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【課題】基板に対する膜パターンの密着力を向上し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板と膜パターンとの
密着力を向上させるための中間層を基板上に形成する工程と、中間層上に機能液を供給す
ることによって膜パターンを形成する工程とを経て形成する。中間層はシロキサン結合を
主鎖とした無機材料を含む。 (もっと読む)


【課題】所望位置に所望状態で機能液を供給し、膜パターンを良好に形成することができ
る膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板上にバンクを形成
するための感光材を塗布する工程と、膜パターンに応じて感光材を露光する工程と、露光
された感光材を現像してバンクを形成する工程と、現像により形成されたバンクの上面を
撥液性にする工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、バンク
を焼成する工程とを経て形成する。現像し、バンクの上面を撥液性にした後、焼成する前
に、機能液を供給する動作が行われる。 (もっと読む)


【課題】 所定領域内における膜厚分布の均一性が良好なパターン配線、およびその形成方法、並びに、当該パターン配線を備える電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】 下層バンク10で区画された区画領域内に、機能液50を充填し、乾燥工程を経て成膜を行う。主配線部領域40と電極部領域41との接続領域42は、電極部領域41の幅よりも狭く形成されており、この接続領域42における毛細管現象によって、電極部領域41内における機能液50の液位が均一化される。 (もっと読む)


【課題】 基板面内で均一な膜厚のパターンを形成することが可能な膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、機能性材料を溶媒に溶解ないし分散させてなる機能液Lを基体P上に配置し、前記機能液Lを乾燥することにより、前記機能性材料からなる膜パターンFを形成する方法であって、前記膜パターンFが形成される前記基体Pの有効領域Tに前記機能液Lを配置する工程と、前記有効領域Tの周囲の非有効領域Tに前記機能液L又は前記溶媒を配置する工程と、前記有効領域T及び前記非有効領域Tに配置された前記機能液L又は前記溶媒を乾燥する工程とを有し、前記乾燥の開始から終了までの期間において、前記非有効領域Tに配置された前記溶媒の表面積Sが、前記有効領域Tに配置された前記溶媒の表面積Sに対して、S≦Sを満たすように乾燥を行なうことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】孔径、孔の密度が自由に制御でき、安価で簡便であり、有機化合物半導体にも適用が可能な低温で製造される、多孔薄膜堆積基板を提供する。さらには、この方法により得られた多孔薄膜堆積基板を利用して、均一で十分に小さいゲート孔を有し、動作電圧が低く、周波数特性にすぐれ、スイッチング特性が良好なスイッチング素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に静電荷を有する基板表面上に、前記基板表面の静電荷と逆の表面静電荷を付与した微粒子を設置させ、該微粒子設置基板上に少なくとも1層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去し、前記基板上に微細多孔を形成することを特徴とする多孔薄膜堆積基板。
(もっと読む)


【課題】 1ナノメートルよりも細い微細ワイヤの実現を目的とするものである。
【解決手段】 複数の所定原子から成ると共に、所定の内包原子を少なくとも1つ内包する第1クラスタを核とし、当該第1クラスタと前記複数の所定原子から成る第2クラスタとを複数連結させることで微細ワイヤを成長させる、という手段を採用する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性を有する基板上に非透光性を有するゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に光触媒物質を形成し、光触媒物質をめっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、めっき触媒物質を含む溶液中で、ゲート電極層をマスクとして基板を通過した光で選択的に露光し、露光した光触媒物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質表面にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上に半導体層を形成し、半導体装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】 ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造装置、半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。
【解決手段】 半導体製造装置における描画パターン印刷部は、導電性溶剤、絶縁性溶剤、および界面処理液のそれぞれを射出する印刷ヘッドを有しており、ウェーハテスト部からの描画パターンの情報、記憶部からの当該ウェーハに関する情報、およびチップ座標認識部からの座標情報に基づき、印刷ヘッドが所望の回路描画パターンを当該ウェーハに対して印刷できるよう構成されており、半導体製造方法は半導体製造装置を用いて印刷処理により所望の回路を形成して半導体装置を製造しており、半導体装置には回路描画パターンの印刷によりトリミング処理できるようパッド電極等が形成されている。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平板表示装置は、絶縁基板;絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極;電極それぞれの少なくとも一領域とチャネル領域上に形成されている有機半導体層;有機半導体層と電極との間に位置し、電極と有機半導体層との間の接触抵抗を減少させる自己組立単層膜を含むことを特徴とする。平板表示装置の製造方法は、絶縁基板を準備し;前記絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極を形成し;前記ソース電極と前記ドレイン電極上に自己組立単層膜物質を加え、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と化学的に結合する自己組立単層膜を形成し;前記自己組立単層膜の少なくとも一領域と前記チャネル領域に有機半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】段差が無く、且つ、密着性及び平坦性の良い配線層を透明基板上に形成できなかったため、表示装置の大型化が困難な状況にある。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して4層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。この場合、下地密着層は金属に配位可能な構造を有する樹脂により形成され、絶縁基板との密着性を改善できた。また、配線金属層上に配線金属拡散抑止層を設けることにより、配線金属の拡散を防止できるため、薄膜トランジスタの特性を改善できる。 (もっと読む)


