微粒子の膜が前記基材表面に選択的に形成された第１の有機膜と前記導電性微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とするパターン状の単層導電性微粒子膜を用いた配線、及びこれらの有機膜が互いに異なることを特徴とする請求項１記載のパターン状の単層導電性微粒子膜を用いた配線。 （もっと読む）

【課題】メッキ促進層を有する半導体構造物を作る方法を提供する。
【解決手段】半導体構造物を作る方法であって、半導体の層の上に層間誘電体（ＩＬＤ）層を形成させる工程と、前記ＩＬＤの上に導電性のメッキ促進層（ＰＥＬ）を形成する工程と、前記ＩＬＤとＰＥＬとをパターン化する工程と、前記ＩＬＤとＰＥＬとによって形成される前記パターンの中にシード層を堆積する工程と、前記シード層の上に銅をメッキする工程と、を含む方法が開示される。ＰＥＬはウエハ全体にわたる抵抗を低下させ、銅のメッキを容易にする働きをする。好ましくは、ＰＥＬは光学的に透明な導電性の層である。 （もっと読む）

本発明は、リソグラフィ工程を経たフォトレジストの特性を変化させてダミー構造物を形成し、これをゲート電極形成工程に適用した半導体素子の製造方法に関することで、半導体基板上の最上部にバッファー層を形成するステップと、前記バッファー層の上部に無機物フォトレジストを塗布してリソグラフィを通じてフォトレジストパターンを形成するステップと、前記形成されたパターンに特定ガスを使用して熱処理を行うステップと、前記熱処理された構造物の上部に均一な厚さの絶縁膜を蒸着した後に前記パターンが露出されるように前記蒸着された膜をエッチングするステップと、前記工程を経た構造物に絶縁膜を蒸着し、前記パターンが露出されるように前記絶縁膜をエッチングするステップと、前記露出されたパターンを除去するステップと、前記パターンが除去された位置にゲート酸化膜を形成するステップと、前記形成されたゲート酸化膜の上部にゲート電極を形成するステップと、を含む。本発明によれば、ナノ素子を製作するための構造を形成する時、リソグラフィを通じて形成された膜の特性が後続熱処理を通じて改善されるので、多様な素子を製作するための構造を容易に形成することができる。
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【課題】スタンプ製造方法、それを利用した薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板との接触性が向上したスタンプ（Ｓｔａｍｐ）の製造方法を提供し、前記スタンプを利用して、基板上に帯電された領域を作った後に、前記帯電領域の電荷と反対電荷に帯電されたナノ物質を塗布又はメッキさせて、セルフアセンブリ（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）を介して自己組織化単分子膜（ＳＡＭ；ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成することによって、精密なナノパターンを有する薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供し、これによって素子の性能を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成する。
【解決手段】基板Ｐ上に配線パターン４１を形成する工程と、配線パターン４１の少なくとも一部上にスイッチング素子を形成する工程とを有し、配線パターン４１をメッキ処理により成膜する。 （もっと読む）

【課題】所定の機能を確保しつつ、安定してパターンを形成する。
【解決手段】機能液を基板上に配置して線状の第１膜パターン４０と、第１膜パターン４
０より幅狭で基端部で第１膜パターン４０に接続される第２膜パターン４１とを形成する
。第１膜パターン４０に対応する第１開口部５５及び第２膜パターン４１に対応する第２
開口部５６を有する隔壁３４を形成する工程と、第１開口部５５に機能液の液滴を配置し
、機能液の自己流動により機能液を第２開口部５６に配置する工程とを有する。第２膜パ
ターン４１の先端部は、矩形輪郭を欠落させた形状の欠落部４１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域に導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０を含む隔壁３０上に、無電解めっき法により拡散防止材料８２ａを配置する拡散防止材料配置工程と、拡散防止材料８２ａ上に無機材料からなるマスクパターン３６を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン３６を用いて拡散防止材料８２ａをパターニングし、導電層８０上に拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に所定パターンからなる隔壁３０を形成する工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核吸着膜２０を形成するめっき核吸着膜形成工程と、めっき核吸着膜２０にめっき核２６を吸着させるめっき核吸着工程と、めっき核２６を含むめっき核吸着膜８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核２６を配置するめっき核配置工程と、導電層８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。 （もっと読む）