【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 バンク内のインクの濡れ性を向上し、均一な膜を形成することのできる膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 基体P上に有機成分を含むバンクBを形成する工程と、バンクBが形成された基体Pの表面をプラズマ処理する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程とを有し、前記プラズマ処理として、酸素を処理ガスとしたプラズマ処理を行なわずに、フッ素含有ガスを処理ガスとしたプラズマ処理のみを行なうことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 不図示の制御部は、二段階成膜の第一の工程では、静電吸着機構49を動作させずに基板9と基板ホルダー44との間の熱伝達効率が悪い状態とし、第二の工程では静電吸着機構49を動作させて基板9と基板ホルダー44との間の熱伝達効率を向上させ、ヒータにより効率良く基板9を加熱する。第一の工程でホール90の内面に厚いベース薄膜93が作成されるため、第二の工程で比較的低い温度でリフローさせても充分にホール90内に金属材料が埋め込まれる。 (もっと読む)


【課題】製造工程を複雑化することなく印刷法を適用した高精度な微細パターンの形成が可能で、これにより素子構成の高集積化を図ることが可能な塗布系の半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】凹凸形状を有するスタンパ3を押し圧するエンボス加工によって基板1の表面に凹状パターン1aを形成する。次に凹状パターン1aの両側にソース/ドレイン電極5をパターン形成する。また、凹状パターン1a内に、半導体材料からなる塗布系材料を印刷供給し、これを固化させることにより活性層7aを形成する。 (もっと読む)


【課題】 幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板48上に設けられたバンク34によって区画されるパターン形成領域55,56に、機能液を配置して膜パターンを形成する方法であって、基板48上に、その断面形状が基板側に向けて漸次拡径する逆テーパ状のバンク34を形成するバンク形成工程と、形成したバンクに対して撥液化処理を施す撥液化処理工程と、撥液化処理後、バンク34に区画されたパターン形成領域55,56に機能液を配置する機能液配置工程と、配置した機能液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れ、所望の領域に種々の機能性材料を付与することで、安価な装置を用いて簡易に機能性パターンを形成しうるグラフトパターンの形成方法、及び、基板との密着性と導電性に優れた導電性パターンを安価な装置を用いて簡易に形成しうる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】露光によりラジカルを発生しうる基材表面上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させ、360nm〜700nmの波長のレーザにより像様露光して、該基材表面上に基材と直接結合したグラフトポリマーをパターン状に生成させることを特徴とするグラフトパターン形成方法である。ここで形成されたグラフトポリマー生成領域に導電性を付与することで導電性パターンを形成しうる。 (もっと読む)


【課題】薄いニッケル膜を用いてシリコンゲルマニウム層をシリサイド化する場合であっても、シート抵抗の上昇や接合リーク電流の増加を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板34上にゲート電極54pを形成する工程と、ゲート電極の両側の半導体基板内にソース/ドレイン拡散層64pを形成する工程と、ソース/ドレイン拡散層にシリコンゲルマニウム層100bを埋め込む工程と、シリコンゲルマニウム層の上部にアモルファス層101を形成する工程と、アモルファス層上にニッケル膜66を形成する工程と、熱処理を行い、ニッケル膜とアモルファス層とを反応させることにより、シリコンゲルマニウム層上にシリサイド膜102bを形成する工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブを用いた配線を高価なエッチング装置などを用いることなく、簡易な方法で実現することができる配線技術を提供する。
【解決手段】 基板11の表面にAlなどからなる下層配線12を形成した後(図2(a)参照)、下層配線12のうちカーボンナノチューブ16を配置すべき箇所に触媒金属含有層14を形成する。次に、熱CVD法などにより触媒金属含有層14の上にカーボンナノチューブ16を形成し、触媒金属含有層14からカーボンナノチューブ16を垂直方向に選択的に成長させる(図2(b)参照)。さらに、カーボンナノチューブ16を選択成長させた基板11の上に塗布法を用いて層間絶縁膜13を形成した後(図2(c)参照)、スパッタ法などによりカーボンナノチューブ16の上端部及び層間絶縁膜13を覆う上層配線層15を形成する(図2(d)参照)。 (もっと読む)


【課題】バンクの撥液化処理に起因する不都合を解消したバンクの形成方法と、膜パター
ンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】機能液からなる膜パターンの形成領域を区画するバンクの形成方法である。
基板P上にレジスト液を塗布し乾燥してレジストからなるバンク膜31を形成する工程と
、バンク膜31に撥液化処理ガスとプラズマとを用いた撥液化処理を行う工程と、撥液化
処理後のバンク膜31に対し、マスクMを用いて選択的に紫外線を照射し、撥液性を低下
させる工程と、撥液化処理後のバンク膜31に対し、マスクMを用いて選択的に露光する
工程と、撥液性を低下させる工程と露光する工程の後、バンク膜31を現像してパターニ
ングし、バンクを形成する工程と、を備えている。撥液性を低下させる工程と露光する工
程とを、同じマスクMを用いて連続してあるいは同時に行う。 (もっと読む)


【課題】 形成される配線パターンの不具合を抑制した配線パターン形成方法、およびこの配線パターン形成方法で信頼性の高い表示装置を製造するための製造装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板上10に評価用撥液部101Aと評価用親液部101Bからなる滴下インク評価部101を設け、評価用撥液部101Aと評価用親液部101Bそれぞれに評価用インクを吐出し、評価用撥液部101Aと評価用親液部101Bそれぞれに吐出された評価用インク13,14の径を計測し、その計測結果を配線パターンの形成に反映させる。 (もっと読む)


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